JP2012033913A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. ゲート電極と、
   酸化物半導体層と、
   前記ゲート電極と前記酸化物半導体層とに挟まれている領域を有するゲート絶縁層と、
   前記酸化物半導体層と電気的に接続されているソース電極と、
   前記酸化物半導体層と電気的に接続されているドレイン電極と、
   前記酸化物半導体層と接する領域を有する絶縁層と、を有し、
   前記酸化物半導体層は、前記ゲート絶縁層と前記絶縁層とに挟まれている領域を有し、
   前記絶縁層は、ハロゲン元素の濃度が１×１０ ^１９ ａｔｏｍｓ／ｃｍ ^３ 以上である領域を有することを特徴とする半導体装置。
2. ゲート電極と、
   酸化物半導体層と、
   前記ゲート電極と前記酸化物半導体層とに挟まれている領域を有するゲート絶縁層と、
   前記酸化物半導体層と電気的に接続されているソース電極と、
   前記酸化物半導体層と電気的に接続されているドレイン電極と、
   前記酸化物半導体層と接する領域を有する絶縁層と、を有し、
   前記酸化物半導体層は、前記ゲート絶縁層と前記絶縁層とに挟まれている領域を有し、
   前記絶縁層は、フッ素の濃度が１×１０ ^１９ ａｔｏｍｓ／ｃｍ ^３ 以上である領域を有することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記絶縁層は、水素濃度が６×１０ ^２０ ａｔｏｍｓ／ｃｍ ^３ 以下である領域を有することを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   前記ゲート絶縁層は、ハロゲン元素の濃度が１×１０ ^１９ ａｔｏｍｓ／ｃｍ ^３ 以上である領域を有することを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   前記ゲート絶縁層は、フッ素の濃度が１×１０ ^１９ ａｔｏｍｓ／ｃｍ ^３ 以上である領域を有することを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
   前記ゲート絶縁層は、水素濃度が６×１０ ^２０ ａｔｏｍｓ／ｃｍ ^３ 以下である領域を有することを特徴とする半導体装置。