JP2014143410A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (3)

1. チャネル形成領域を含む酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層と電気的に接続された、第１のソース電極と、
   前記酸化物半導体層と電気的に接続された、第１のドレイン電極と、
   前記第１のソース電極と電気的に接続された、第２のソース電極と、
   前記第１のドレイン電極と電気的に接続された、第２のドレイン電極と、
   前記第２のソース電極、前記酸化物半導体層、及び前記第２のドレイン電極上の、絶縁層と、
   前記絶縁層上の、ゲート電極と、を有し、
   前記ゲート電極は、前記チャネル形成領域の水素濃度を低減させる機能を有し、
   前記チャネル形成領域のチャネル長は、前記第１のソース電極と前記第２のドレイン電極との間の距離より短いことを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記絶縁層は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有することを特徴とする半導体装置。
3. チャネル形成領域を含む酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層と電気的に接続された、第１のソース電極と、
   前記酸化物半導体層と電気的に接続された、第１のドレイン電極と、
   前記第１のソース電極と電気的に接続された、第２のソース電極と、
   前記第１のドレイン電極と電気的に接続された、第２のドレイン電極と、
   前記第２のソース電極、前記酸化物半導体層、及び前記第２のドレイン電極上の、絶縁層と、
   前記絶縁層上の、ゲート電極と、を有し、
   前記絶縁層は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有し、
   前記チャネル形成領域のチャネル長は、前記第１のソース電極と前記第２のドレイン電極との間の距離より短いことを特徴とする半導体装置。