JP2015195378A5 - - Google Patents
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Claims (3)
- 第1の層と、第2の層と、第3の層と、を有するグローバルシャッター方式の撮像装置であって、
前記第2の層は、前記第1の層と前記第3の層との間に設けられ、
前記第1の層は、第1のトランジスタを有し、
前記第2の層は、第2のトランジスタを有し、
前記第3の層は、フォトダイオードを有し、
前記第1のトランジスタは、第1の回路の構成要素であり、
前記第2のトランジスタおよび前記フォトダイオードは、第2の回路の構成要素であり、
前記第1の回路は、前記第2の回路を駆動することができる構成を有し、
前記第1のトランジスタのチャネル形成領域は、シリコンを有し、
前記第2のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記フォトダイオードは、pin型の構造を有し、
前記フォトダイオードは、非晶質シリコンを有し、
前記非晶質シリコンは、i型である領域を有することを特徴とする撮像装置。 - 第1の層と、第2の層と、第3の層と、を有するグローバルシャッター方式の撮像装置であって、
前記第2の層は、前記第1の層と前記第3の層との間に設けられ、
前記第1の層は、第1のトランジスタを有し、
前記第2の層は、第2のトランジスタ、第3のトランジスタおよび第4のトランジスタを有し、
前記第3の層は、フォトダイオードを有し、
前記第1のトランジスタは、第1の回路の構成要素であり、
前記第2のトランジスタ、第3のトランジスタ、第4のトランジスタ、および前記フォトダイオードは、第2の回路の構成要素であり、
前記第1の回路は、前記第2の回路を駆動することができる構成を有し、
前記第1のトランジスタのチャネル形成領域は、シリコンを有し、
前記第2のトランジスタ、前記第3のトランジスタ、および前記第4のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記フォトダイオードは、pin型の構造を有し、
前記フォトダイオードは、非晶質シリコンを有し、
前記非晶質シリコンは、i型である領域を有し、
前記第2のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記フォトダイオードと電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第3のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第4のトランジスタのゲートと電気的に接続されていることを特徴とする撮像装置。 - 請求項1または2において、
前記フォトダイオードのp型半導体層は、当該フォトダイオードを貫通して設けられる導電体と電気的に接続されていることを特徴とする撮像装置。
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