JP2014209613A5 - - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 31
- 230000001681 protective Effects 0.000 claims 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 10
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 7
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims 6
- TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N nitride(3-) Chemical compound [N-3] TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 5
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims 5
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N Indium(III) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N TiO Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N [O--].[Zn++].[In+3] Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910001929 titanium oxide Inorganic materials 0.000 claims 4
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 claims 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminum Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- WKODDKLNZNVCSL-UHFFFAOYSA-N 1,3,2$l^{2},4$l^{2}-oxazadisiletidine Chemical compound N1[Si]O[Si]1 WKODDKLNZNVCSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N Silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N Tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N Tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 claims 1
- 229910001362 Ta alloys Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 1
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical class [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 1
Claims (20)
- In、Ga、Znを含む半導体膜と、
前記半導体膜に接し、導電性を有する一対の第1の保護膜と、
前記一対の第1の保護膜に接する、銅、アルミニウム、金、銀、またはモリブデンを有する一対の導電膜と、
前記一対の導電膜において、前記一対の第1の保護膜と反対の面で接する一対の第2の保護膜と、
前記半導体膜に接するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記半導体膜と重なるゲート電極と、を有し、
断面形状において、前記一対の第2の保護膜の側面が前記一対の導電膜より外側に位置することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、前記導電性を有する膜は、チタン、タンタル、モリブデンの単体若しくは合金、または窒化チタン、窒化タンタル、若しくは窒化モリブデンで形成される半導体装置。
- 請求項1又は2において、前記第2の保護膜は、窒化物絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項3において、前記窒化物絶縁膜は、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム、または窒化酸化アルミニウムで形成されることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1又は2において、前記第2の保護膜は、透光性を有する導電膜であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項5において、前記透光性を有する導電膜は、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、または酸化シリコンを含むインジウム錫酸化物で形成されることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1又は2において、前記第2の保護膜は、In、Ga、Znを含む酸化物半導体膜であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至請求項7のいずれか一項において、前記ゲート電極及び前記一対の導電膜の間に、前記ゲート絶縁膜、前記半導体膜、及び前記一対の第1の保護膜を順に有することを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至請求項7のいずれか一項において、前記半導体膜及び前記ゲート電極の間に、前記一対の第1の保護膜、前記一対の導電膜、前記一対の第2の保護膜、及び前記ゲート絶縁膜を順に有することを特徴とする半導体装置。
- In、Ga、Znを含む半導体膜上に、導電性を有する一対の第1の保護膜となる膜、銅、アルミニウム、金、銀、またはモリブデンを有する導電膜、及び一対の第2の保護膜を形成し、
前記一対の第2の保護膜をマスクとして、前記導電膜及び前記一対の第1の保護膜となる膜それぞれの一部をエッチングして、一対の導電膜及び前記一対の第1の保護膜を形成し、
断面形状において、前記一対の第2の保護膜の側面が前記一対の導電膜より外側に位置することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - In、Ga、Znを含む半導体膜上に、導電性を有する一対の第1の保護膜となる膜、銅、アルミニウム、金、銀、またはモリブデンを有する導電膜、及び一対の第2の保護膜となる膜を形成し、前記一対の第2の保護膜となる膜上に第1のマスクを形成した後、
前記第1のマスクを用いて前記一対の第2の保護膜となる膜及び前記導電膜それぞれの一部をエッチングして、前記一対の第2の保護膜及び一対の導電膜を形成し、
前記第1のマスクを除去した後、前記一対の第2の保護膜を第2のマスクとして、前記一対の第1の保護膜となる膜の一部をエッチングして、前記一対の第1の保護膜を形成し、
断面形状において、前記一対の第2の保護膜の側面が前記一対の導電膜より外側に位置することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項11において、前記第1のマスクに酸素プラズマを曝して、前記第1のマスクを除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項10乃至請求項12のいずれか一項において、前記導電性を有する膜は、チタン、タンタル、モリブデンの単体若しくは合金、または窒化チタン、窒化タンタル、若しくは窒化モリブデンで形成される半導体装置の作製方法。
- 請求項10乃至請求項13のいずれか一項において、前記第2の保護膜は、窒化物絶縁膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項14において、前記窒化物絶縁膜は、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム、または窒化酸化アルミニウムで形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項10乃至請求項13のいずれか一項において、前記第2の保護膜は、透光性を有する導電膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項16において、前記透光性を有する導電膜は、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、または酸化シリコンを含むインジウム錫酸化物で形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項10乃至請求項13のいずれか一項において、前記第2の保護膜は、In、Ga、Znを含む酸化物半導体膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項10乃至請求項18のいずれか一項において、基板上にゲート電極及びゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に前記半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項10乃至請求項18のいずれか一項において、前記一対の第1の保護膜、前記一対の導電膜、及び前記一対の第2の保護膜を形成した後、ゲート絶縁膜及びゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014063617A JP6538307B2 (ja) | 2013-03-28 | 2014-03-26 | 半導体装置及びその作製方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013069163 | 2013-03-28 | ||
JP2013069163 | 2013-03-28 | ||
JP2014063617A JP6538307B2 (ja) | 2013-03-28 | 2014-03-26 | 半導体装置及びその作製方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018102290A Division JP6637109B2 (ja) | 2013-03-28 | 2018-05-29 | 半導体装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014209613A JP2014209613A (ja) | 2014-11-06 |
JP2014209613A5 true JP2014209613A5 (ja) | 2017-04-20 |
JP6538307B2 JP6538307B2 (ja) | 2019-07-03 |
Family
ID=51619931
Family Applications (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014063617A Active JP6538307B2 (ja) | 2013-03-28 | 2014-03-26 | 半導体装置及びその作製方法 |
JP2018102290A Active JP6637109B2 (ja) | 2013-03-28 | 2018-05-29 | 半導体装置 |
JP2019229045A Active JP6916265B2 (ja) | 2013-03-28 | 2019-12-19 | 半導体装置 |
JP2021116924A Active JP7135173B2 (ja) | 2013-03-28 | 2021-07-15 | 表示装置 |
JP2022138094A Pending JP2022176196A (ja) | 2013-03-28 | 2022-08-31 | 表示装置 |
Family Applications After (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018102290A Active JP6637109B2 (ja) | 2013-03-28 | 2018-05-29 | 半導体装置 |
JP2019229045A Active JP6916265B2 (ja) | 2013-03-28 | 2019-12-19 | 半導体装置 |
JP2021116924A Active JP7135173B2 (ja) | 2013-03-28 | 2021-07-15 | 表示装置 |
JP2022138094A Pending JP2022176196A (ja) | 2013-03-28 | 2022-08-31 | 表示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US10566455B2 (ja) |
JP (5) | JP6538307B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7083798B2 (ja) | 2014-11-28 | 2022-06-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10566455B2 (en) * | 2013-03-28 | 2020-02-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
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JP2017085093A (ja) | 2015-10-29 | 2017-05-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
DE112016005330T5 (de) | 2015-11-20 | 2018-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung, Herstellungsverfahren der Halbleitervorrichtung oder Anzeigevorrichtung, die die Halbleitervorrichtung beinhaltet |
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US11424292B2 (en) | 2020-06-22 | 2022-08-23 | Western Digital Technologies, Inc. | Memory array containing capped aluminum access lines and method of making the same |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2002110631A (ja) | 2000-09-29 | 2002-04-12 | Toshiba Corp | 多層薄膜パターンの製造方法 |
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-
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- 2018-05-29 JP JP2018102290A patent/JP6637109B2/ja active Active
-
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- 2019-12-19 JP JP2019229045A patent/JP6916265B2/ja active Active
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- 2020-02-13 US US16/789,830 patent/US11024742B2/en active Active
-
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- 2021-02-23 US US17/182,367 patent/US11990551B2/en active Active
- 2021-07-15 JP JP2021116924A patent/JP7135173B2/ja active Active
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- 2022-08-31 JP JP2022138094A patent/JP2022176196A/ja active Pending
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