JP3856027B2 - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents
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走査線409−nとデータ線対411−m、412−mの交差点において、各線に接続された回路が画素を構成する。走査線409−nとデータ線対411−m、412−mに接続されたnチャンネルMOS構造のスイッチング回路401、402は、走査線409−nが選択されて選択信号が供給されると導通状態となり、データ線対411−m、412−mの相補のデータ信号をメモリ回路403に書き込む。ここでメモリ回路403は、2個のインバータを帰還接続した構成となっている。次に、走査線409−nを非選択電位にし、データ線対411−m、412−mをハイインピーダンスにすることにより、スイッチング回路401、402は非導通状態となり、メモリ回路403に書き込まれたデータ信号を保持する。
図1は、本発明の第1の実施形態の電気光学装置である液晶装置における画素及びその駆動回路などの要部を示すブロック図である。図2は、図1の詳細な回路図である。
図3は、本発明の第2の実施形態の電気光学装置である液晶装置における画素及びその駆動回路などの要部を示すブロック図であり、図4はその詳細な回路図である。
図5は、本発明の第3の実施形態の電気光学装置である液晶装置の画素及びその駆動回路などの要部を示すブロック図である。図6はその詳細な回路図である。
図7は、本発明の第4の実施形態の電気光学装置である液晶装置における画素及びその駆動回路などの要部を示すブロック図である。図8はその詳細な回路図である。
図11に、以上の第1乃至第4の実施形態による本発明の電気光学装置を携帯電話に用いた例を示す。携帯電話302の表示部301として本発明の液晶装置を用いた。
102・・・スイッチング回路
103・・・メモリ回路
104・・・液晶画素ドライバ
105・・・液晶画素
106・・・画素電極
107・・・液晶層
108・・・対向電極
109・・・スイッチング制御回路
110・・・行走査線
111・・・行走査線駆動回路
112・・・列走査線
113・・・列走査線駆動回路
114・・・入力データ線
115・・・列データ線
116・・・第1の電圧
117・・・第2の電圧
118・・・第1の電圧信号線
119・・・第2の電圧信号線
120・・・行走査線駆動回路用制御信号
121・・・列走査線駆動回路用制御信号
122・・・基準電圧
201・・・ラッチ回路
301・・・表示部
302・・・携帯電話
Claims (6)
- 基板に、互いに交差する複数の行走査線及び複数の列走査線と、前記列走査線に沿って配設された複数のデータ線と、電圧信号を供給する電圧信号線と、前記行走査線と前記列走査線の交差に対応して配置される複数の画素駆動回路と、当該各画素駆動回路に対応する前記行走査線と前記列走査線の選択時には導通制御信号を出力し、当該画素駆動回路に対応する前記行走査線と前記列走査線の少なくとも一方の非選択時には非導通制御信号を出力するスイッチング制御回路と、入力データ線と、を備え、
前記各画素駆動回路は、
前記導通制御信号に応じて導通状態となり、前記非導通制御信号に応じて非導通状態となるスイッチング回路と、
前記スイッチング回路が導通状態のときに前記データ線のデータ信号を取り込み、前記スイッチング回路が非導通のときに前記データ信号を保持し、相補型トランジスタ構成のクロックドインバータとインバータとを帰還接続して構成されるメモリ回路と、
画素電極と、
前記メモリ回路に保持されたデータ信号が第1レベルの場合は前記画素電極に前記電圧信号線から第1の前記電圧信号を前記画素電極に供給し、第2レベルの場合は前記画素電極に前記電圧信号線から第2の前記電圧信号を前記画素電極に供給する画素ドライバと、を備え、
前記複数のデータ線には、前記入力データ線との間に前記入力データ線から前記データ信号を取り込むラッチ回路が介挿されてなり、当該ラッチ回路は、前記データ線に対応する前記列走査線の選択時に前記入力データ線からデータ信号を取り込み、前記データ線に対応する前記列走査線の非選択時には取り込んだ前記データ信号を保持し、
前記クロックドインバータには前記スイッチング制御回路から出力される前記導通制御信号及び前記非導通制御信号が供給され、
前記クロックドインバータは、前記非導通制御信号が供給されたときのみ動作して前記データ信号を帰還することで、前記メモリ回路が前記データ信号を保持する
ことを特徴とする電気光学装置。 - 前記画素に配置した画素電極が光反射型の電極であって、前記画素電極下に電気的絶縁膜を介して前記画素駆動回路を配設したことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
- 前記行走査線に行走査信号を供給するための行走査線駆動回路と、前記列走査線に列走査信号を供給するための列走査線駆動回路を備え、前記行走査線駆動回路と前記列走査線駆動回路の少なくとも一方が、シフトレジスタ回路により構成されることを特徴とする請求項1または2に記載の電気光学装置。
- 前記行走査線に行走査信号を供給するための行走査線駆動回路と、前記列走査線に列走査信号を供給するための列走査線駆動回路を備え、前記行走査線駆動回路と前記列走査線駆動回路の少なくとも一方が、走査線の本数に応じたビット数のアドレス信号で、該当する走査線を選択するデコーダ回路により構成されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の電気光学装置。
- 前記電気光学装置の回路素子構造がCMOS構造であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の電気光学装置。
- 請求項1乃至5のいずれかに記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
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