JP2014212305A5 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents

Claims (3)

1. 基板の上方に第１の導電膜を形成する工程と、
   前記第１の導電膜の上方に第１の絶縁膜を形成する工程と、
   前記第１の絶縁膜の上方に半導体膜を形成する工程と、
   前記半導体膜の上方に第２の絶縁膜を形成する工程と、
   前記第２の絶縁膜の上方に、第１の領域と、前記第１の領域における厚さよりも小さな厚さを有する第２の領域と、を有する第１のマスクを形成する工程と、
   前記第１のマスクを用いて、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜のうち前記第１のマスクと重ならない部分を除去することにより、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜に第１の開口を形成する工程と、
   前記第２の領域における前記第１のマスクを後退させることにより、第２のマスクを形成する工程と、
   前記第２のマスクを用いて、前記第２の絶縁膜のうち前記第２の領域と重なる部分を除去することにより、前記第２の絶縁膜における前記第１の開口よりも開口が広い第２の開口を形成すると共に、前記半導体膜と重なる領域に第３の開口を形成する工程と、
   前記第２のマスクを除去する工程と、
   前記第２の絶縁膜の少なくとも一部の上方に、前記第１の絶縁膜における前記第１の開口、前記第２の開口、及び前記第３の開口を介して前記第１の導電膜と前記半導体膜とを電気的に接続する第２の導電膜を形成する工程と、
   を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 請求項１において、
   前記第１の絶縁膜における前記第１の開口は、テーパー形状を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第２の開口及び前記第３の開口は、テーパー形状を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。