JP2017103467A5 - 表示装置の作製方法 - Google Patents

Claims (1)

1. トランジスタと、画素電極とを有する表示装置の作製方法であって、
   Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを有する酸化物半導体層を形成する工程と、
   前記酸化物半導体層に４００℃以上７５０℃以下の第１の熱処理を行う工程と、
   前記第１の熱処理後、前記酸化物半導体層の上面に接する領域を有する第１の絶縁膜を形成する工程と、
   前記第１の絶縁膜を形成後、２００℃以上４００℃以下の第２の熱処理を行う工程と、
   前記第２の熱処理後、前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成する工程と、
   前記第２の絶縁膜上に、前記酸化物半導体層と電気的に接続される画素電極を形成する工程と、を有し、
   前記第１の絶縁膜は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム、又は酸化窒化アルミニウムを有し、
   前記第２の絶縁膜は、窒化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化シリコン、又は窒化酸化アルミニウムを有することを特徴とする表示装置の作製方法。