JP2016213454A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (4)

1. 第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有する半導体装置であって、
   前記第１のトランジスタは、
   第１のゲート電極と、
   前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜上の第１の酸化物半導体膜と、
   前記第１の酸化物半導体膜に電気的に接続されるソース電極と、
   前記第１の酸化物半導体膜に電気的に接続されるドレイン電極と、
   前記第１の酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜上の第２のゲート電極として機能する第２の酸化物半導体膜と、
   前記第２の酸化物半導体膜上の第３の絶縁膜と、を有し、
   前記第２のトランジスタは、
   前記第２の絶縁膜上の、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を含む第３の酸化物半導体膜と、
   前記チャネル領域上の第４の絶縁膜と、
   前記第４の絶縁膜上の第３のゲート電極と、
   前記ソース領域、及び前記ドレイン領域上の前記第３の絶縁膜と、を有する半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記第１の酸化物半導体膜、前記第２の酸化物半導体膜、及び前記第３の酸化物半導体膜は、それぞれＩｎと、Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）と、Ｚｎと、を有する半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第１の酸化物半導体膜、前記第２の酸化物半導体膜、及び前記第３の酸化物半導体膜の少なくともいずれか一つは、多層構造を有する半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   前記第１の酸化物半導体膜、前記第２の酸化物半導体膜、及び前記第３の酸化物半導体膜の少なくともいずれか一つは、
   結晶部を有し、
   前記結晶部は、ｃ軸配向性を有する半導体装置。