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Claims (4)

  1. pチャネル型の第1のトランジスタと、nチャネル型の第2のトランジスタと、酸化物半導体膜を有する第3のトランジスタと、を有し、
    前記第1のトランジスタのゲートは、前記第2のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
    前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第1の配線に電気的に接続されており、
    前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
    前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
    前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第2の配線に電気的に接続されている半導体装置であって、
    第1の期間と、第2の期間と、を有し、
    前記第1の期間において、前記第1のトランジスタまたは前記第2のトランジスタのいずれか一方がオン状態であり、前記第1のトランジスタまたは前記第2のトランジスタのいずれか他方がオフ状態であり、かつ前記第3のトランジスタがオン状態であり、
    前記第2の期間において、前記第1のトランジスタの導通状態が切り替わり、前記第2のトランジスタの導通状態が切り替わり、かつ前記第3のトランジスタがオフ状態である半導体装置。
  2. pチャネル型の第1のトランジスタと、nチャネル型の第2のトランジスタと、酸化物半導体膜を有する第3のトランジスタと、を有し、
    前記第1のトランジスタのゲートは、前記第2のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
    前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第1の配線に電気的に接続されており、
    前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
    前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
    前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第2の配線に電気的に接続されている半導体装置であって、
    第1の期間と、第2の期間と、を有し、
    前記第1の期間において、前記第1のトランジスタまたは前記第2のトランジスタのいずれか一方がオン状態であり、前記第1のトランジスタまたは前記第2のトランジスタのいずれか他方がオフ状態であり、かつ前記第3のトランジスタがオン状態であり、
    前記第2の期間において、前記第1のトランジスタの導通状態が切り替わり、前記第2のトランジスタの導通状態が切り替わり、かつ前記第3のトランジスタがオフ状態である半導体装置。
  3. pチャネル型の第1のトランジスタと、nチャネル型の第2のトランジスタと、酸化物半導体膜を有する第3のトランジスタと、を有し、
    前記第1のトランジスタのゲートは、前記第2のトランジスタのゲートに電気的に接続されており、
    前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第1の配線に電気的に接続されており、
    前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
    前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
    前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第2の配線に電気的に接続されている半導体装置であって、
    第1の期間と、第2の期間と、を有し、
    前記第1の期間において、前記第1のトランジスタまたは前記第2のトランジスタのいずれか一方がオン状態であり、前記第1のトランジスタまたは前記第2のトランジスタのいずれか他方がオフ状態であり、かつ前記第3のトランジスタがオン状態であり、
    前記第2の期間において、前記第1のトランジスタの導通状態が切り替わり、前記第2のトランジスタの導通状態が切り替わり、かつ前記第3のトランジスタがオフ状態である半導体装置。
  4. 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
    前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタは、チャネル形成領域にシリコンを含む半導体装置。
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