JP2015111742A5 - 半導体装置の作製方法、及び半導体装置 - Google Patents

Claims (5)

1. トランジスタと、
   前記トランジスタと電気的に接続された抵抗素子とを有する半導体装置の作製方法であって、
   前記トランジスタは、インジウムと、亜鉛とを有する酸化物半導体膜を有し、
   前記抵抗素子は、インジウムと、亜鉛とを有する酸化物半導体膜を有し、
   前記抵抗素子が有する酸化物半導体膜の第２の部分は、前記トランジスタが有する酸化物半導体膜の第１の部分の幅よりも短く、
   前記第１の部分と、前記第２の部分とを、同じエッチング工程で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. トランジスタと、
   前記トランジスタと電気的に接続された抵抗素子とを有し、
   前記トランジスタは、インジウムと、亜鉛とを有する酸化物半導体膜を有し、
   前記抵抗素子は、インジウムと、亜鉛とを有する酸化物半導体膜を有し、
   前記抵抗素子が有する酸化物半導体膜の第２の部分は、前記トランジスタが有する酸化物半導体膜の第１の部分の幅よりも短く、
   前記第２の部分は、前記第１の部分と同じエッチング工程を経て形成されたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. トランジスタと、
   前記トランジスタと電気的に接続された抵抗素子とを有し、
   前記トランジスタは、インジウムと、亜鉛とを有する酸化物半導体膜を有し、
   前記抵抗素子は、インジウムと、亜鉛とを有する酸化物半導体膜を有し、
   前記抵抗素子が有する酸化物半導体膜の第２の部分は、前記トランジスタが有する酸化物半導体膜の第１の部分の幅よりも短く、
   前記第２の部分は、前記第１の部分と同じエッチング工程を経て形成されたものであることを特徴とする半導体装置。
4. トランジスタと、
   前記トランジスタと電気的に接続された抵抗素子とを有し、
   前記トランジスタは、インジウムと、亜鉛とを有する酸化物半導体膜を有し、
   前記抵抗素子は、インジウムと、亜鉛とを有する酸化物半導体膜を有し、
   前記抵抗素子が有する酸化物半導体膜の第２の部分は、前記トランジスタが有する酸化物半導体膜の第１の部分の幅よりも短く、
   前記第１の部分の第１の領域と接する、第１の電極を有し、
   前記第１の部分の第２の領域と接する、第２の電極を有し、
   前記第２の部分の第３の領域と接する、第３の電極を有し、
   前記第２の部分の第４の領域と接する、第４の電極を有し、
   前記第１の領域と前記第２の領域との間の距離は、前記第３の領域と前記第４の領域との間の距離よりも長いことを特徴とする半導体装置。
5. トランジスタと、
   前記トランジスタと電気的に接続された抵抗素子とを有し、
   前記トランジスタは、インジウムと、亜鉛とを有する酸化物半導体膜を有し、
   前記抵抗素子は、インジウムと、亜鉛とを有する酸化物半導体膜を有し、
   前記抵抗素子が有する酸化物半導体膜の第２の部分は、前記トランジスタが有する酸化物半導体膜の第１の部分の幅よりも短く、
   前記第１の部分の第１の領域と接する、第１の電極を有し、
   前記第１の部分の第２の領域と接する、第２の電極を有し、
   前記第２の部分の第３の領域と接する、第３の電極を有し、
   前記第２の部分の第４の領域と接する、第４の電極を有し、
   前記第１の領域と前記第２の領域との間の距離は、前記第３の領域と前記第４の領域との間の距離よりも短いことを特徴とする半導体装置。