JP5324118B2 - 無機膜およびその製造方法並びに半導体デバイス - Google Patents
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Description
前記無機膜の比抵抗は5.0×104Ωcm以上1.0×108Ωcm以下であることが好ましい。
半導体デバイスは、その基板が可撓性樹脂基板であることが好ましい。
前記パルスレーザによる加熱処理後の後処理加熱温度は200℃以下であることがより好ましい。
原料液は溶液の形態で塗布することができ、表面が平滑な薄膜を形成することができる。
以下、本発明の無機膜を、さらに実施例により詳細に説明する。
(原料液の作製)
酢酸亜鉛2水和物0.6gを脱水エタノール中で93℃にて攪拌し、エタノールの一部を留去してジエチルアミノエタノールを加え、透明の液体(A液)を得た。チタンテトラエトキシド3.4gをジエチルアミノエタノールに溶かして透明の液体(B液)を得た。A液を60℃攪拌し、そこへインジウムイソプロポキシド4.4gとB液を加えて攪拌し、170℃に昇温した後、さらに1時間攪拌してオレンジ色の液体(C液)を得た。C液のIn:Ti:Znの組成比は、ICP測定により1:0.9:0.15であった。
上記で得られたC液を石英基板上に1000rpmで1回塗布し、室温で乾燥させることにより成膜した。
上記で成膜して得られた膜を900℃にて30分間焼成した。
上記で得られた焼成膜のXRD測定を行ったところ、In6Ti6ZnO22の結晶構造が得られていた。
上記で得られた結晶化薄膜の比抵抗を、株式会社ダイアインスツルメンツのハイレスタUP MCP−HTP16型を用いて1000V印加の条件でシート抵抗Rsを測定し、SEM(カールツァイス社のLEO Sshottky FE-SEM SUPRAシリーズ)より測定した膜厚50nmから、比抵抗ρ=Rstより算出したところ、7.0×107Ωcmであった。
石英基板上に、ゲート電極としてTiをパターニングし、その上に絶縁膜としてSiO2膜をCVDによって形成し、その上に上記C液を560rpmで一回塗布し、900℃で焼成してIn6Ti6ZnO22膜を得た。このとき、In6Ti6ZnO22膜厚は90nmであった。その後、ソース・ドレイン電極としてTiをパターニングし、チャネル長及びチャネル幅はそれぞれ50μm及び200μmの薄膜トランジスタ(TFT)を作製した。作製したTFTは、ゲート電圧Vg=0Vのときドレイン電流Ids=2.6×10-12A(Vds=5.0V)、ゲート電圧Vg=5Vのときドレイン電流Ids=4.3×10-9Aであった。
(薄膜作製)
実施例1の(原料液の作製)で得られたC液をシリコン基板上に560rpmで1回塗布し、室温で乾燥させることにより成膜した。
上記で得られた膜に対して、UVオゾン処理をした後、KrFエキシマレーザ248nmの光を照射した。200shot照射し、アッテネータを用いてサンプルに照射されるレーザパワーを調整した。レーザ照射パワーは129、162、203、256mJ/cm2とした。
XRD測定を行ったところ、レーザパワー129、162、203、256mJ/cm2でIn6Ti6ZnO22の回折ピークが得られ、結晶化していることがわかった。
上記の結晶化した薄膜を実施例1と同様にして比抵抗を測定したところ、レーザパワー129、162、203、256mJ/cm2では、それぞれ1.0×106、3.0×105、8.8×105、6.2×105Ωcmの比抵抗であった。
上記の結晶化した膜を、後処理として150℃で30分加熱した。比抵抗はわずかに大きくなり、特性の安定性が増した。その後200℃で30分加熱した。その結果、レーザパワー129、162、203、256mJ/cm2でそれぞれ1.0×107、5.4×106、2.3×106、1.3×106Ωcmの比抵抗であった。
PEN基板上にTiでゲート電極を形成し、次いで、絶縁膜としてSiO2膜をCVDにより形成し、上記C液をインクジェット法にて塗設し、乾燥させたのちUVオゾン処理をしてKrFエキシマレーザ248nm(レーザパワー203mJ/cm2、200shot)を照射してIn6Ti6ZnO22膜を得た。このとき、In6Ti6ZnO22膜厚は90nmであった。その後、ソース・ドレイン電極としてTiをパターニングし、チャネル長50μm、チャネル幅200μmのTFTを作製した。作製したTFTは、ゲート電圧Vg=0Vのときドレイン電流Ids=6.0×10-10A(Vds=5.0V)、ゲート電圧Vg=5Vのときドレイン電流Ids=8.5×10-8Aであった。
(原料液の作製)
酢酸亜鉛2水和物4.4gを脱水エタノール中で93℃にて攪拌し、エタノールの一部を留去してジエチルアミノエタノールを加え、透明の液体(A液)を得た。ペンタエトキシタングステン1.6gをジエチルアミノエタノールに溶かして透明の液体(B液)を得た。A液を60℃で攪拌し、そこへインジウムイソプロポキシド1.2gとB液を加えて攪拌し、170℃に昇温した後、さらに1時間攪拌してオレンジ色の液体(C液)を得た。C液のIn:W:Znの組成比は、ICP測定により1:0.85:4.8であった。
上記で得られたC液を石英基板上に1000rpmで1回塗布し、室温で乾燥させることにより成膜した。
上記で得られた薄膜を600℃にて30分間焼成した。
XRDにて評価を行ったところピークは現れず、XRFにて組成分析を行ったところ、In2W2Zn10O19(アモルファス)であった。
上記で得られた焼成膜の比抵抗を実施例1と同様の方法で測定したところ、8.0×106Ωcmであった。
ガラス基板上にゲート電極としてTiをパターニングし、その上に絶縁膜としてSiO2膜をCVDによって形成し、その上に上記C液を560rpmで一回塗布し、600℃で焼成してIn,W,Zn,Oを含む非晶質膜を得た。このとき、膜厚は95nmであった。その後、ソース・ドレイン電極としてTiをパターニングし、チャネル長50μm、チャネル幅200μmのTFTを作製した。作製したTFTは、ゲート電圧Vg=0Vのときドレイン電流Ids=2.4×10-11A(Vds=5.0V)、ゲート電圧Vg=5Vのときドレイン電流Ids=6.8×10-8Aであった。
(原料液の作製)
酢酸亜鉛2水和物2.2gを脱水エタノール中で93℃にて攪拌し、エタノールの一部を留去してジエチルアミノエタノールを加え、透明の液体(A液)を得た。ペンタエトキシモリブデン0.06gをジエチルアミノエタノールに溶かして透明の液体(B液)を得た。A液を60℃で攪拌し、そこへインジウムイソプロポキシド2.9gとB液を加えて攪拌し、170℃に昇温した後、さらに1時間攪拌してオレンジ色の液体(C液)を得た。C液のIn:Mo:Znの組成比は、ICP測定により1:0.02:0.9であった。
上記で得られたC液を石英基板上に1000rpmで1回塗布し、室温で乾燥させることにより成膜した。
上記で得られた薄膜を600℃にて30分間焼成した。
XRDにて評価を行ったところピークは現れず、XRFにて組成分析を行ったところ、In2Mo0.04Zn2O5(アモルファス)であった。
上記で得られた焼成膜の比抵抗を実施例1と同様の方法で測定したところ、3.5×106Ωcmであった。
ガラス基板上にゲート電極としてTiをパターニングし、その上に絶縁膜としてSiO2膜をCVDによって形成し、その上に上記C液をインクジェット法にて塗設し、600℃で焼成してIn,Mo,Zn,Oを含む非晶質膜を得た。このとき、膜厚は50nmであった。その後、ソース・ドレイン電極としてTiをパターニングし、チャネル長50μm、チャネル幅200μmのTFTを作製した。作製したTFTは、ゲート電圧Vg=0Vのときドレイン電流Ids=3.0×10-11A(Vds=5.0V)、ゲート電圧Vg=5Vのときドレイン電流Ids=4.1×10-8Aであった。
(原料液の作製)
酢酸亜鉛2水和物2.2gを脱水エタノール中で93℃にて攪拌し、エタノールの一部を留去してジエチルアミノエタノールを加え、透明の液体(A液)を得た。ガリウムイソプロポキシド2.5gをジエチルアミノエタノールに溶かして透明の液体(B液)を得た。A液を60℃で攪拌し、そこへインジウムイソプロポキシド2.9gとB液を加えて攪拌し、170℃に昇温した後、さらに1時間攪拌してオレンジ色の液体(C液)を得た。C液のIn:Ga:Znの組成比は、ICP測定により1:0.9:1であった。
上記で得られたC液を石英基板上に1250rpmで2回塗布し、室温で乾燥させることにより成膜した。
上記で得られた膜に対して、UVオゾン処理をした後にKrFエキシマレーザ248nmの光を照射した。200shot照射し、アッテネータを用いてサンプルに照射されるレーザパワーを調整した。レーザ照射パワーは129、162、203、256mJ/cm2とした。
XRD測定を行ったところ、レーザパワー129、162、203、256mJ/cm2ではInGaZnO4の回折ピークが得られ、結晶化していることがわかった。
上記の結晶化膜の比抵抗を実施例1と同様の方法で測定したところ、レーザパワー129、162、203、256mJ/cm2では、それぞれ5.4、15、2.3、5.1Ωcmであった。
上記の結晶化膜に対して、後処理として150℃で30分加熱した。その結果、比抵抗はレーザパワー129、162、203、256mJ/cm2でそれぞれ6.7、2.0×102、6.4、19Ωcmまでしか回復しなかった。その後さらに200℃で30分加熱したが、比抵抗はレーザパワー129、162、203、256mJ/cm2で、それぞれ29、1.5×103、77、20Ωcmまでしか回復しなかった。
PEN基板上にTiでゲート電極を形成し、次いで絶縁膜としてSiO2膜をCVDにより形成し、上記C液を1250rpmで2回塗布し、乾燥させたのちUVオゾン処理をしてKrFエキシマレーザ248nm(レーザパワー203mJ/cm2、200shot)を照射した。その後150℃で30分加熱してInGaZnO4膜を得た。このとき、InGaZnO4膜厚は90nmであった。その後、ソース・ドレイン電極としてTiをパターニングし、チャネル長50μm、チャネル幅200μmのTFTを作製した。作製したTFTは、ゲート電圧Vg=0Vのときドレイン電流Ids=1.7×10-6A(Vds=5.0V)、ゲート電圧Vg=5Vのときドレイン電流Ids=6.4×10-3Aであった。
2 ゲート電極
3 ゲート絶縁膜
4 半導体膜
5 ソース電極
6 ドレイン電極
10 半導体デバイス
Claims (3)
- 一般式NaMbQcOd(式中NはZnまたはMg、MはTi、WまたはMo、QはInまたはFeであり、a,b,c,dは正の実数である)で表される無機膜であって、該無機膜の比抵抗が5.0×10 4 Ωcm以上1.0×10 8 Ωcm以下であることを特徴とする無機膜。
- 請求項1記載の無機膜を半導体層として備えたことを特徴とする半導体デバイス。
- 基板が可撓性樹脂基板であることを特徴とする請求項2記載の半導体デバイス。
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