JP2013038401A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013038401A5 JP2013038401A5 JP2012152146A JP2012152146A JP2013038401A5 JP 2013038401 A5 JP2013038401 A5 JP 2013038401A5 JP 2012152146 A JP2012152146 A JP 2012152146A JP 2012152146 A JP2012152146 A JP 2012152146A JP 2013038401 A5 JP2013038401 A5 JP 2013038401A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide semiconductor
- electrode layer
- layer
- semiconductor layer
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 61
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 1
Claims (11)
- 絶縁表面上に形成されたソース電極層又はドレイン電極層と、
前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層上に設けられ、第１の酸化物半導体層及び前記第１の酸化物半導体層と異なるエネルギーギャップを有する第２の酸化物半導体層を含む酸化物半導体積層と、
前記酸化物半導体積層上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体積層と重畳するゲート電極層と、を有する半導体装置。 - 絶縁表面上に形成されたソース電極層又はドレイン電極層と、
前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層上に設けられ、第１の酸化物半導体層と、前記第１の酸化物半導体層に接し、前記第１の酸化物半導体層よりも小さいエネルギーギャップを有する第２の酸化物半導体層と、前記第２の酸化物半導体層に接し、前記第２の酸化物半導体層より大きいエネルギーギャップを有する第３の酸化物半導体層と、を含む酸化物半導体積層と、
前記酸化物半導体積層上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体積層と重畳するゲート電極層と、を有する半導体装置。 - 絶縁表面上に設けられ、第１の酸化物半導体層及び前記第１の酸化物半導体層と異なるエネルギーギャップを有する第２の酸化物半導体層を含む酸化物半導体積層と、
前記酸化物半導体積層上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体積層と重畳するゲート電極層と、を有する半導体装置。 - 絶縁表面上に設けられ、第１の酸化物半導体層と、前記第１の酸化物半導体層に接し、前記第１の酸化物半導体層よりも小さいエネルギーギャップを有する第２の酸化物半導体層と、前記第２の酸化物半導体層に接し、前記第２の酸化物半導体層より大きいエネルギーギャップを有する第３の酸化物半導体層と、を含む酸化物半導体積層と、
前記酸化物半導体積層上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体積層と重畳するゲート電極層と、を有する半導体装置。 - 請求項２又は４において、前記第３の酸化物半導体層は、前記第１の酸化物半導体層の側面及び前記第２の酸化物半導体層の側面を覆って、前記第２の酸化物半導体層上に設けられている半導体装置。
- 請求項１乃至５のいずれか一において、
前記酸化物半導体積層において、前記ゲート電極層と重畳しない領域は、ドーパントを含む半導体装置。 - 酸化物絶縁膜上に、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に、第１の酸化物半導体層と、前記第１の酸化物半導体層と異なるエネルギーギャップを有する第２の酸化物半導体層と、を含む酸化物半導体積層を形成し、
前記ソース電極層、前記ドレイン電極層及び前記酸化物半導体積層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記酸化物半導体積層と重畳するゲート電極層を形成する半導体装置の作製方法。 - 酸化物絶縁膜上に、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に、第１の酸化物半導体層と、前記第１の酸化物半導体層より小さいエネルギーギャップを有する第２の酸化物半導体層と、前記第２の酸化物半導体層より大きいエネルギーギャップを有する第３の酸化物半導体層と、を含む酸化物半導体積層を形成し、
前記ソース電極層、前記ドレイン電極層及び前記酸化物半導体積層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記酸化物半導体積層と重畳するゲート電極層を形成する半導体装置の作製方法。 - 請求項８において、前記第１の酸化物半導体層の側面及び前記第２の酸化物半導体層の側面を覆うように前記第３の酸化物半導体層を積層させる半導体装置の作製方法。
- 請求項７乃至請求項９のいずれか一において、
前記ゲート絶縁膜を成膜した後に、前記ゲート絶縁膜上から前記酸化物半導体積層に酸素を導入する半導体装置の作製方法。 - 請求項７乃至請求項１０のいずれか一において、
前記ゲート電極層を形成した後、前記ゲート電極層をマスクとして、前記酸化物半導体積層にドーパントを導入する半導体装置の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012152146A JP5980015B2 (ja) | 2011-07-08 | 2012-07-06 | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011152190 | 2011-07-08 | ||
| JP2011152190 | 2011-07-08 | ||
| JP2012152146A JP5980015B2 (ja) | 2011-07-08 | 2012-07-06 | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016146136A Division JP6259025B2 (ja) | 2011-07-08 | 2016-07-26 | 半導体装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013038401A JP2013038401A (ja) | 2013-02-21 |
| JP2013038401A5 true JP2013038401A5 (ja) | 2015-07-30 |
| JP5980015B2 JP5980015B2 (ja) | 2016-08-31 |
Family
ID=47438122
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012152146A Active JP5980015B2 (ja) | 2011-07-08 | 2012-07-06 | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
| JP2016146136A Expired - Fee Related JP6259025B2 (ja) | 2011-07-08 | 2016-07-26 | 半導体装置 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016146136A Expired - Fee Related JP6259025B2 (ja) | 2011-07-08 | 2016-07-26 | 半導体装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8748886B2 (ja) |
| JP (2) | JP5980015B2 (ja) |
| TW (3) | TWI535016B (ja) |
Families Citing this family (67)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101291395B1 (ko) | 2009-06-30 | 2013-07-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 제조 방법 |
| KR20130007426A (ko) | 2011-06-17 | 2013-01-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| US9214474B2 (en) | 2011-07-08 | 2015-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| US8952377B2 (en) | 2011-07-08 | 2015-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| TW201901972A (zh) | 2012-01-26 | 2019-01-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置的製造方法 |
| TWI604609B (zh) | 2012-02-02 | 2017-11-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| WO2013154195A1 (en) | 2012-04-13 | 2013-10-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| KR20210109658A (ko) | 2012-05-10 | 2021-09-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 디바이스 |
| KR102119914B1 (ko) | 2012-05-31 | 2020-06-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| JP2014027263A (ja) | 2012-06-15 | 2014-02-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| US8901557B2 (en) | 2012-06-15 | 2014-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US20140027762A1 (en) * | 2012-07-27 | 2014-01-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | Semiconductor device |
| JP6134598B2 (ja) | 2012-08-02 | 2017-05-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| SG11201505225TA (en) | 2012-08-03 | 2015-08-28 | Semiconductor Energy Lab | Oxide semiconductor stacked film and semiconductor device |
| US9245958B2 (en) | 2012-08-10 | 2016-01-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| WO2014061567A1 (en) | 2012-10-17 | 2014-04-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Programmable logic device |
| TWI620323B (zh) | 2012-11-16 | 2018-04-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| TWI624949B (zh) | 2012-11-30 | 2018-05-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| US9153649B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for evaluating semiconductor device |
| US9406810B2 (en) | 2012-12-03 | 2016-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| WO2014103901A1 (en) | 2012-12-25 | 2014-07-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| KR102211596B1 (ko) | 2012-12-28 | 2021-02-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| JP6329762B2 (ja) | 2012-12-28 | 2018-05-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| TWI618252B (zh) * | 2013-02-12 | 2018-03-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| US9231111B2 (en) | 2013-02-13 | 2016-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| KR102238682B1 (ko) * | 2013-02-28 | 2021-04-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치와 그 제작 방법 |
| US9153650B2 (en) | 2013-03-19 | 2015-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor |
| TWI620324B (zh) * | 2013-04-12 | 2018-04-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| US10304859B2 (en) | 2013-04-12 | 2019-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having an oxide film on an oxide semiconductor film |
| DE102014208859B4 (de) | 2013-05-20 | 2021-03-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung |
| TWI652822B (zh) | 2013-06-19 | 2019-03-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 氧化物半導體膜及其形成方法 |
| US20150001533A1 (en) * | 2013-06-28 | 2015-01-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US20150008428A1 (en) | 2013-07-08 | 2015-01-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| TWI608523B (zh) | 2013-07-19 | 2017-12-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | Oxide semiconductor film, method of manufacturing oxide semiconductor film, and semiconductor device |
| KR102232133B1 (ko) * | 2013-08-22 | 2021-03-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| US9590109B2 (en) * | 2013-08-30 | 2017-03-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP6429540B2 (ja) | 2013-09-13 | 2018-11-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| WO2015060133A1 (en) * | 2013-10-22 | 2015-04-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP6440457B2 (ja) | 2013-11-07 | 2018-12-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| WO2015083303A1 (ja) * | 2013-12-02 | 2015-06-11 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
| CN105874524B (zh) | 2013-12-02 | 2019-05-28 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
| US9349751B2 (en) | 2013-12-12 | 2016-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| TWI721409B (zh) | 2013-12-19 | 2021-03-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| WO2015097596A1 (en) * | 2013-12-26 | 2015-07-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US10096489B2 (en) * | 2014-03-06 | 2018-10-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| TWI672804B (zh) * | 2014-05-23 | 2019-09-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
| TWI663726B (zh) | 2014-05-30 | 2019-06-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 半導體裝置、模組及電子裝置 |
| JP6570417B2 (ja) * | 2014-10-24 | 2019-09-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置および電子機器 |
| US20160155759A1 (en) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device including the same |
| KR20160114511A (ko) | 2015-03-24 | 2016-10-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
| US10096715B2 (en) | 2015-03-26 | 2018-10-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method for manufacturing the same, and electronic device |
| US9806200B2 (en) | 2015-03-27 | 2017-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US9837547B2 (en) * | 2015-05-22 | 2017-12-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising oxide conductor and display device including the semiconductor device |
| US10714633B2 (en) | 2015-12-15 | 2020-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device |
| WO2017153882A1 (en) | 2016-03-11 | 2017-09-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, manufacturing method thereof, and display device including the semiconductor device |
| CN114864381A (zh) | 2016-05-20 | 2022-08-05 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置或包括该半导体装置的显示装置 |
| US10043659B2 (en) | 2016-05-20 | 2018-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device or display device including the same |
| TWI737665B (zh) | 2016-07-01 | 2021-09-01 | 日商半導體能源硏究所股份有限公司 | 半導體裝置以及半導體裝置的製造方法 |
| TWI720097B (zh) | 2016-07-11 | 2021-03-01 | 日商半導體能源硏究所股份有限公司 | 濺射靶材及濺射靶材的製造方法 |
| TW202343784A (zh) | 2016-07-11 | 2023-11-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 金屬氧化物及半導體裝置 |
| TWI771281B (zh) * | 2016-07-11 | 2022-07-21 | 日商半導體能源硏究所股份有限公司 | 金屬氧化物及包括該金屬氧化物的半導體裝置 |
| KR102384624B1 (ko) * | 2016-10-21 | 2022-04-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| US9978772B1 (en) * | 2017-03-14 | 2018-05-22 | Micron Technology, Inc. | Memory cells and integrated structures |
| CN112005383A (zh) | 2018-03-12 | 2020-11-27 | 株式会社半导体能源研究所 | 金属氧化物以及包含金属氧化物的晶体管 |
| KR102584244B1 (ko) * | 2018-09-21 | 2023-10-05 | 주성엔지니어링(주) | 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법 |
| CN109888019B (zh) * | 2019-01-29 | 2021-04-02 | 中山大学 | 一种基于准调制掺杂效应的异质结构氧化物薄膜晶体管 |
| US11056571B2 (en) * | 2019-06-18 | 2021-07-06 | Micron Technology, Inc. | Memory cells and integrated structures |
Family Cites Families (104)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997006554A2 (en) | 1995-08-03 | 1997-02-20 | Philips Electronics N.V. | Semiconductor device provided with transparent switching element |
| JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
| JPH1012889A (ja) * | 1996-06-18 | 1998-01-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体薄膜および半導体装置 |
| JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Ｈｏｙａ株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
| JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
| JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
| TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
| JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
| KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
| JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
| JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
| JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
| JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
| JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
| WO2003040441A1 (en) | 2001-11-05 | 2003-05-15 | Japan Science And Technology Agency | Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
| JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ＬｎＣｕＯ（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）単結晶薄膜の製造方法 |
| US7049190B2 (en) | 2002-03-15 | 2006-05-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device |
| JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
| US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
| JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
| US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
| US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
| JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
| JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
| US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
| KR101078509B1 (ko) | 2004-03-12 | 2011-10-31 | 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 | 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
| US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
| US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
| US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
| JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
| US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
| US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
| US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
| JP5126729B2 (ja) | 2004-11-10 | 2013-01-23 | キヤノン株式会社 | 画像表示装置 |
| CN102938420B (zh) | 2004-11-10 | 2015-12-02 | 佳能株式会社 | 无定形氧化物和场效应晶体管 |
| US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
| CA2585071A1 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor employing an amorphous oxide |
| US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
| WO2006051994A2 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
| US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
| JP5138163B2 (ja) * | 2004-11-10 | 2013-02-06 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
| US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
| TWI569441B (zh) | 2005-01-28 | 2017-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法 |
| TWI472037B (zh) | 2005-01-28 | 2015-02-01 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法 |
| US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
| US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
| WO2006105077A2 (en) | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material |
| US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
| US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
| JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
| US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
| US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
| US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
| KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
| JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 |
| JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
| JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
| JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
| JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
| EP1995787A3 (en) | 2005-09-29 | 2012-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method therof |
| JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
| CN101707212B (zh) | 2005-11-15 | 2012-07-11 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
| TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
| US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
| JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ＺｎＯフィルム及びこれを用いたＴＦＴの製造方法 |
| US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
| US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
| KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ＺｎＯ ＴＦＴ |
| US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
| JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
| JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
| JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
| JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
| JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
| JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
| JP2008112909A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-15 | Kochi Prefecture Sangyo Shinko Center | 薄膜半導体装置及びその製造方法 |
| US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
| JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーｅｌディスプレイおよびその製造方法 |
| KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
| US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
| KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
| US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
| KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
| KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
| KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
| CN101663762B (zh) | 2007-04-25 | 2011-09-21 | 佳能株式会社 | 氧氮化物半导体 |
| KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
| US8202365B2 (en) | 2007-12-17 | 2012-06-19 | Fujifilm Corporation | Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film |
| JP4555358B2 (ja) | 2008-03-24 | 2010-09-29 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜電界効果型トランジスタおよび表示装置 |
| JP5325446B2 (ja) * | 2008-04-16 | 2013-10-23 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置及びその製造方法 |
| KR100963026B1 (ko) * | 2008-06-30 | 2010-06-10 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치 |
| JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
| JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
| US8383470B2 (en) * | 2008-12-25 | 2013-02-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor (TFT) having a protective layer and manufacturing method thereof |
| WO2011065329A1 (ja) * | 2009-11-27 | 2011-06-03 | 株式会社日立製作所 | 酸化物半導体装置およびその製造方法 |
| KR102089200B1 (ko) * | 2009-11-28 | 2020-03-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
| WO2011065244A1 (en) * | 2009-11-28 | 2011-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| CN102640272B (zh) * | 2009-12-04 | 2015-05-20 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及其制造方法 |
| JP5497417B2 (ja) * | 2009-12-10 | 2014-05-21 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びにその薄膜トランジスタを備えた装置 |
-
2012
- 2012-06-26 US US13/533,121 patent/US8748886B2/en active Active
- 2012-07-02 TW TW101123712A patent/TWI535016B/zh active
- 2012-07-02 TW TW106111409A patent/TWI624950B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-07-02 TW TW105105941A patent/TWI589002B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-07-06 JP JP2012152146A patent/JP5980015B2/ja active Active
-
2016
- 2016-07-26 JP JP2016146136A patent/JP6259025B2/ja not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2013038401A5 (ja) | ||
| JP2013070070A5 (ja) | 半導体装置及びその作製方法 | |
| JP2013102131A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2011243975A5 (ja) | ||
| JP2014082389A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2013236072A5 (ja) | ||
| JP2013038399A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2012248829A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2013153148A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2013175713A5 (ja) | ||
| JP2012049514A5 (ja) | ||
| JP2013016862A5 (ja) | ||
| JP2014057049A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2011233880A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2014116588A5 (ja) | ||
| JP2012009843A5 (ja) | ||
| JP2012256877A5 (ja) | 半導体装置の作製方法、及び半導体装置 | |
| JP2011181906A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2015053478A5 (ja) | ||
| JP2014082388A5 (ja) | ||
| JP2011199272A5 (ja) | ||
| JP2013153156A5 (ja) | ||
| JP2013123041A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2013175718A5 (ja) | ||
| JP2013102149A5 (ja) |