JP2012009845A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. ゲート電極と、
   酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層と接する領域を有する、ソース電極及びドレイン電極と、
   前記ゲート電極及び前記酸化物半導体層の間に設けられたゲート絶縁層と、
   前記酸化物半導体層を介して、前記ゲート絶縁層と対向する側に設けられた絶縁層と、を有し、
   前記絶縁層は、前記酸化物半導体層と接する領域を有し、
   前記絶縁層は、水素濃度が６×１０ ^２０ ａｔｏｍｓ／ｃｍ ^３ 未満である領域を有することを特徴とする半導体装置。
2. ゲート電極と、
   酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層と接する領域を有する、ソース電極及びドレイン電極と、
   前記ゲート電極及び前記酸化物半導体層の間に設けられたゲート絶縁層と、
   前記酸化物半導体層を介して、前記ゲート絶縁層と対向する側に設けられた絶縁層と、を有し、
   前記絶縁層は、前記酸化物半導体層と接する領域を有し、
   前記絶縁層は、水素濃度が６×１０ ^２０ ａｔｏｍｓ／ｃｍ ^３ 未満である領域を有し、
   前記ゲート絶縁層は、水素濃度が６×１０ ^２０ ａｔｏｍｓ／ｃｍ ^３ 未満である領域を有することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記絶縁層は、酸化物絶縁層であることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１または請求項２において、
   前記絶縁層は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、または酸化タンタルを含むことを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記ゲート絶縁層は、酸化物絶縁層であることを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記ゲート絶縁層は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、または酸化タンタルを含むことを特徴とする半導体装置。