JP2013055651A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (4)

1. 第１のトランジスタ乃至第９のトランジスタを有し、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
   前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
   前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第９のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第８のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタの第１のゲートは、前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第５のトランジスタの第１のゲートは、前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第７のトランジスタの第１のゲートは、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタの第２のゲートは、前記第５のトランジスタの第２のゲートと電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタの第２のゲートは、前記第７のトランジスタの第２のゲートと電気的に接続されることを徴とする半導体装置。
2. 第１のトランジスタ乃至第９のトランジスタを有し、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
   前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
   前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第９のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第８のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタの第１のゲートは、前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第５のトランジスタの第１のゲートは、前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第７のトランジスタの第１のゲートは、前記第４のトランジスタの第１のゲートと電気的に接続され、
   前記第７のトランジスタの第１のゲートは、前記第４のトランジスタの第２のゲートと電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタの第２のゲートは、前記第５のトランジスタの第２のゲートと電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタの第２のゲートは、前記第７のトランジスタの第２のゲートと電気的に接続されることを徴とする半導体装置。
3. 第１のトランジスタ乃至第９のトランジスタを有し、
   前記第１乃至第９のトランジスタのそれぞれは、酸化物半導体をチャネル形成領域に有し、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
   前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
   前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第９のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第８のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタの第１のゲートは、前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第５のトランジスタの第１のゲートは、前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第７のトランジスタの第１のゲートは、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタの第２のゲートは、前記第５のトランジスタの第２のゲートと電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタの第２のゲートは、前記第７のトランジスタの第２のゲートと電気的に接続されることを徴とする半導体装置。
4. 第１のトランジスタ乃至第９のトランジスタを有し、
   前記第１乃至第９のトランジスタのそれぞれは、酸化物半導体をチャネル形成領域に有し、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
   前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
   前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第９のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第８のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタの第１のゲートは、前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第５のトランジスタの第１のゲートは、前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第７のトランジスタの第１のゲートは、前記第４のトランジスタの第１のゲートと電気的に接続され、
   前記第７のトランジスタの第１のゲートは、前記第４のトランジスタの第２のゲートと電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタの第２のゲートは、前記第５のトランジスタの第２のゲートと電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタの第２のゲートは、前記第７のトランジスタの第２のゲートと電気的に接続されることを徴とする半導体装置。