JP2013102131A5 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents

Claims (5)

1. 酸化物絶縁膜を形成し、
   前記酸化物絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、
   前記酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
   前記ゲート絶縁膜上に前記酸化物半導体膜と重なる領域を有するゲート電極層と、前記ゲート電極層上に絶縁膜と、を形成し、
   前記ゲート電極層及び前記絶縁膜をマスクとして前記酸化物半導体膜にドーパントを選択的に導入し、
   前記ゲート絶縁膜上に、前記ゲート電極層の側面を覆う領域及び前記絶縁膜の側面を覆う領域を有する側壁絶縁層を形成し、
   前記酸化物半導体膜上、前記ゲート絶縁膜上、前記ゲート電極層上、前記絶縁膜上、及び前記側壁絶縁層上に導電膜を形成し、
   前記導電膜上に層間絶縁膜を形成し、
   前記層間絶縁膜及び前記導電膜を、前記ゲート電極層上の前記絶縁膜が露出するまで化学的機械研磨法により除去し、前記導電膜を分断して、ソース電極層及びドレイン電極層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 請求項１において、
   前記絶縁膜、前記ソース電極層、前記ドレイン電極層、前記側壁絶縁層、及び前記層間絶縁膜上に酸化アルミニウム膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 請求項１又は２において、
   前記導電膜上に酸化アルミニウム膜を形成し、前記酸化アルミニウム膜上に前記層間絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
   前記酸化物半導体膜を形成する前に前記酸化物絶縁膜表面に平坦化処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、
   前記側壁絶縁層を形成する前に前記酸化物半導体膜に酸素を導入することを特徴とする半導体装置の作製方法。