JPH08146463A

JPH08146463A - スイッチング素子アレイおよびそれを用いた表示装置

Info

Publication number: JPH08146463A
Application number: JP29184994A
Authority: JP
Inventors: Yoshimitsu Tajima; 善光田島; Takayuki Hayano; 貴之早野; Yukihiko Nakada; 行彦中田
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1994-11-25
Filing date: 1994-11-25
Publication date: 1996-06-07

Abstract

(57)【要約】【目的】低抵抗で信号遅延を防止でき、加工精度が良
好で特性劣化が生じない。【構成】絶縁性基板１上に形成されたソースバスライ
ンが、Ａｌ系材料からなる層８と、この層８を覆うよう
に形成された透明導電性層９ａと、薄膜トランジスタの
ｎ⁺層６ａ、６ｂへのＡｌの拡散を防止するバリア層７
ａ、７ｂとからなる。【効果】大型で絵素密度の高いＥＷＳ級の表示装置に
おいても、むらの無い品位に優れた表示を得ることがで
き、高開口率化して低消費電力化をも図ることもできる
と共に、信頼性の高い表示装置が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置、リニア
型密着センサ、マトリクス型密着センサ、Ｘ線撮像装
置、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置、プラ
ズマ表示装置などの表示装置およびそれに用いるスイッ
チング素子アレイに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、この表示装置は、ＣＲＴに比べて
薄型化・軽量化できるなどの利点を有しており、高精細
テレビジョン装置、ＥＷＳ（エンジニアリングワークス
テーション）などに対応できる表示装置として、研究開
発が盛んに行われている。このような表示装置において
は、マトリクス状に配された表示絵素を選択して光変調
することにより、画面上に表示パターンを形成してい
る。

【０００３】この表示絵素の光変調方法の１つとして、
スイッチング素子アレイを用いたアクティブマトリクス
駆動方式が知られており、この方法によれば、クロスト
ークなく、高コントラストの表示が可能であるので、高
画質な平面表示装置を実現することができる。このアク
ティブマトリクス駆動方式の表示装置においては、個々
の表示絵素に独立した絵素電極が設けられており、各々
の絵素電極にスイッチング素子が接続されている。これ
らのスイッチング素子により、一方の基板に設けられた
絵素電極と、対向基板上に設けられた対向電極との間に
印加される電圧がスイッチングされて、両基板間に挟ま
れた液晶などの表示媒体の光学的変調が表示パターンと
して視認される。ここで、スイッチング素子としては、
薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴという）素子、薄膜ダイ
オード素子、金属／絶縁層／金属構造の素子、バリスタ
素子などが一般的に知られている。

【０００４】上記アクティブマトリクス型液晶表示装置
に設けられている配線、特に、データ配線（ソースバス
ライン）などとしては、絵素電極のパターン形成時に配
線が侵食されるのを防ぐために、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔ
ｉなど、耐酸性の強い遷移金属系配線材料が用いられて
きた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の表
示装置における上記遷移金属系配線材料では、絵素電極
のパターン形成時に配線の侵食が防止されるものの、比
較的高抵抗であるために、表示装置の大画面化・高精細
化に伴って信号遅延が顕著になり、表示画面の信号入力
端子の近くと信号入力端子から最も遠いところとでは表
示むらが発生するなど、満足な表示性能が得られなかっ
た。特に、上記アクティブマトリクス駆動方式の平板型
表示装置は、今後さらに大型化、かつ、高精細化されて
いく方向にあり、このような表示装置の大型化、高精細
化に伴って、以下のような問題が発生する。

【０００６】まず、表示画面の大型化により配線が長く
なって配線抵抗値が増大すると共に、表示画面の高精細
化により配線本数が増加して走査配線（ゲートバスライ
ン）とデータ配線（ソースバスライン）との交差点が増
えて配線容量が増大する。よって、信号入力時の矩形波
に遅延が起こり、表示画面への均一な書き込み（表示媒
体層への充電）ができなくなって表示むらが発生する。
さらに、走査配線の本数が増加することにより、ゲート
電圧のオンパルスの時間幅は短くなっていく。よって、
配線抵抗による信号遅延がさらに無視できなくなり、画
面全体に渡って均一な充電率を実現することが厳しいた
め、表示品位を維持することが困難なものとなる。

【０００７】このような入力信号の遅延を軽減するため
には、配線の抵抗を低くすることが必要であり、このた
めには配線の容量成分と抵抗成分との低減が考えられ
る。

【０００８】このうち配線の容量成分を低減する方法と
しては、配線の細線化や、ソース配線とゲート配線との
交差部の面積を減らす方法が考えられる。しかし、ＴＦ
Ｔを用いた液晶表示装置のような大面積基板に作り込む
構成の集積回路では、基板全体に渡って精密な加工を施
す必要があり、装置上に限界がある。また、配線の抵抗
成分を低減する方法として、配線を太くまたは厚くする
と、表示パネルの開口率が低下して良好な表示が得られ
ないという問題があり、製造工程上にも問題が生じる。

【０００９】したがって、導電率の高いＡｌ、Ａｇ、Ａ
ｕまたはＣｕなどの材料を用いる必要がある。特に、電
気抵抗が低く、ガラス板やゲート絶縁膜などに対して接
着性がよく、安価であることなどから、配線材料として
Ａｌが適している。ところが、導電率が高く接着性がよ
くて安価であるＡｌを配線材料として利用する場合に
は、以下のような問題点がある。

【００１０】まず、絵素電極として必要不可欠であるイ
ンジウム錫酸化物（ＩＴＯ）からなる透明電極とＡｌ配
線とを積層すると、パターニング加工の際にレジスト現
像液として使用されているアルカリ系現像液による電触
反応が起こる。また、スイッチング素子としての例えば
ＴＦＴなどを用いた場合、Ａｌ配線とｎタイプの非晶質
シリコン半導体（以下ａ−Ｓｉ（ｎ⁺）という）を積層
すると、熱が加わることによりＡｌが半導体層中に拡散
する。よって、動作環境に長期間晒したり、基板を高温
にして配線を積層すると、特性劣化が起こり信頼性に問
題が生じる。

【００１１】このような問題を解決するために、特開平
５−３２３３７７号公報には、Ｍｏを中間金属として使
用して、現像時の電触反応を防止する方法が開示されて
いる。また、特開平４−２０９３０号公報には、Ｍｏ−
Ｃｒ合金をＩＴＯとＡｌとの中間層として使用して、透
明電極とＡｌとの密着力を向上させる方法が開示されて
いる。さらに、特公平５−４６１０７号公報には、Ｍｏ
またはＣｒ層／Ａｌ層／ＭｏまたはＣｒ層のサンドイッ
チ構造の配線を使用して、Ａｌのａ−Ｓｉ（ｎ⁺）への
拡散を防止する方法が開示されている。しかし、これら
の方法では、いずれもａ−Ｓｉ（ｎ⁺）とＩＴＯとの接
触抵抗が高いために低抵抗配線材料を使用しても効果が
無かったり、Ｃｒを使用しているため、加工性や廃液処
理などに問題があった。

【００１２】一方、抵抗値の低いＡｇ、Ａｕ、Ｃｕなど
の材料を用いた場合にも、高価であること、材料の拡散
が激しいことなどの問題があった。

【００１３】本発明は、上記従来の問題を解決するもの
で、低抵抗で信号遅延を防止でき、加工精度が良好で特
性劣化が生じないスイッチング素子アレイおよびそれを
用いた表示装置を提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明のスイッチング素
子アレイは、基板上に形成された電極配線にスイッチン
グ素子が接続されたスイッチング素子アレイにおいて、
該電極配線が、Ａｌ系材料からなる層と、該Ａｌ系材料
からなる層を覆うように形成された透明導電性層と、該
Ａｌ系材料から該スイッチング素子へのＡｌの拡散を防
止すべく形成されたバリア層とを有するものであり、そ
のことにより上記目的が達成される。

【００１５】本発明の表示装置は、表示媒体を挟んで対
向配設される一対の基板のうちの一方に、マトリクス状
に絵素電極が配設され、該絵素電極の近傍を通ってデー
タ配線が形成され、該絵素電極およびデータ配線に電気
的に接続されたスイッチング素子が設けられた表示装置
において、該データ配線が、Ａｌ系材料からなる層と、
該Ａｌ系材料からなる層を覆うように形成された透明導
電性層と、該Ａｌ系材料から該スイッチング素子へのＡ
ｌの拡散を防止すべく形成されたバリア層とを有するも
のであり、そのことにより上記目的が達成される。

【００１６】上記スイッチング素子アレイおよびそれを
用いた表示装置において、スイッチング素子は薄膜トラ
ンジスタであってもよく、金属／絶縁膜／金属構造の素
子であってもよい。また、上記Ａｌ系材料からなる層
は、Ａｌ層とＡｌ以外の低反射率の金属層との２層構造
からなっていてもよく、Ａｌのみからなっていてもよ
い。Ａｌのみの場合、その表面を低反射化する。また、
好ましくは、透明導電性層はインジウム錫酸化物からな
る。

【００１７】

【作用】本発明においては、電極配線がＡｌ系材料から
なる層と、Ａｌ系材料からなる層を覆うように形成され
た透明導電性層と、スイッチング素子へのＡｌの拡散を
防止すべく形成されたバリア層とを有している。これに
より、Ａｌは電気抵抗が低いので、Ａｌ系材料からなる
層を形成することにより低抵抗な配線となる。

【００１８】また、配線パターニング工程において、Ａ
ｌ系材料からなる層を透明導電性層が覆っているので、
アルカリ現像液によりＡｌが溶解されず電触反応は生じ
ない。

【００１９】さらに、Ａｌ系材料からなる層を覆う透明
導電性層は、絵素電極として兼用することができるとと
もに、周辺の絶縁層や半導体層へのＡｌの拡散を防止す
ることができる。また、スイッチング素子へのＡｌの拡
散を防止すべくバリア層が形成されている。このバリア
層は、Ａｌの例えば半導体層などへの拡散を防ぐため
に、Ａｌと半導体層との間に形成される。

【００２０】上記Ａｌ系材料からなる層は、ＡｌとＡｌ
以外の金属層との２層構造とする場合、Ａｌ以外の金属
層に低反射の金属層を用いれば、低反射とすることがで
きるので、高コントラストな表示となる。また、この層
をＡｌのみで形成する場合には、成膜時の基板温度を２
００℃以上にすることによりその表面を荒らして低反射
化することが可能となる。

【００２１】また、上記透明導電性層としてインジウム
錫酸化物を用いると絵素電極として兼用するのに適して
いる。

【００２２】

【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。

【００２３】（実施例１）図１は本発明の実施例１を示
す液晶表示装置のＴＦＴおよび電極配線部分の断面図で
ある。

【００２４】図１において、このＴＦＴおよび電極配線
部分は、絶縁性基板１上にゲート電極２が形成され、そ
の上に絶縁性基板１の全面を覆うようにゲート絶縁膜３
が形成されている。その上に、ゲート電極２と対向する
ようにアンドープａ−Ｓｉ半導体層（以下ｉ層という）
４が形成され、さらに、ゲート電極２と対向する略中央
位置にチャネル保護層５が形成されている。これらｉ層
４およびチャネル保護層５上には、チャネル保護層５上
で左右に分断された状態で、ソース・ドレイン電極とな
る燐ドープａ−Ｓｉ半導体層（以下ｎ⁺層という）６
ａ、６ｂがそれぞれ形成されている。これらｎ⁺層６
ａ、６ｂおよびゲート絶縁膜３上には、ｎ⁺層６ａ、６
ｂ上で左右に分断された状態で、バリア層７ａ、７ｂが
それぞれ形成され、ゲート絶縁膜３上方の一方のバリア
層７ａ上にはＡｌ系材料からなる層８が形成され、その
上を覆うように透明導電性層９ａが形成されている。ま
た、他方のバリア層７ｂおよびゲート絶縁膜３上には、
その一部がバリア層７ｂと重なるように絵素電極９ｂが
形成されている。さらに、それらの上には、ＴＦＴおよ
び電極配線を保護するための半導体保護層１０が形成さ
れている。

【００２５】ここで、ソースバスラインは、バリア層７
ａ、７ｂ、Ａｌ系材料よりなる層８および透明導電性層
９ａから構成される。

【００２６】以上のように、電極配線は、Ａｌ系材料か
らなる層８と、この層８を覆うように形成された透明導
電性層９ａと、スイッチング素子としてのＴＦＴの半導
体層へのＡｌの拡散を防止すべく形成されたバリア層７
ａおよび、バリア層７ｂとから構成されている。このよ
うに、Ａｌは電気抵抗が低いので、従来、絵素電極のパ
ターン形成時に配線の侵食を防止するために用いていた
配線材料の高抵抗に起因するような、大画面化・高精細
化に伴う信号遅延はなく、表示画面の信号入力端子の近
くと信号入力端子から最も遠いところとで発生していた
表示むらも生じない。

【００２７】また、このように、導電率が高く接着性が
よくて安価であるＡｌを配線材料として利用する場合、
従来は、現像時の電触反応によるＩＴＯ膜やＡｌ膜の劣
化や、半導体層などへのＡｌの拡散の問題があったが、
本実施例１の配線パターニング工程においては、Ａｌ系
材料からなる層８を透明導電性層９ａで覆っているため
に、アルカリ現像液によりＡｌが溶解されず電触反応は
生じない。また、Ａｌ系材料からなる層８を覆う透明導
電性層９ａは、絵素電極として兼用できるとともに、周
辺の絶縁層や半導体層へのＡｌの拡散を防止している。
また、ＴＦＴの半導体層へのＡｌの拡散を防止すべくバ
リア層７ａが形成されており、このバリア層７ａは、Ａ
ｌの例えばｎ⁺層６ａ、６ｂなどへの拡散を防ぐため
に、Ａｌとｎ⁺層６ａ、６ｂとの間に形成され、ピンホ
ールが見られない程度に薄膜化が可能であり、Ａｌ系材
料からなる層８との応力が最も小さくなるように形成し
てバスラインの信頼性を高めることもできる。

【００２８】上記構成の液晶表示装置は、以下のように
して製造することができる。

【００２９】まず、ガラスなどからなる絶縁性基板１上
に、ＤＣスパッタ法によりＴａを成膜し、これをフッ酸
と硝酸との混酸によりエッチングしてゲート配線２を形
成する。次に、このゲート絶縁層３上に、ｉ層４さらに
チャネル保護層５を連続して成膜し、このチャネル保護
層５とゲート電極２とをセルフアライメントすることに
より島状のチャネル保護層５を形成する。続いて、ｎ⁺
層６ａ、６ｂとなる層を成膜し、ｎ⁺層６ａ、６ｂとｉ
層４とを連続的にエッチングする。その後、ＤＣスパッ
タ法によりＴｉを成膜し、これをフッ酸と硝酸との混酸
によりエッチングしてバリア層７ａ、７ｂを形成する。

【００３０】次に、ＤＣスパッタ法によりＡｌとＭｏを
連続成膜し、これをリン酸と酢酸との混合酸によりエッ
チングしてＡｌ系材料からなる層８を形成する。その
後、ＳｎＯ₂を５重量％含むＩｎ₂Ｏ₃ターゲットを用い
てＩＴＯをＤＣスパッタ法により成膜し、塩酸酸性の塩
化鉄水溶液でエッチングしてＡｌ系材料からなる層８を
覆う透明導電性層９ａおよび、絵素電極９ｂを形成す
る。最後に、ＴＦＴ、電極および配線を保護するために
半導体保護膜１０を形成して素子側基板を製作する。さ
らに、対向電極が形成された対向側基板とこの素子側基
板とを対向させて貼り合わせ、３４５ｍｍ×２６０ｍｍ
の表示画面を有するＥＷＳ仕様の液晶表示装置を作成す
る。

【００３１】この実施例１の液晶表示装置について、ソ
ースバスラインの抵抗を調べたところ、４ｋΩと非常に
低くすることができた。また、現像時の電触反応による
ＩＴＯ膜やＡｌ膜の劣化が見られず、半導体層へのＡｌ
の拡散も見られなかった。これにより、低抵抗で信号遅
延を防止でき、また、パターニング加工などの際に電触
反応が起こらないため加工精度が良好で、さらに、Ａｌ
などのｎ⁺層６ａ、６ｂへの拡散が生じないため特性の
劣化が生じない。この液晶表示装置は、高品位の表示が
得られ、長期間動作環境に晒しても特性劣化が生じなか
った。したがって、大型化・高精細化しても表示品位を
損なわない、低抵抗な配線を有するスイッチング素子ア
レイおよびそれを用いた平板型表示装置を得ることがで
きる。

【００３２】（実施例２）この実施例２では、Ａｌ系材
料からなる層８として、Ａｌを基板温度２５０℃にして
成膜した以外は実施例１と同様に液晶表示装置を作成す
る。Ａｌを基板温度２５０℃にして成膜すれば、その表
面が荒れて低反射化を図ることができる。一般に、Ａｌ
は反射率が高く光漏れに影響するが、低反射化すること
により光漏れが少なく高コントラストとなる。また、配
線からの光リーク電流も抑えることができる。

【００３３】この実施例２の液晶表示装置について、ソ
ースバスラインの抵抗を調べたところ、４ｋΩと非常に
低くすることができた。また、現像時の電触反応による
ＩＴＯ膜やＡｌ膜の劣化が見られず、基板温度を高温に
して成膜したにも拘らず半導体層へのＡｌの拡散も見ら
れなかった。この液晶表示装置は、高品位の表示が得ら
れ、長期間動作環境に晒しても特性劣化が生じなかっ
た。

【００３４】（比較例）図２は比較例としての従来の液
晶表示装置のＴＦＴ部分の断面図である。

【００３５】この比較例では、図２に示すように、Ａｌ
系材料からなる層８、および層８を覆う透明導電性層９
ａを形成していない以外は実施例１と同様に液晶表示装
置を作成する。この場合、ソースバスラインはバリア層
７ｃで構成されることになる。

【００３６】この比較例の液晶表示装置について、ソー
スバスラインの抵抗を調べたところ、７０ｋΩと高かっ
た。この液晶表示装置を用いて表示を行うと、ソースバ
スラインに沿ってむらが見られ、信号遅延により書き込
み不足が生じていることが分かった。

【００３７】上記実施例１、２において、バリア層７
ａ、７ｂとしてＴｉ層を形成したが、ソースバスライン
としての機能を果たすことが可能な導電性層であればい
ずれでも用いることができる。特に、このバリア層７
ａ、７ｂは、ｎ⁺層６ａ、６ｂとＡｌ系材料からなる層
８に至る各接触抵抗が少ない導電性材料が望ましく、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｍｏなどを使用することができる。また、こ
のバリア層７ａは、ｎ⁺層６ａ、６ｂとＡｌ系材料から
なる層８との間に形成されるが、Ａｌ系材料からなる層
８の断線に対する冗長構造として、ソースバスライン形
状に形成してもよい。この場合、Ａｌ系材料からなる層
８をパターン形成する前にエッチング加工する。ソース
バスラインは、低抵抗材料であるＡｌ系材料により抵抗
値が決定されるので、バリア層７ａ、７ｂはピンホール
の見られない程度まで薄膜化可能である。よって、その
上部に形成されるＡｌ系材料からなる層８との応力が最
小となる膜厚に形成することが可能となり、Ａｌ系材料
からなる層８の膜質を安定化してソースバスラインの信
頼性を向上させることができる。

【００３８】上記実施例１、２において、Ａｌ系材料か
らなる層８は、Ａｌ単独でもよく、Ａｌと他の低反射率
の金属との２層構造の層でもよい。その成膜方法として
はスパッタ法、蒸着法などの通常の薄膜の成膜法が使用
できる。この２層構造とする場合、低反射の金属層を用
いると低反射とすることができるので光漏れが少なく高
コントラストの表示が得られ、光リーク電流を抑えるこ
とができ、さらに、ＡｌやＩＴＯとの密着性をも高める
ことができる。このような金属としては、Ｍｏ、Ｍｏ／
Ｃｒなどを用いることができる。この層をＡｌのみで形
成する場合には、成膜時の基板温度を２００℃以上にす
ることにより表面を荒らして低反射化することで光漏れ
が少なく高コントラスト表示や光リーク電流を抑えるこ
とができる。

【００３９】上記実施例１、２において、透明導電性層
９ａとしては、酸化インジウムを主成分とした酸化物半
導体を使用することができる。この層のエッチング加工
には塩酸酸性の水溶液をエッチング液として使用し、Ａ
ｌを著しく侵食してしまうので、Ａｌ系材料のエッチン
グ加工を行った後に透明導電性層９ａの成膜およびエッ
チング加工を行う。この透明導電性層９ａを絵素電極９
ｂとして兼用するためには、酸化錫を２〜７重量％、望
ましくは５重量％含んだ酸化錫インジウム（ＩＴＯ）を
用いるのが好ましい。

【００４０】上記実施例１、２においては、スイッチン
グ素子として逆スタガ構造のＴＦＴを用いて、ソースバ
スラインにバリア層７ａ、Ａｌ系材料からなる層８およ
び透明導電性層９ａから構成される電極配線を形成する
場合について説明したが、本発明はこれに限らず、ゲー
トバスラインやその他の配線に適用することもできる。
また、スタガ構造のＴＦＴ、プレナ構造のＴＦＴまたは
チャネル保護膜５が形成されていない逆スタガ構造のＴ
ＦＴなどに適用することもでき、さらにＴＦＴ以外のス
イッチング素子、例えば、ＭＩＭ素子や薄膜ダイオード
など、様々なスイッチング素子にも適用できる。さら
に、液晶表示装置以外に、リニア型またはマトリクス型
の密着センサ、Ｘ線撮像装置、ＥＬ表示装置、プラズマ
表示装置など、様々な平板型表示装置にも適用できる。

【００４１】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、Ａｌ系材
料からなる層により低抵抗な電極配線が得られ、従来の
表示装置に見られる配線抵抗が高いことによる信号遅延
を防止できるため、電荷の書き込み不足による表示むら
が生じない。よって、大型化・高精細化されたＥＷＳ級
の平板型表示装置などにおいてもむらの無い優れた表示
品位を得ることができ、高開口率化して低消費電力化を
も図ることができる。また、パターニング加工などの際
に電触反応が起こらないため安定した加工精度で、か
つ、Ａｌなどのスイッチング素子への拡散が生じないた
め特性の劣化が少ない電極、配線およびスイッチング素
子が形成できて、信頼性の高い表示装置とすることがで
きる。

【００４２】よって、従来、市場に提供できなかったよ
うな優れた性能の新規商品を容易に供給できるようにな
り、消費者にさらなる満足度を提供することができる。
このように、本発明は産業上の利用価値が極めて高いも
のとすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１を示す液晶表示装置のＴＦＴ
および電極配線部分の断面図である。

【図２】比較例としての従来の液晶表示装置のＴＦＴお
よび電極配線部分の断面図である。

【符号の説明】

１絶縁性基板２ゲート電極３ゲート絶縁層４アンドープａ−Ｓｉ半導体層（ｉ層）５チャネル保護層６ａ、６ｂ燐ドープａ−Ｓｉ半導体層（ｎ⁺層）７ａ、７ｂバリア層８Ａｌ系材料からなる層９ａ透明導電性層９ｂ絵素電極１０半導体保護層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に形成された電極配線にスイッチ
ング素子が接続されたスイッチング素子アレイにおい
て、該電極配線が、アルミニュウム系材料からなる層と、該
アルミニュウム系材料からなる層を覆うように形成され
た透明導電性層と、該アルミニュウム系材料から該スイ
ッチング素子へのアルミニュウムの拡散を防止すべく形
成されたバリア層とを有するスイッチング素子アレイ。
【請求項２】前記アルミニュウム系材料からなる層
が、アルミニュウム層とアルミニュウム以外の低反射率
の金属層との２層構造からなる請求項１記載のスイッチ
ング素子アレイ。
【請求項３】前記アルミニュウム系材料からなる層が
アルミニュウムのみからなり、その表面を低反射化した
請求項１記載のスイッチング素子アレイ。
【請求項４】前記透明導電性層がインジウム錫酸化物
からなる請求項１記載のスイッチング素子アレイ。
【請求項５】表示媒体を挟んで対向配設される一対の
基板のうちの一方に、マトリクス状に絵素電極が配設さ
れ、該絵素電極の近傍を通ってデータ配線が形成され、
該絵素電極およびデータ配線に接続されたスイッチング
素子が設けられた表示装置において、該データ配線が、アルミニュウム系材料からなる層と、
該アルミニュウム系材料からなる層を覆うように形成さ
れた透明導電性層と、該アルミニュウム系材料から該ス
イッチング素子へのアルミニュウムの拡散を防止すべく
形成されたバリア層とを有する表示装置。