JP2016021563A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (3)

1. 第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜上の第３の絶縁膜と、を有し、
   前記第２の絶縁膜は、酸素と、シリコンと、を有し、
   前記第３の絶縁膜は、窒素と、シリコンと、を有し、
   前記第２の絶縁膜と、前記第３の絶縁膜との界面近傍にインジウムを有する、ことを特徴とする半導体装置。
2. ゲート電極と、
   前記ゲート電極上の第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜上の前記酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜に電気的に接続されるソース電極と、
   前記酸化物半導体膜に電気的に接続されるドレイン電極と、
   前記酸化物半導体膜、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極上の第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜上の第３の絶縁膜と、を有し、
   前記第２の絶縁膜は、酸素と、シリコンと、を有し、
   前記第３の絶縁膜は、窒素と、シリコンと、を有し、
   前記第２の絶縁膜と、前記第３の絶縁膜との界面近傍にインジウムを有する、ことを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記酸化物半導体膜は、
   酸素と、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｍ（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、またはＨｆ）と、を有する、ことを特徴とする半導体装置。