JP7264894B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
以下では、本発明の一態様に係るトランジスタ200および容量素子100を有する半導体装置の一例について説明する。
図1(A)、図1(B)、図1(C)、および図1(D)は、本発明の一態様に係るトランジスタ200および容量素子100を有する半導体装置の上面図および断面図である。
以下に、トランジスタ200の代表的な構造について説明する。なお、以下に示すトランジスタ200の構造は、本発明に係る実施の形態の一態様であり、本発明はこれに限られるものではない。トランジスタ200の構造は、半導体装置に求められる機能に合わせて適宜変更することが可能である。
容量素子100は、絶縁体256、絶縁体280、絶縁体282および絶縁体281に形成された開口の中に配置され、導電体242bの上面に接する導電体110と、導電体110および絶縁体281上の絶縁体130と、絶縁体130上の導電体120と、を有する。ここで、絶縁体256、絶縁体280、絶縁体282および絶縁体281に形成された開口の中に導電体110、絶縁体130、および導電体120の少なくとも一部が配置される。
以下では、半導体装置に用いることができる構成材料について説明する。
トランジスタ200を形成する基板としては、例えば、絶縁体基板、半導体基板、または導電体基板を用いればよい。絶縁体基板としては、例えば、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、安定化ジルコニア基板(イットリア安定化ジルコニア基板など)、樹脂基板などがある。また、半導体基板としては、例えば、シリコン、ゲルマニウムを材料とした半導体基板、または炭化シリコン、シリコンゲルマニウム、ヒ化ガリウム、リン化インジウム、酸化亜鉛、酸化ガリウムからなる化合物半導体基板などがある。さらには、前述の半導体基板内部に絶縁体領域を有する半導体基板、例えば、SOI(Silicon On Insulator)基板などがある。導電体基板としては、黒鉛基板、金属基板、合金基板、導電性樹脂基板などがある。または、金属の窒化物を有する基板、金属の酸化物を有する基板などがある。さらには、絶縁体基板に導電体または半導体が設けられた基板、半導体基板に導電体または絶縁体が設けられた基板、導電体基板に半導体または絶縁体が設けられた基板などがある。または、これらの基板に素子が設けられたものを用いてもよい。基板に設けられる素子としては、容量素子、抵抗素子、スイッチ素子、発光素子、記憶素子などがある。
絶縁体としては、絶縁性を有する酸化物、窒化物、酸化窒化物、窒化酸化物、金属酸化物、金属酸化窒化物、金属窒化酸化物などがある。
導電体としては、アルミニウム、クロム、銅、銀、金、白金、タンタル、ニッケル、チタン、モリブデン、タングステン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、マンガン、マグネシウム、ジルコニウム、ベリリウム、インジウム、ルテニウム、イリジウム、ストロンチウム、ランタンなどから選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いることが好ましい。例えば、窒化タンタル、窒化チタン、タングステン、チタンとアルミニウムを含む窒化物、タンタルとアルミニウムを含む窒化物、酸化ルテニウム、窒化ルテニウム、ストロンチウムとルテニウムを含む酸化物、ランタンとニッケルを含む酸化物などを用いることが好ましい。また、窒化タンタル、窒化チタン、チタンとアルミニウムを含む窒化物、タンタルとアルミニウムを含む窒化物、酸化ルテニウム、窒化ルテニウム、ストロンチウムとルテニウムを含む酸化物、ランタンとニッケルを含む酸化物は、酸化しにくい導電性材料、または、酸素を吸収しても導電性を維持する材料であるため、好ましい。また、リン等の不純物元素を含有させた多結晶シリコンに代表される、電気伝導度が高い半導体、ニッケルシリサイドなどのシリサイドを用いてもよい。
酸化物230として、酸化物半導体として機能する金属酸化物を用いることが好ましい。以下では、本発明に係る酸化物230に適用可能な金属酸化物について説明する。
酸化物半導体(金属酸化物)は、単結晶酸化物半導体と、それ以外の非単結晶酸化物半導体と、に分けられる。非単結晶酸化物半導体としては、例えば、CAAC-OS、多結晶酸化物半導体、nc-OS、擬似非晶質酸化物半導体(a-like OS:amorphous-like oxide semiconductor)、および非晶質酸化物半導体などがある。
ここで、金属酸化物中における各不純物の影響について説明する。
次に、図1に示す、トランジスタ200および容量素子100を有する半導体装置について、作製方法を図3乃至図14を用いて説明する。また、図3乃至図14において、各図の(A)は上面図を示す。また、各図の(B)は、(A)に示すA1-A2の一点鎖線で示す部位に対応する断面図であり、トランジスタ200のチャネル長方向の断面図でもある。また、各図の(C)は、(A)にA3-A4の一点鎖線で示す部位に対応する断面図であり、トランジスタ200のチャネル幅方向の断面図でもある。また、各図の(D)は、(A)にA5-A6の一点鎖線で示す部位に対応する断面図であり、トランジスタ200のソース領域またはドレイン領域におけるチャネル幅方向の断面図でもある。なお、各図の(A)の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。
以下では、図15および図16を用いて、先の<半導体装置の構成例>で示したものとは異なる、本発明の一態様に係る半導体装置の一例について説明する。
図1に示す半導体装置においては、容量素子100が設けられる開口の側面に接して絶縁体241が設けられていたが、本実施の形態はこれに限られるものではない。図15に示す半導体装置のように、絶縁体241が容量素子100に設けられていない構成にしてもよい。
図16(A)および図16(B)に示す半導体装置は、トランジスタ200aおよび容量素子100aと、トランジスタ200bおよび容量素子100bと、を有する。
本実施の形態では、半導体装置の一形態を、図17乃至図21を用いて説明する。
本発明の一態様であるトランジスタおよび容量素子を使用した、半導体装置(記憶装置)の一例を図17に示す。本発明の一態様の半導体装置は、トランジスタ200はトランジスタ300の上方に設けられ、容量素子100はトランジスタ200の上方に設けられている。容量素子100、またはトランジスタ300は、少なくとも一部がトランジスタ200と重畳することが好ましい。これにより、容量素子100、トランジスタ200、およびトランジスタ300の上面視における占有面積を低減することができるので、本実施の形態に係る半導体装置を微細化または高集積化させることができる。なお、本実施の形態に係る半導体装置は、例えば、CPU(Central Processing Unit)またはGPU(Graphics Processing Unit)に代表されるロジック回路、あるいはDRAM(Dynamic Random Access Memory)またはNVM(Non-Volatile Memory)に代表されるメモリ回路に適用することができる。
トランジスタ300は、基板311上に設けられ、ゲート電極として機能する導電体316、ゲート絶縁体として機能する絶縁体315、基板311の一部からなる半導体領域313、およびソース領域またはドレイン領域として機能する低抵抗領域314a、および低抵抗領域314bを有する。
各構造体の間には、層間膜、配線、およびプラグ等が設けられた配線層が設けられていてもよい。また、配線層は、設計に応じて複数層設けることができる。ここで、プラグまたは配線としての機能を有する導電体は、複数の構造をまとめて同一の符号を付与する場合がある。また、本明細書等において、配線と、配線と電気的に接続するプラグとが一体物であってもよい。すなわち、導電体の一部が配線として機能する場合、および導電体の一部がプラグとして機能する場合もある。
本発明の一態様である半導体装置を使用した、半導体装置(記憶装置)の一例を図19に示す。図19に示す半導体装置は、図17で示した半導体装置と同様に、トランジスタ200、トランジスタ300、および容量素子100を有する。ただし、図19に示す半導体装置は、トランジスタ200とトランジスタ300が導電体247および導電体366の一を介して電気的に接続されている点において、図17に示す半導体装置と異なる。
本実施の形態では、図22および図23を用いて、本発明の一態様に係る、酸化物を半導体に用いたトランジスタ(以下、OSトランジスタと呼ぶ場合がある)、および容量素子が適用されている記憶装置(以下、OSメモリ装置と呼ぶ場合がある)について説明する。OSメモリ装置は、少なくとも容量素子と、容量素子の充放電を制御するOSトランジスタを有する記憶装置である。OSトランジスタのオフ電流は極めて小さいので、OSメモリ装置は優れた保持特性をもち、不揮発性メモリとして機能させることができる。
図22(A)にOSメモリ装置の構成の一例を示す。記憶装置1400は、周辺回路1411、およびメモリセルアレイ1470を有する。周辺回路1411は、行回路1420、列回路1430、出力回路1440、コントロールロジック回路1460を有する。
図23(A)乃至(C)に、DRAMのメモリセルの回路構成例を示す。本明細書等において、1OSトランジスタ1容量素子型のメモリセルを用いたDRAMを、DOSRAM(Dynamic Oxide Semiconductor Random Access Memory)と呼ぶ場合がある。図23(A)に示す、メモリセル1471は、トランジスタM1と、容量素子CAと、を有する。なお、トランジスタM1は、ゲート(フロントゲートと呼ぶ場合がある)、及びバックゲートを有する。
図23(D)乃至(H)に、2トランジスタ1容量素子のゲインセル型のメモリセルの回路構成例を示す。図23(D)に示す、メモリセル1474は、トランジスタM2と、トランジスタM3と、容量素子CBと、を有する。なお、トランジスタM2は、フロントゲート(単にゲートと呼ぶ場合がある)、及びバックゲートを有する。本明細書等において、トランジスタM2にOSトランジスタを用いたゲインセル型のメモリセルを有する記憶装置を、NOSRAM(Nonvolatile Oxide Semiconductor RAM)と呼ぶ場合がある。
本実施の形態では、図24を用いて、本発明の半導体装置が実装されたチップ1200の一例を示す。チップ1200には、複数の回路(システム)が実装されている。このように、複数の回路(システム)を一つのチップに集積する技術を、システムオンチップ(System on Chip:SoC)と呼ぶ場合がある。
本実施の形態では、先の実施の形態に示す半導体装置を用いた記憶装置の応用例について説明する。先の実施の形態に示す半導体装置は、例えば、各種電子機器(例えば、情報端末、コンピュータ、スマートフォン、電子書籍端末、デジタルカメラ(ビデオカメラも含む)、録画再生装置、ナビゲーションシステムなど)の記憶装置に適用できる。なお、ここで、コンピュータとは、タブレット型のコンピュータや、ノート型のコンピュータや、デスクトップ型のコンピュータの他、サーバシステムのような大型のコンピュータを含むものである。または、先の実施の形態に示す半導体装置は、メモリカード(例えば、SDカード)、USBメモリ、SSD(ソリッド・ステート・ドライブ)等の各種のリムーバブル記憶装置に適用される。図25にリムーバブル記憶装置の幾つかの構成例を模式的に示す。例えば、先の実施の形態に示す半導体装置は、パッケージングされたメモリチップに加工され、様々なストレージ装置、リムーバブルメモリに用いられる。
本発明の一態様に係る半導体装置は、CPUやGPUなどのプロセッサ、またはチップに用いることができる。図26に、本発明の一態様に係るCPUやGPUなどのプロセッサ、またはチップを備えた電子機器の具体例を示す。
本発明の一態様に係るGPUまたはチップは、様々な電子機器に搭載することができる。電子機器の例としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型またはノート型の情報端末用などのモニタ、デジタルサイネージ(Digital Signage:電子看板)、パチンコ機などの大型ゲーム機、などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、電子ブックリーダー、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、などが挙げられる。また、本発明の一態様に係るGPUまたはチップを電子機器に設けることにより、電子機器に人工知能を搭載することができる。
図26(A)には、情報端末の一種である携帯電話(スマートフォン)が図示されている。情報端末5100は、筐体5101と、表示部5102と、を有しており、入力用インターフェースとして、タッチパネルが表示部5102に備えられ、ボタンが筐体5101に備えられている。
図26(C)は、ゲーム機の一例である携帯ゲーム機5300を示している。携帯ゲーム機5300は、筐体5301、筐体5302、筐体5303、表示部5304、接続部5305、操作キー5306等を有する。筐体5302、および筐体5303は、筐体5301から取り外すことが可能である。筐体5301に設けられている接続部5305を別の筐体(図示せず)に取り付けることで、表示部5304に出力される映像を、別の映像機器(図示せず)に出力することができる。このとき、筐体5302、および筐体5303は、それぞれ操作部として機能することができる。これにより、複数のプレイヤーが同時にゲームを行うことができる。筐体5301、筐体5302、および筐体5303の基板に設けられているチップなどに先の実施の形態に示すチップを組み込むことができる。
本発明の一態様のGPUまたはチップは、大型コンピュータに適用することができる。
本発明の一態様のGPUまたはチップは、移動体である自動車、および自動車の運転席周辺に適用することができる。
図26(H)は、電化製品の一例である電気冷凍冷蔵庫5800を示している。電気冷凍冷蔵庫5800は、筐体5801、冷蔵室用扉5802、冷凍室用扉5803等を有する。
Claims (14)
- トランジスタと、容量素子と、電極と、層間膜と、を有し、
前記トランジスタは、半導体層と、ゲートと、ソースと、ドレインと、を有し、
前記トランジスタおよび前記容量素子は、前記層間膜に埋め込まれて配置され、
前記ソースおよび前記ドレインの一方は、前記半導体層よりも下方において、前記電極と接し、
前記ソースおよび前記ドレインの他方は、前記半導体層よりも上方において、前記容量素子の電極の一方と接し、
前記層間膜は、前記ソースおよび前記ドレインの他方に達する開口を有し、
前記容量素子の電極の一方は、前記開口の側面および底面に沿って配置され、
前記半導体層は、酸化物半導体である半導体装置。 - 請求項1において、
前記開口の側面において、前記容量素子の電極の一方と、前記層間膜の間に絶縁体が設けられる半導体装置。 - 第1のトランジスタと、容量素子と、を有し、
前記第1のトランジスタは、
第1の導電体乃至第4の導電体と、第1の絶縁体乃至第4の絶縁体と、第1の酸化物および第2の酸化物と、を有し、
前記第1の導電体上に、前記第1の絶縁体が配置され、
前記第1の絶縁体上に、前記第1の酸化物が配置され、
前記第1の絶縁体および前記第1の酸化物に、前記第1の導電体に達する第1の開口が設けられ、
前記第1の酸化物上に、お互いに離間して設けられた前記第2の導電体および前記第3の導電体が配置され、
前記第2の導電体の少なくとも一部は、前記第1の開口と重なり、前記第1の導電体の上面に接し、
前記第1の酸化物上に、少なくとも一部が前記第2の導電体と前記第3の導電体の間の領域と重なるように、前記第2の酸化物が配置され、
前記第2の酸化物上に、前記第2の絶縁体が配置され、
前記第2の絶縁体上に、前記第4の導電体が配置され、
前記第1の絶縁体、前記第2の導電体および前記第3の導電体の上に、前記第3の絶縁体が配置され、
前記第3の絶縁体の上面、前記第2の酸化物の上面、前記第2の絶縁体の上面および前記第4の導電体の上面に接して、前記第4の絶縁体が配置され、
前記第3の絶縁体および前記第4の絶縁体に、前記第3の導電体に達する第2の開口が設けられ、
前記容量素子は、
第5の導電体および第6の導電体と、第5の絶縁体と、を有し、
前記第2の開口で、前記第3の導電体の上面に接して、前記第5の導電体が配置され、
前記第5の導電体および前記第4の絶縁体の上に、前記第5の絶縁体が配置され、
前記第5の絶縁体の上に前記第6の導電体が配置される、半導体装置。 - 請求項3において、
さらに、前記第5の導電体と前記第3の絶縁体の間に、第6の絶縁体を有する半導体装置。 - 請求項4において、
前記第6の絶縁体は、前記第3の絶縁体より、水素の透過性が低い半導体装置。 - 請求項3乃至請求項5のいずれか一項において、
上面視において、前記第5の導電体のチャネル幅方向の長さは、前記第1の酸化物のチャネル幅方向の長さより短い、半導体装置。 - 請求項3乃至請求項6のいずれか一項において、
前記第5の導電体の上面の一部の高さは、前記第4の絶縁体の上面の高さと概略一致する、半導体装置。 - 請求項3乃至請求項7のいずれか一項において、
さらに、前記第1の絶縁体の下に、前記第4の導電体と少なくとも一部が重なるように配置された、第7の導電体と、を有する半導体装置。 - 請求項3乃至請求項8のいずれか一項において、
前記第2の導電体は、前記第1の開口で前記第1の酸化物の側面と接する半導体装置。 - 請求項3乃至請求項9のいずれか一項において、
さらに、前記第2の導電体および前記第3の導電体と、前記第3の絶縁体と、の間に配置された、第7の絶縁体と、を有する半導体装置。 - 請求項3乃至請求項10のいずれか一項において、
前記第1の酸化物および前記第2の酸化物は、Inと、元素M(MはAl、Ga、Y、またはSn)と、Znと、を有する半導体装置。 - 請求項3乃至請求項11のいずれか一項において、
さらに、前記第1の導電体の下に第2のトランジスタが設けられ、
前記第2のトランジスタのソースまたはドレインは、前記第1の導電体と電気的に接続される、半導体装置。 - 請求項12において、
前記第2のトランジスタは、シリコン基板に形成される半導体装置。 - 請求項12において、
前記第2のトランジスタは、第3の酸化物を有する半導体装置。
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