JP2014209613A5

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Publication number: JP2014209613A5
Application number: JP2014063617A
Authority: JP
Filing date: 2014-03-26
Publication date: 2017-04-20
Anticipated expiration: 2034-03-26

Claims

Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎを含む半導体膜と、
前記半導体膜に接し、導電性を有する一対の第１の保護膜と、
前記一対の第１の保護膜に接する、銅、アルミニウム、金、銀、またはモリブデンを有する一対の導電膜と、
前記一対の導電膜において、前記一対の第１の保護膜と反対の面で接する一対の第２の保護膜と、
前記半導体膜に接するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記半導体膜と重なるゲート電極と、を有し、
断面形状において、前記一対の第２の保護膜の側面が前記一対の導電膜より外側に位置することを特徴とする半導体装置。
請求項１において、前記導電性を有する膜は、チタン、タンタル、モリブデンの単体若しくは合金、または窒化チタン、窒化タンタル、若しくは窒化モリブデンで形成される半導体装置。
請求項１又は２において、前記第２の保護膜は、窒化物絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
請求項３において、前記窒化物絶縁膜は、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム、または窒化酸化アルミニウムで形成されることを特徴とする半導体装置。
請求項１又は２において、前記第２の保護膜は、透光性を有する導電膜であることを特徴とする半導体装置。
請求項５において、前記透光性を有する導電膜は、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、または酸化シリコンを含むインジウム錫酸化物で形成されることを特徴とする半導体装置。
請求項１又は２において、前記第２の保護膜は、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎを含む酸化物半導体膜であることを特徴とする半導体装置。
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記ゲート電極及び前記一対の導電膜の間に、前記ゲート絶縁膜、前記半導体膜、及び前記一対の第１の保護膜を順に有することを特徴とする半導体装置。
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記半導体膜及び前記ゲート電極の間に、前記一対の第１の保護膜、前記一対の導電膜、前記一対の第２の保護膜、及び前記ゲート絶縁膜を順に有することを特徴とする半導体装置。
Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎを含む半導体膜上に、導電性を有する一対の第１の保護膜となる膜、銅、アルミニウム、金、銀、またはモリブデンを有する導電膜、及び一対の第２の保護膜を形成し、
前記一対の第２の保護膜をマスクとして、前記導電膜及び前記一対の第１の保護膜となる膜それぞれの一部をエッチングして、一対の導電膜及び前記一対の第１の保護膜を形成し、
断面形状において、前記一対の第２の保護膜の側面が前記一対の導電膜より外側に位置することを特徴とする半導体装置の作製方法。
Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎを含む半導体膜上に、導電性を有する一対の第１の保護膜となる膜、銅、アルミニウム、金、銀、またはモリブデンを有する導電膜、及び一対の第２の保護膜となる膜を形成し、前記一対の第２の保護膜となる膜上に第１のマスクを形成した後、
前記第１のマスクを用いて前記一対の第２の保護膜となる膜及び前記導電膜それぞれの一部をエッチングして、前記一対の第２の保護膜及び一対の導電膜を形成し、
前記第１のマスクを除去した後、前記一対の第２の保護膜を第２のマスクとして、前記一対の第１の保護膜となる膜の一部をエッチングして、前記一対の第１の保護膜を形成し、
断面形状において、前記一対の第２の保護膜の側面が前記一対の導電膜より外側に位置することを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１１において、前記第１のマスクに酸素プラズマを曝して、前記第１のマスクを除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１０乃至請求項１２のいずれか一項において、前記導電性を有する膜は、チタン、タンタル、モリブデンの単体若しくは合金、または窒化チタン、窒化タンタル、若しくは窒化モリブデンで形成される半導体装置の作製方法。
請求項１０乃至請求項１３のいずれか一項において、前記第２の保護膜は、窒化物絶縁膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１４において、前記窒化物絶縁膜は、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム、または窒化酸化アルミニウムで形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１０乃至請求項１３のいずれか一項において、前記第２の保護膜は、透光性を有する導電膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１６において、前記透光性を有する導電膜は、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、または酸化シリコンを含むインジウム錫酸化物で形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１０乃至請求項１３のいずれか一項において、前記第２の保護膜は、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎを含む酸化物半導体膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１０乃至請求項１８のいずれか一項において、基板上にゲート電極及びゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に前記半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１０乃至請求項１８のいずれか一項において、前記一対の第１の保護膜、前記一対の導電膜、及び前記一対の第２の保護膜を形成した後、ゲート絶縁膜及びゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。