JP2015035591A5 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents

Claims (5)

1. 半導体層と、
   前記半導体層と電気的に接続された電極と、
   ゲート電極と、
   前記ゲート電極と前記半導体層との間に設けられた電子捕獲層と、を有し、
   前記電子捕獲層は、第１の絶縁層と第２の絶縁層を有し、
   前記第１の絶縁層は、前記半導体層と接し、
   前記第２の絶縁層は、前記第１の絶縁層と前記ゲート電極との間に設けられ、
   前記第２の絶縁層は、前記第１の絶縁層よりも電子捕獲密度が高い半導体装置の作製方法であって、
   １２５℃以上４５０℃以下の加熱処理を行いながら、前記ゲート電極の電位を前記電極の電位より高い状態に、１秒以上維持することを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層と電気的に接続された電極と、
   ゲート電極と、
   前記ゲート電極と前記酸化物半導体層との間に設けられた電子捕獲層と、を有し、
   前記電子捕獲層は、第１の絶縁層と第２の絶縁層を有し、
   前記第１の絶縁層は、前記酸化物半導体層と接し、
   前記第２の絶縁層は、前記第１の絶縁層と前記ゲート電極との間に設けられ、
   前記第２の絶縁層は、前記第１の絶縁層よりも電子捕獲密度が高い半導体装置の作製方法であって、
   １２５℃以上４５０℃以下の加熱処理を行いながら、前記ゲート電極の電位を前記電極の電位より高い状態に、１秒以上維持することを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 第１の酸化物半導体層と、
   前記第１の酸化物半導体層の上に設けられた第２の酸化物半導体層と、
   前記第２の酸化物半導体層の上に設けられたソース電極及びドレイン電極と、
   前記ソース電極及び前記ドレイン電極の上に設けられ、前記第２の酸化物半導体層と接する領域を有する第３の酸化物半導体層と、
   前記第３の酸化物半導体層の上に設けられたゲート絶縁層と、
   前記ゲート絶縁層の上に設けられたゲート電極と、を有し、
   前記ゲート絶縁層は、第１の絶縁層と第２の絶縁層を有し、
   前記第２の絶縁層は、前記第１の絶縁層の上に設けられ、
   前記第２の絶縁層は、前記第１の絶縁層よりも電子捕獲密度が高い半導体装置の作製方法であって、
   １２５℃以上４５０℃以下の加熱処理を行いながら、前記ゲート電極の電位を前記電極の電位より高い状態に、１秒以上維持することを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記第２の絶縁層は、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、アルミニウムシリケートのいずれか一を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記ゲート電極に維持される電位は、１Ｖよりも高く、前記半導体装置で使用される最高電位よりも低いことを特徴とする半導体装置の作製方法。