JP2014232869A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. 絶縁層上の第１の酸化物層と、
   前記第１の酸化物層上の電極と、
   前記電極の下面に接する第２の酸化物層と、
   前記第１の酸化物層とゲート絶縁層を介して重なるゲート電極と、を有し、
   前記絶縁層は酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンを含み、
   前記電極は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、ＭｏまたはＷを含み、
   前記第２の酸化物層は、前記第１の酸化物層が含有する金属元素を一以上含み、
   前記電極及び前記第２の酸化物層は、上面から見て前記第１の酸化物層よりも外側に延在することを特徴とする半導体装置。
2. 絶縁層上の第１の酸化物層と、
   前記第１の酸化物層上の電極と、
   前記電極の下面に接する第２の酸化物層と、
   前記第１の酸化物層とゲート絶縁層を介して重なるゲート電極と、を有し、
   前記絶縁層は酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンを含み、
   前記電極は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、ＭｏまたはＷを含み、
   前記第２の酸化物層は、前記第１の酸化物層が含有する金属元素を一以上含み、
   前記電極及び前記第２の酸化物層は、上面から見て前記第１の酸化物層よりも外側に延在し、
   前記電極と前記第２の酸化物層とは、上面形状が概略一致することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記第１の酸化物層及び前記第２の酸化物層は、Ｉｎを含み、
   前記第２の酸化物層におけるＩｎの含有割合は、前記第１の酸化物層におけるＩｎの含有割合よりも高いことを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   前記第２の酸化物層は、Ｉｎ及びＭ（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、ＮｄまたはＨｆ）を含み、
   前記第２の酸化物層における元素Ｍの含有割合が、Ｉｎの含有割合以下であることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
   前記第２の酸化物層は、ｃ軸配向した結晶部を有することを特徴とする半導体装置。