JP2014082389A5 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents

Claims (4)

1. 酸化物絶縁膜上に、酸化物半導体層を形成し、
   前記酸化物半導体層上に、第１のソース電極層および第１のドレイン電極層を形成し、
   前記第１のソース電極層上、および前記第１のドレイン電極層上、第２のソース電極層、および第２のドレイン電極層を、それぞれ形成し、
   前記第２のソース電極層上、および前記第２のドレイン電極層上に、ゲート絶縁膜を形成し、
   前記ゲート絶縁膜へ、酸素を注入し、
   前記ゲート絶縁膜上に、ゲート電極層を形成し、
   前記ゲート電極層上に、絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法であって、
   前記酸化物絶縁膜は、前記酸化物半導体層と接する領域を有し、
   前記酸化物絶縁膜は、前記第２のソース電極層の外側で、前記ゲート絶縁膜と接する領域を有し、
   前記酸化物絶縁膜は、前記第２のドレイン電極層の外側で、前記ゲート絶縁膜と接する領域を有し、
   前記絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜と接する領域を有し、
   加熱処理を経て、前記ゲート絶縁膜中の酸素を、前記酸化物半導体層に供給することを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 酸化物絶縁膜上に、酸化物半導体層を形成し、
   前記酸化物半導体層上に、第１のソース電極層および第１のドレイン電極層を形成し、
   前記第１のソース電極層上、および前記第１のドレイン電極層上、第２のソース電極層、および第２のドレイン電極層を、それぞれ形成し、
   前記第２のソース電極層上、および前記第２のドレイン電極層上に、ゲート絶縁膜を形成し、
   前記ゲート絶縁膜へ、酸素を注入し、
   前記ゲート絶縁膜上に、ゲート電極層を形成し、
   前記ゲート電極層上に、絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法であって、
   前記酸化物絶縁膜は、前記酸化物半導体層と接する領域を有し、
   前記酸化物絶縁膜は、前記第２のソース電極層の外側で、前記ゲート絶縁膜と接する領域を有し、
   前記酸化物絶縁膜は、前記第２のドレイン電極層の外側で、前記ゲート絶縁膜と接する領域を有し、
   前記絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜と接する領域を有し、
   加熱処理を経て、前記酸化物絶縁膜中の酸素を、前記ゲート絶縁膜を介して、前記酸化物半導体層に供給することを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 酸化物絶縁膜上に、酸化物半導体層を形成し、
   前記酸化物半導体層上に、第１のソース電極層および第１のドレイン電極層を形成し、
   前記第１のソース電極層上、および前記第１のドレイン電極層上、第２のソース電極層、および第２のドレイン電極層を、それぞれ形成し、
   前記第２のソース電極層上、および前記第２のドレイン電極層上に、ゲート絶縁膜を形成し、
   前記ゲート絶縁膜上に、ゲート電極層を形成し、
   前記ゲート電極層上に、絶縁膜を形成し、
   前記絶縁膜を介して、前記ゲート絶縁膜へ、酸素を注入する半導体装置の作製方法であって、
   前記酸化物絶縁膜は、前記酸化物半導体層と接する領域を有し、
   前記酸化物絶縁膜は、前記第２のソース電極層の外側で、前記ゲート絶縁膜と接する領域を有し、
   前記酸化物絶縁膜は、前記第２のドレイン電極層の外側で、前記ゲート絶縁膜と接する領域を有し、
   前記絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜と接する領域を有し、
   加熱処理を経て、前記ゲート絶縁膜中の酸素を、前記酸化物半導体層に供給することを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 酸化物絶縁膜上に、酸化物半導体層を形成し、
   前記酸化物半導体層上に、第１のソース電極層および第１のドレイン電極層を形成し、
   前記第１のソース電極層上、および前記第１のドレイン電極層上、第２のソース電極層、および第２のドレイン電極層を、それぞれ形成し、
   前記第２のソース電極層上、および前記第２のドレイン電極層上に、ゲート絶縁膜を形成し、
   前記ゲート絶縁膜上に、ゲート電極層を形成し、
   前記ゲート電極層上に、絶縁膜を形成し、
   前記絶縁膜を介して、前記ゲート絶縁膜へ、酸素を注入する半導体装置の作製方法であって、
   前記酸化物絶縁膜は、前記酸化物半導体層と接する領域を有し、
   前記酸化物絶縁膜は、前記第２のソース電極層の外側で、前記ゲート絶縁膜と接する領域を有し、
   前記酸化物絶縁膜は、前記第２のドレイン電極層の外側で、前記ゲート絶縁膜と接する領域を有し、
   前記絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜と接する領域を有し、
   加熱処理を経て、前記酸化物絶縁膜中の酸素を、前記ゲート絶縁膜を介して、前記酸化物半導体層に供給することを特徴とする半導体装置の作製方法。