JP2015043415A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (6)

1. 第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜上の第１の酸化物半導体膜と、
   前記第１の酸化物半導体膜上の第２の酸化物半導体膜と、
   前記第１の絶縁膜上の第１の導電膜および第２の導電膜と、
   前記第２の酸化物半導体膜上、前記第１の導電膜上および第２の導電膜上の第３の酸化物半導体膜と、
   前記第３の酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜上の第３の導電膜と、を有し、
   前記第２の酸化物半導体膜は、チャネル形成領域を有し、
   前記第１の導電膜および前記第２の導電膜のそれぞれは、前記第２の酸化物半導体膜の第１の側面及び前記第１の側面に対向する第２の側面と接し、且つ前記第２の酸化物半導体膜の上面とは接せず、
   前記第３の導電膜は、前記第２の酸化物半導体膜の前記第１の側面及び前記第２の側面とは対抗しない第３の側面及び第４の側面に面していることを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記第３の酸化物半導体膜は、前記第２の酸化物半導体膜の前記第３の側面及び前記第４の側面に接することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記第２の酸化物半導体膜の上面の全部が、前記第３の酸化物半導体膜と接することを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   チャネル長方向において、前記第３の酸化物半導体膜の長さが、前記第１の酸化物半導体膜および前記第２の酸化物半導体膜のそれぞれの長さよりも大きいことを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記第３の酸化物半導体膜及び前記第２の絶縁膜の形状は、前記第３の導電膜の形状と同じであることを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか一において、
   前記第３の酸化物半導体膜は、インジウム、ガリウム、および亜鉛を含むことを特徴とする半導体装置。