JP2017034246A5 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents

Claims (1)

1. 第１の絶縁体上に第１の半導体、第１の導電体、第２の導電体および第１のエッチングマスクを順に形成し、
   前記第１のエッチングマスクを用いて、前記第２の導電体の一部を前記第１の導電体が露出するまでエッチングすることで、第３の導電体を形成し、
   前記第１のエッチングマスクまたは前記第３の導電体を用いて、前記第１の導電体の一部、および前記第１の半導体の一部を前記第１の絶縁体が露出するまでエッチングすることで、第４の導電体および第２の半導体を形成し、
   前記第１のエッチングマスクを除去し、
   前記第１の絶縁体上、前記第２の半導体上、前記第４の導電体上および前記第３の導電体上に第２の絶縁体を形成し、
   前記第２の絶縁体上に第２のエッチングマスクを形成し、
   前記第２のエッチングマスクを用いて、前記第２の絶縁体の一部を前記第３の導電体および前記第１の絶縁体が露出するまでエッチングすることで第３の絶縁体を形成し、
   前記第２のエッチングマスクおよび前記第３の絶縁体を用いて、前記第３の導電体の一部を前記第４の導電体が露出するまでエッチングすることで第５の導電体および第６の導電体を形成し、
   前記第２のエッチングマスクを除去し、
   前記第３の絶縁体上、前記第４の導電体上、前記第５の導電体上および前記第６の導電体上に第３のエッチングマスクを形成し、
   前記第３のエッチングマスクを用いて、前記第４の導電体の一部を前記第２の半導体が露出するまでエッチングすることで第７の導電体および第８の導電体を形成し、
   前記第３のエッチングマスクを除去し、
   前記第２の半導体上、前記第７の導電体上および前記第８の導電体上に、第４の絶縁体および第９の導電体を順に形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。