JP2013175713A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. ゲート電極と、
   前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁層と、
   前記ゲート電極と重畳し、前記ゲート絶縁層上に形成された酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、
   前記酸化物半導体層の一部に接し、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に形成された第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上に形成された第２の絶縁層と、を有し、
   前記第１の絶縁層は、化学量論的組成よりも酸素を多く含むことを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記第１の絶縁層は１０ｎｍより厚く、１００ｎｍより薄いことを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第２の絶縁層は酸化アルミニウムにより形成されることを特徴とする半導体装置。
4. ゲート電極を形成し、
   前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、
   前記ゲート電極と重畳する領域の前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、
   前記酸化物半導体層上にソース電極及びドレイン電極を形成し、
   前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に、前記酸化物半導体層の一部と接して化学量論的組成よりも酸素を多く含む第１の絶縁層を形成し、
   前記第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項４において、
   前記第１の絶縁層の厚さは１０ｎｍより厚く、１００ｎｍより薄いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 請求項４または請求項５において、
   前記第２の絶縁層は、前記第１の絶縁層上に金属層を形成し、前記金属層を酸素ドープ処理によって金属酸化物層とすることにより形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 請求項４乃至請求項６のいずれか一において、
   前記第２の絶縁層は酸化アルミニウムであることを特徴とする半導体装置の作製方法。