JP2013110393A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. ガラス基板上のゲート電極層と、
   前記ゲート電極層上の第１のゲート絶縁膜と、
   前記第１のゲート絶縁膜上の第２のゲート絶縁膜と、
   前記第２のゲート絶縁膜上の酸化物半導体膜と、を有し、
   前記第２のゲート絶縁膜は、前記第１のゲート絶縁膜とは組成が異なり、
   前記ガラス基板は、金属元素を有し、
   前記第１のゲート絶縁膜と前記第２のゲート絶縁膜との界面における前記金属元素の濃度は、５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であることを特徴とする半導体装置。
2. ガラス基板上のゲート電極層と、
   前記ゲート電極層上の第１のゲート絶縁膜と、
   前記第１のゲート絶縁膜上の第２のゲート絶縁膜と、
   前記第２のゲート絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体層上の絶縁層と、を有し、
   前記第２のゲート絶縁膜は、前記第１のゲート絶縁膜とは組成が異なり、
   前記絶縁層は、前記ゲート電極層と重畳する位置に設けられ、
   前記ガラス基板は、金属元素を有し、
   前記第１のゲート絶縁膜と前記第２のゲート絶縁膜との界面における前記金属元素の濃度は、５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であることを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１又は２において、
   前記第１のゲート絶縁膜は窒化物絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１又は２において、
   前記第１のゲート絶縁膜は窒化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、
   前記第１のゲート絶縁膜の膜厚は、３０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか一項において、
   前記第２のゲート絶縁膜は、酸化窒化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１乃至６のいずれか一項において、
   前記金属元素は、アルミニウムであることを特徴とする半導体装置。