JP2014179625A5 - - Google Patents

Claims (3)

1. ゲート電極を形成し、
   前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
   前記ゲート絶縁膜上に、前記ゲート電極と重なる領域を有する酸化物半導体膜を形成し、
   前記酸化物半導体膜上にソース電極及びドレイン電極を形成する半導体装置の作製方法であって、
   前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成する工程は、
   前記ゲート絶縁膜上及び前記酸化物半導体膜上に、第１の金属膜を形成する工程と、
   前記第１の金属膜上に第２の金属膜を形成する工程と、
   第１のマスクを用いて、前記第２の金属膜の一部を第１のエッチングにより除去する工程と、
   前記第１のエッチング後に、前記第１の金属膜上及び前記第２の金属膜上に、前記第２の金属膜を覆うように第３の金属膜を形成する工程と、
   第２のマスクを用いて、前記第１の金属膜及び前記第３の金属膜の一部を第２のエッチングにより除去する工程と、を有し、
   前記第２のエッチング後の前記第１の金属膜及び前記第３の金属膜の端部は、前記第１のエッチング後の前記第２の金属膜の端部より外側に延び、
   前記第２のエッチング後の前記第１の金属膜及び前記第３の金属膜の端部同士は接し、
   前記第２の金属膜は、銅元素を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. ゲート電極を形成し、
   前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
   前記ゲート絶縁膜上に、前記ゲート電極と重なる領域を有する酸化物半導体膜を形成し、
   前記酸化物半導体膜上にソース電極及びドレイン電極を形成し、
   前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成後に、前記酸化物半導体膜上に第１の絶縁膜を形成し、
   前記第１の絶縁膜に酸素ガスを用いたプラズマ処理を行う半導体装置の作製方法であって、
   前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成する工程は、
   前記ゲート絶縁膜上及び前記酸化物半導体膜上に、第１の金属膜を形成する工程と、
   前記第１の金属膜上に第２の金属膜を形成する工程と、
   第１のマスクを用いて、前記第２の金属膜の一部を第１のエッチングにより除去する工程と、
   前記第１のエッチング後に、前記第１の金属膜上及び前記第２の金属膜上に、前記第２の金属膜を覆うように第３の金属膜を形成する工程と、
   第２のマスクを用いて、前記第１の金属膜及び前記第３の金属膜の一部を第２のエッチングにより除去する工程と、を有し、
   前記第２のエッチング後の前記第１の金属膜及び前記第３の金属膜の端部は、前記第１のエッチング後の前記第２の金属膜の端部より外側に延び、
   前記第２のエッチング後の前記第１の金属膜及び前記第３の金属膜の端部同士は接し、
   前記第２の金属膜は、銅元素を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記第１の金属膜及び前記第３の金属膜は、タングステン、タンタル、チタン、及びモリブデンの中から選択される一以上の元素を含む金属膜、または金属窒化物膜である半導体装置の作製方法。