JP2014057051A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 半導体基板上方の第１の酸化物絶縁層と、
   前記第１の酸化物絶縁層上方の金属酸化物層と、
   前記金属酸化物層上方の第２の酸化物絶縁層と、
   前記第２の酸化物絶縁層を介して前記金属酸化物層と重なる第１のゲート電極層と、を有し、
   前記金属酸化物層は、第１乃至第３の金属酸化物層が順に積層された構造を有し、
   前記第１乃至前記第３の金属酸化物層は少なくともインジウムを含み、
   前記第２の金属酸化物層は、前記第１及び前記第３の金属酸化物層よりもインジウムの含有率が多いことを特徴とする半導体装置。
2. 半導体基板上方の第１の窒化物絶縁層と、
   前記第１の窒化物絶縁層上方の第１の酸化物絶縁層と、
   前記第１の酸化物絶縁層上方の金属酸化物層と、
   前記金属酸化物層上方の第２の酸化物絶縁層と、
   前記第２の酸化物絶縁層上方の第２の窒化物絶縁層と、
   前記第２の酸化物絶縁層及び前記第２の窒化物絶縁層を介して前記金属酸化物層と重なる第１のゲート電極層と、を有し、
   前記金属酸化物層は、第１乃至第３の金属酸化物層が順に積層された構造を有し、
   前記第１乃至前記第３の金属酸化物層は少なくともインジウムを含み、
   前記第２の金属酸化物層は、前記第１及び前記第３の金属酸化物層よりもインジウムの含有率が多く、
   前記第２及び前記第３の金属酸化物層は、結晶構造を有することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記金属酸化物層は、局在準位による吸収係数が３×１０^−３／ｃｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   前記第１の酸化物絶縁層を介して、前記金属酸化物層と重なる第２のゲート電極層を有することを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
   前記第１及び前記第３の金属酸化物層に含まれるシリコンの濃度は３×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であり、
   前記第１及び前記第３の金属酸化物層に含まれる炭素の濃度は３×１０ ^１８ ａｔｏｍｓ／ｃｍ ^３ 以下であることを特徴とする半導体装置。
6. 半導体基板上方に、第１の酸化物絶縁層を形成し、
   前記第１の酸化物絶縁層上方に第１及び第２の金属酸化物層を順に積層し、
   酸素及び窒素雰囲気下で第１の加熱処理を行い、
   前記第２の金属酸化物層上方に第３の金属酸化物層を形成し、
   前記第３の金属酸化物層上方に第２の酸化物絶縁層を形成し、
   酸素及び窒素雰囲気下で第２の加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。