JP2015164181A5

JP2015164181A5 -

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Publication number: JP2015164181A5
Application number: JP2015012993A
Authority: JP
Filing date: 2015-01-27
Publication date: 2018-03-01
Anticipated expiration: 2035-01-27

Claims

第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタの上方に位置する第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとの間に位置する絶縁膜と、
前記第１のトランジスタと前記絶縁膜との間に位置する配線と、
電極と、を有し、
前記電極と前記配線とは、互いに重なる領域を有し、
前記絶縁膜は、水または水素の拡散を低減することができる機能を有し、
前記第１のトランジスタのチャネルは、単結晶半導体を有し、
前記第２のトランジスタのチャネルは、酸化物半導体を有し、
前記第２のトランジスタのゲート電極は、前記電極が有する材料と同じ材料を含むことを特徴とする半導体装置。
第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタの上方に位置する第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとの間に位置する絶縁膜と、
前記第１のトランジスタと前記絶縁膜との間に位置する配線と、
電極と、を有し、
前記電極と前記配線とは、互いに重なる領域を有し、
前記絶縁膜は、水または水素の拡散を低減することができる機能を有し、
前記第１のトランジスタのゲート電極と、前記配線と、前記電極と、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方とは、互いに電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのチャネルは、単結晶半導体を有し、
前記第２のトランジスタのチャネルは、酸化物半導体を有し、
前記第２のトランジスタのゲート電極は、前記電極が有する材料と同じ材料を含むことを特徴とする半導体装置。
請求項１または請求項２において、
前記第２のトランジスタのゲート電極の上面の高さと前記電極の上面の高さとが揃っていることを特徴とする半導体装置。
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第２のトランジスタは、第２のゲート電極を有し、
前記第２のゲート電極は、前記配線が有する材料と同じ材料を含むことを特徴とする半導体装置。
チャネルに単結晶半導体を有する第１のトランジスタを形成し、
前記第１のトランジスタ上に配線を形成し、
前記配線上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上に第１の電極及び第２の電極を形成し、
前記第２の絶縁膜上、前記第１の電極上及び前記第２の電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記配線に達する開口を前記ゲート絶縁膜、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜に設け、
前記開口を埋めるように第１の導電膜及び第２の導電膜の積層を形成し、
前記第２の導電膜に平坦化処理を行い、
前記第１の導電膜及び前記平坦化処理を行った第２の導電膜をエッチングすることによって、前記ゲート絶縁膜上に第１のゲート電極及び第３の電極、前記第１のゲート電極上に第２のゲート電極、並びに、前記第３の電極上に第４の電極、を形成し、
前記第１の絶縁膜は、水または水素の拡散を低減することができる機能を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項５において、
前記平坦化処理は、化学機械研磨法であることを特徴とする半導体装置の作製方法。