JP2016110688A5 - 半導体装置 - Google Patents
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Claims (9)
- 第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第１の容量素子と、第２の容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第１の配線に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの前記ソース及び前記ドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの前記ソース及び前記ドレインの他方は、前記第１の容量素子の第１の電極に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの前記ソース及び前記ドレインの他方は、前記第２の容量素子の第１の電極に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第２の配線に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタと前記第２のトランジスタは直列に電気的に接続され、
前記第１の容量素子の第２の電極は、第３の配線に電気的に接続され、
前記第２の容量素子の第２の電極は、第４の配線に電気的に接続される半導体装置。 - 請求項１において、
前記第１のトランジスタのゲートは第５の配線に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは第６の配線に電気的に接続される半導体装置。 - 請求項１又は２において、
前記第２のトランジスタの前記ソース及び前記ドレインの他方は、前記第３のトランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタの前記ソース及び前記ドレインの他方は、前記第１の配線に電気的に接続される半導体装置。 - 請求項１又は２において、
前記第２のトランジスタの前記ソース及び前記ドレインの他方は、前記第３のトランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタの前記ソース及び前記ドレインの他方は、第７の配線に電気的に接続される半導体装置。 - 第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第１の容量素子と、第２の容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第１の配線に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの前記ソース及び前記ドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの前記ソース及び前記ドレインの他方は、前記第１の容量素子の第１の電極に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの前記ソース及び前記ドレインの他方は、前記第２の容量素子の第１の電極に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第２の配線に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタと前記第２のトランジスタは直列に電気的に接続され、
前記第１の容量素子の第２の電極は、第３の配線に電気的に接続され、
前記第２の容量素子の第２の電極は、第４の配線に電気的に接続される半導体装置。 - 請求項５において、
前記第１のトランジスタのゲートは第５の配線に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは第６の配線に電気的に接続される半導体装置。 - 請求項５又は６において、
前記第２のトランジスタの前記ソース及び前記ドレインの一方は、前記第３のトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの前記ソース及び前記ドレインの他方は、前記第１の配線に電気的に接続される半導体装置。 - 請求項５又は６において、
前記第２のトランジスタの前記ソース及び前記ドレインの一方は、前記第３のトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの前記ソース及び前記ドレインの他方は、第７の配線に電気的に接続される半導体装置。 - 請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記第１のトランジスタは、チャネル形成領域を含む酸化物半導体層を有する半導体装置。
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