JP2016213454A - 半導体装置、該半導体装置の作製方法、または該半導体装置を有する表示装置 - Google Patents
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- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78684—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising semiconductor materials of Group IV not being silicon, or alloys including an element of the group IV, e.g. Ge, SiN alloys, SiC alloys
- H01L29/78687—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising semiconductor materials of Group IV not being silicon, or alloys including an element of the group IV, e.g. Ge, SiN alloys, SiC alloys with a multilayer structure or superlattice structure
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Abstract
【解決手段】第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、を有する半導体装置であって、第1のトランジスタは、第1のゲート電極と、第1のゲート電極上の第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜上の第1の酸化物半導体膜と、第1の酸化物半導体膜に電気的に接続されるソース電極と、第1の酸化物半導体膜に電気的に接続されるドレイン電極と、第1の酸化物半導体膜上の第2の絶縁膜と、第2の絶縁膜上の第2のゲート電極として機能する第2の酸化物半導体膜と、第2の酸化物半導体膜上の第3の絶縁膜と、を有し、第2のトランジスタは、第2の絶縁膜上の、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を含む第3の酸化物半導体膜と、チャネル領域上の第4の絶縁膜と、第4の絶縁膜上の第3のゲート電極と、ソース領域、及びドレイン領域上の第3の絶縁膜と、を有する。
【選択図】図1
Description
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置及び半導体装置の作製方法について、図1乃至図22を参照して説明する。
図1(A)は、本発明の一態様の半導体装置であるトランジスタ100、150の上面図であり、図1(B)は、図1(A)に示す一点鎖線X1−X2間における切断面の断面図に相当する。また、図2(A)は、図1(A)に示す一点鎖線Y1−Y2間における切断面の断面図に相当し、図2(B)は図1(A)に示す一点鎖線Y3−Y4間における切断面の断面図に相当する。
トランジスタ100は、基板102上の導電膜104と、基板102及び導電膜104上の絶縁膜106と、絶縁膜106上の絶縁膜107と、絶縁膜107上の酸化物半導体膜108と、酸化物半導体膜108に電気的に接続される導電膜112aと、酸化物半導体膜108に電気的に接続される導電膜112bと、酸化物半導体膜108、導電膜112a、及び112b上の絶縁膜114、116と、絶縁膜116上の酸化物半導体膜120aと、絶縁膜116及び酸化物半導体膜120a上の絶縁膜118と、を有する。
トランジスタ150は、絶縁膜116上のチャネル領域120b_i、ソース領域120b_s、及びドレイン領域120b_dを含む酸化物半導体膜120bと、チャネル領域120b_i上の絶縁膜152と、絶縁膜152上の導電膜154と、ソース領域120b_s、及びドレイン領域120b_d上の絶縁膜118と、を有する。また、絶縁膜118上には絶縁膜156が設けられる。また、絶縁膜118、156には、ソース領域120b_sに達する開口部171aと、ドレイン領域120b_dに達する開口部171bが設けられる。また、開口部171a、171bを覆うように絶縁膜156上には導電膜158a、158bが設けられる。
以下に、本実施の形態の半導体装置に含まれる構成要素について、詳細に説明する。
基板102の材質などに大きな制限はないが、少なくとも、後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有している必要がある。例えば、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイア基板等を、基板102として用いてもよい。また、シリコンや炭化シリコンを材料とした単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、SOI基板等を適用することも可能であり、これらの基板上に半導体素子が設けられたものを、基板102として用いてもよい。なお、基板102として、ガラス基板を用いる場合、第6世代(1500mm×1850mm)、第7世代(1870mm×2200mm)、第8世代(2200mm×2400mm)、第9世代(2400mm×2800mm)、第10世代(2950mm×3400mm)等の大面積基板を用いることで、大型の表示装置を作製することができる。
ゲート電極として機能する導電膜104、ソース電極として機能する導電膜112a、ドレイン電極として機能する導電膜112b、ソース電極として機能する導電膜158a、及びドレイン電極として機能する導電膜158bとしては、クロム(Cr)、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、金(Au)、銀(Ag)、亜鉛(Zn)、モリブデン(Mo)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)、タングステン(W)、マンガン(Mn)、ニッケル(Ni)、鉄(Fe)、コバルト(Co)から選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いてそれぞれ形成することができる。
トランジスタ100のゲート絶縁膜として機能する絶縁膜106、107としては、プラズマ化学気相堆積(PECVD:(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition))法、スパッタリング法等により、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜および酸化ネオジム膜を一種以上含む絶縁層を、それぞれ用いることができる。なお、絶縁膜106、107の積層構造とせずに、上述の材料から選択された単層の絶縁膜、または3層以上の絶縁膜を用いてもよい。
酸化物半導体膜108としては、先に示す材料を用いることができる。
絶縁膜114、116は、トランジスタ100の第2のゲート絶縁膜として機能する。また、絶縁膜114、116は、トランジスタ150の下地絶縁膜として機能する。また、絶縁膜114、116は、酸化物半導体膜108、120bに酸素を供給する機能を有する。すなわち、絶縁膜114、116は、酸素を有する。また、絶縁膜114は、酸素を透過することのできる絶縁膜である。なお、絶縁膜114は、後に形成する絶縁膜116を形成する際の、酸化物半導体膜108へのダメージ緩和膜としても機能する。
酸化物半導体膜120a、及び酸化物半導体膜120bとしては、先に記載の酸化物半導体膜108と同様の材料、及び同様の作製方法を用いて形成することができる。
絶縁膜118は、トランジスタ100の保護絶縁膜として機能する。また、絶縁膜118は、トランジスタ150のソース領域120b_s、及びドレイン領域120b_dと、接し、ソース領域120b_s、及びドレイン領域120b_dに不純物を供給する機能を有する。
次に、図1(A)(B)、及び図2(A)(B)に示す構成と異なる構成について、図3乃至図10を用いて説明する。
トランジスタ100Aは、先に示すトランジスタ100に開口部132が設けられている点が異なる。それ以外の構成については、トランジスタ100と同様であり、同様の効果を奏する。以下では、トランジスタ100と異なる構成について説明する。
トランジスタ100Bは、先に示すトランジスタ100と、酸化物半導体膜108の構成が異なる。それ以外の構成については、トランジスタ100と同様であり、同様の効果を奏する。以下では、トランジスタ100と異なる構成について説明する。
トランジスタ100Cは、先に示すトランジスタ100と、絶縁膜114、116が設けられる位置と、絶縁膜162が設けられる点が異なる。それ以外の構成については、トランジスタ100と同様であり、同様の効果を奏する。
<1−4.半導体装置の構成例3>
次に、図1(A)(B)、及び図2(A)(B)に示す構成と異なる構成について、図11乃至図13を用いて説明する。
図11(A)(B)、及び図13(A)に示すトランジスタ150Aは、基板102上の導電膜104aと、基板102及び導電膜104a上の絶縁膜106、107と、絶縁膜106、107上の絶縁膜114、116と、絶縁膜116上のチャネル領域120b_i、ソース領域120b_s、及びドレイン領域120b_dを含む酸化物半導体膜120bと、チャネル領域120b_i上の絶縁膜152と、絶縁膜152上のゲート電極として機能する導電膜154と、ソース領域120b_s、及びドレイン領域120b_d上の絶縁膜118と、を有する。また、絶縁膜118上には絶縁膜156が設けられる。また、絶縁膜118、156には、ソース領域120b_sに達する開口部171aと、ドレイン領域120b_dに達する開口部171bが設けられる。また、開口部171a、171bを覆うように絶縁膜156上には導電膜158a、158bが設けられる。
図12(A)(B)、及び図13(B)に示すトランジスタ150Bは、基板102上の絶縁膜106、107と、絶縁膜107上の導電膜112cと、絶縁膜107、及び導電膜112c上の絶縁膜114、116と、絶縁膜116上のチャネル領域120b_i、ソース領域120b_s、及びドレイン領域120b_dを含む酸化物半導体膜120bと、チャネル領域120b_i上の絶縁膜152と、絶縁膜152上のゲート電極として機能する導電膜154と、ソース領域120b_s、及びドレイン領域120b_d上の絶縁膜118と、を有する。また、絶縁膜118上には絶縁膜156が設けられる。また、絶縁膜118、156には、ソース領域120b_sに達する開口部171aと、ドレイン領域120b_dに達する開口部171bが設けられる。また、開口部171a、171bを覆うように絶縁膜156上には導電膜158a、158bが設けられる。
次に、本発明の一態様の半導体装置であるトランジスタ100、及びトランジスタ150の作製方法について、図14乃至図22を用いて説明する。なお、図14乃至図22は、半導体装置の作製方法を示す、チャネル長方向の断面図である。
次に、本発明の一態様の半導体装置について、先に示す構成と異なる構成について説明する。なお、ここでは、トランジスタ100、及びトランジスタ150と、同じ製造工程で作製可能な容量素子について、図23及び図24を用いて説明する。なお、図23(A)(B)(C)は、半導体装置を説明する断面図であり、図24(A)(B)(C)は、半導体装置を説明する断面図である。また、図23及び図24に示す半導体装置は、一対の電極間に誘電体膜が挟持された所謂、積層型の容量素子である。
本実施の形態においては、酸化物半導体の構造等について、図26乃至図30を参照して説明する。
酸化物半導体は、単結晶酸化物半導体と、それ以外の非単結晶酸化物半導体と、に分けられる。非単結晶酸化物半導体としては、CAAC−OS(c−axis−aligned crystalline oxide semiconductor)、多結晶酸化物半導体、nc−OS(nanocrystalline oxide semiconductor)、擬似非晶質酸化物半導体(a−like OS:amorphous−like oxide semiconductor)および非晶質酸化物半導体などがある。
まずは、CAAC−OSについて説明する。
次に、nc−OSについて説明する。
a−like OSは、nc−OSと非晶質酸化物半導体との間の構造を有する酸化物半導体である。
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置を有する表示装置について、図31乃至図35を用いて説明する。なお、本実施の形態においては、表示装置の表示素子として、液晶素子を有する構成(液晶表示装置)について、具体的に説明する。
図31(A)に示す液晶表示装置880は、画素部871と、ゲートドライバ874と、ソースドライバ876と、各々が平行または略平行に配設され、且つゲートドライバ874によって電位が制御されるm本の走査線877と、各々が平行または略平行に配設され、且つソースドライバ876によって電位が制御されるn本の信号線879と、を有する。さらに、画素部871はマトリクス状に配設された複数の画素870を有する。また、信号線879に沿って、各々が平行または略平行に配設されたコモン線875を有する。また、ゲートドライバ874及びソースドライバ876をまとめて駆動回路部という場合がある。
まず、横電界モードの液晶表示装置、代表的にはFFSモード及びIPSモードの液晶表示装置について説明する。
次に、液晶表示装置880に含まれる素子基板の具体的な構成について説明する。まず、FFSモードによって駆動する液晶表示装置880が有する複数の画素870a、870b、870cの上面図を図32(A)に示す。
次に、垂直配向(VA:Vertical Alignment)モードで動作する液晶素子を有する画素の構成について、図33乃至図35を用いて説明する。図33は液晶表示装置が有する画素の上面図であり、図34は図33に示す、一点鎖線Z1−Z2における切断面の断面図に相当する。また、図35は、液晶表示装置が有する画素の等価回路図である。
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置、及び当該半導体装置を有する表示装置について、図36乃至図39を用いて説明を行う。なお、本実施の形態においては、表示装置の表示素子として、発光素子(特にエレクトロルミネセンス(EL)素子)を有する構成について、具体的に説明する。
図36(A)に示す表示装置は、表示素子の画素を有する領域(以下、画素部502という)と、画素部502の外側に配置され、画素を駆動するための回路を有する回路部(以下、駆動回路部504という)と、トランジスタまたは発光素子の温度を補正するための回路部(以下、センサ回路部508という)と、素子の保護機能を有する回路(以下、保護回路部506という)と、端子部507と、を有する。なお、センサ回路部508、及び保護回路部506は、設けない構成としてもよい。
保護回路部506としては、図37(A)に示す構成とすることができる。
センサ回路部508は、図38に示す構成とすることができる。
図36(A)に示す複数の画素回路501は、例えば、図36(B)に示す構成とすることができる。
ここで、図36(B)に示す画素回路を有する表示装置の一例について、図39(A)(B)を用いて説明する。図39(A)は、表示装置の画素部の上面図であり、図39(B)は図39(A)に示す一点鎖線X1−X2間の断面図である。なお、図39(A)において、図面の煩雑さをさけるために、構成要素の一部を省略して図示している。
本実施の形態においては、本発明の一態様の半導体装置を有する表示装置、及び該表示装置に入力装置を取り付けた電子機器について、図40乃至図47を用いて説明を行う。
なお、本実施の形態において、電子機器の一例として、表示装置と、入力装置とを合わせたタッチパネル2000について説明する。また、入力装置の一例として、タッチセンサを用いる場合について説明する。
次に、図43(A)(B)を用いて、表示装置2501の詳細について説明する。図43(A)(B)は、図40(B)に示す一点鎖線X1−X2間の断面図に相当する。
まず、表示素子としてEL素子を用いる構成について、図43(A)を用いて以下説明を行う。なお、以下の説明においては、白色の光を射出するEL素子を適用する場合について説明するが、EL素子はこれに限定されない。例えば、隣接する画素毎に射出する光の色が異なるように、発光色が異なるEL素子を適用してもよい。
次に、表示素子として、液晶素子を用いる構成について、図43(B)を用いて以下説明を行う。なお、以下の説明においては、外光を反射して表示する反射型の液晶表示装置について説明するが、液晶表示装置はこれに限定されない。例えば、光源(バックライト、サイドライト等)を設けて、透過型の液晶表示装置、または反射型と透過型の両方の機能を備える液晶表示装置としてもよい。
次に、図44を用いて、タッチセンサ2595の詳細について説明する。図44は、図40(B)に示す一点鎖線X3−X4間の断面図に相当する。
次に、図45を用いて、タッチパネル2000の詳細について説明する。図45は、図40(A)に示す一点鎖線X5−X6間の断面図に相当する。
次に、タッチパネルの駆動方法の一例について、図46を用いて説明を行う。
また、図46(A)ではタッチセンサとして配線の交差部に容量2603のみを設けるパッシブ型のタッチセンサの構成を示したが、トランジスタと容量とを有するアクティブ型のタッチセンサとしてもよい。アクティブ型のタッチセンサに含まれるセンサ回路の一例を図47に示す。
本実施の形態においては、表示素子として横電界モード(水平電界モードともいう)の液晶素子を用いる表示装置について、図48を用いて説明する。
CAAC−OSをトランジスタに用いる場合について説明する。まず、スパッタリング装置(SP)にてゲート電極(GE:Gate Electrode)を形成する。なお、ゲート電極を加工する際に、マスクを1枚使用する。
LTPSをトランジスタに用いる場合について説明する。まず、スパッタリング装置を用いて遮光膜を形成する。なお、遮光膜を加工する際に、マスクを1枚使用する。
a−Si:Hをトランジスタに用いる場合について説明する。まず、スパッタリング装置を用いて、ゲート電極(GE)を形成する。なお、ゲート電極を加工する際に、マスクを1枚使用する。
本実施の形態においては、本発明の一態様の半導体装置を有する表示装置、及び当該表示装置の駆動方法について、図49乃至図52を用いて説明を行う。
ここで、本発明の一態様の表示装置の駆動方法について、図51を用いて説明する。
以下では、2つの異なるイメージ情報を含む画像を移動させて表示する例について示す。
次に、表示ウィンドウの大きさよりも大きな文書情報をスクロールさせて表示する例について説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置を有する表示モジュール、電子機器、及び表示装置について、図53乃至図55を用いて説明を行う。
図53に示す表示モジュール8000は、上部カバー8001と下部カバー8002との間に、FPC8003に接続されたタッチパネル8004、FPC8005に接続された表示パネル8006、バックライト8007、フレーム8009、プリント基板8010、バッテリ8011を有する。
図54(A)乃至図54(G)は、電子機器を示す図である。これらの電子機器は、筐体9000、表示部9001、スピーカ9003、操作キー9005(電源スイッチ、又は操作スイッチを含む)、接続端子9006、センサ9007(力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの)、マイクロフォン9008、等を有することができる。
100A トランジスタ
100B トランジスタ
100C トランジスタ
102 基板
104 導電膜
104a 導電膜
104b 導電膜
106 絶縁膜
107 絶縁膜
108 酸化物半導体膜
108a 酸化物半導体膜
108a_0 酸化物半導体膜
108b 酸化物半導体膜
108b_ 酸化物半導体膜
108b_0 酸化物半導体膜
108c 酸化物半導体膜
112 導電膜
112a 導電膜
112b 導電膜
112c 導電膜
112d 導電膜
112e 導電膜
114 絶縁膜
116 絶縁膜
118 絶縁膜
120 酸化物半導体膜
120a 酸化物半導体膜
120b 酸化物半導体膜
120b_d ドレイン領域
120b_i チャネル領域
120b_s ソース領域
120c 酸化物半導体膜
132 開口部
150 トランジスタ
150A トランジスタ
150B トランジスタ
152 絶縁膜
152_0 絶縁膜
152a 開口部
152d 開口部
154 導電膜
154_0 導電膜
156 絶縁膜
158_0 導電膜
158a 導電膜
158b 導電膜
158c 導電膜
162 絶縁膜
171a 開口部
171b 開口部
173a 開口部
173b 開口部
191 ターゲット
192 プラズマ
193 ターゲット
194 プラズマ
195 マスク
450 表示部
451 ウィンドウ
452a 画像
452b 画像
453 ボタン
455 ウィンドウ
456 文書情報
457 スクロールバー
501 画素回路
502 画素部
504 駆動回路部
504a ゲートドライバ
504b ソースドライバ
506 保護回路部
507 端子部
508 センサ回路部
510 トランジスタ
512 抵抗素子
532 基板
542a 電極
542b 電極
544 絶縁膜
546 絶縁膜
548 絶縁膜
550 酸化物半導体膜
552 トランジスタ
554 トランジスタ
556 トランジスタ
558 抵抗素子
562 容量素子
572 発光素子
572m 発光素子
702 基板
704 導電膜
706 絶縁膜
707 絶縁膜
708 酸化物半導体膜
712a 導電膜
712b 導電膜
712c 導電膜
714 絶縁膜
716 絶縁膜
718 絶縁膜
720 酸化物半導体膜
722 絶縁膜
724a 導電膜
724b 導電膜
726 構造体
728 EL層
730 導電膜
752a 開口部
752b 開口部
752c 開口部
802 基板
803 基板
806 絶縁膜
807 絶縁膜
814 絶縁膜
816 絶縁膜
819a 酸化物半導体膜
820 酸化物半導体膜
820d ドレイン領域
820i チャネル領域
820s ソース領域
824 導電膜
829 導電膜
832 絶縁膜
834 絶縁膜
836 絶縁膜
838 絶縁膜
840 絶縁膜
843 導電膜
843a 導電膜
843b 導電膜
843c 導電膜
846 スリット
848 配向膜
848a 導電膜
848b 導電膜
851 液晶素子
851a 液晶素子
851b 液晶素子
852 トランジスタ
852a トランジスタ
852b トランジスタ
855 容量素子
855a 容量素子
866 着色膜
868 導電膜
869 構造体
870 画素
870a 画素
870b 画素
870c 画素
871 画素部
872 スリット
874 ゲートドライバ
875 コモン線
876 ソースドライバ
877 走査線
878 配向膜
879 信号線
880 液晶表示装置
881 液晶層
904 導電膜
906 絶縁膜
907 絶縁膜
912 導電膜
914 絶縁膜
916 絶縁膜
918 絶縁膜
920 酸化物半導体膜
930a 開口部
930b 開口部
940 絶縁膜
942 シール材
944 異方性導電膜
956 絶縁膜
958 導電膜
2000 タッチパネル
2501 表示装置
2502t トランジスタ
2503c 容量素子
2503t トランジスタ
2504 走査線駆動回路
2505 画素
2509 FPC
2510 基板
2510a 絶縁層
2510b 可撓性基板
2510c 接着層
2511 配線
2519 配線
2521 絶縁層
2522 絶縁層
2528 隔壁
2529 液晶層
2530a スペーサ
2530b スペーサ
2531 絶縁層
2550 EL素子
2551 液晶素子
2560 封止層
2561 シール材
2567 着色層
2568 遮光層
2569 反射防止層
2570 基板
2570a 絶縁層
2570b 可撓性基板
2570c 接着層
2580 発光モジュール
2590 基板
2591 電極
2592 電極
2593 絶縁層
2594 配線
2595 タッチセンサ
2597 接着層
2598 配線
2599 接続層
2601 パルス電圧出力回路
2602 電流検出回路
2603 容量
2611 トランジスタ
2612 トランジスタ
2613 トランジスタ
2621 電極
2622 電極
8000 表示モジュール
8001 上部カバー
8002 下部カバー
8003 FPC
8004 タッチパネル
8005 FPC
8006 表示パネル
8007 バックライト
8008 光源
8009 フレーム
8010 プリント基板
8011 バッテリ
9000 筐体
9001 表示部
9003 スピーカ
9005 操作キー
9006 接続端子
9007 センサ
9008 マイクロフォン
9050 操作ボタン
9051 情報
9052 情報
9053 情報
9054 情報
9055 ヒンジ
9100 携帯情報端末
9101 携帯情報端末
9102 携帯情報端末
9200 携帯情報端末
9201 携帯情報端末
9500 表示装置
9501 表示パネル
9502 表示領域
9503 領域
9511 軸部
9512 軸受部
Claims (16)
- 第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、を有する半導体装置であって、
前記第1のトランジスタは、
第1のゲート電極と、
前記第1のゲート電極上の第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上の第1の酸化物半導体膜と、
前記第1の酸化物半導体膜に電気的に接続されるソース電極と、
前記第1の酸化物半導体膜に電気的に接続されるドレイン電極と、
前記第1の酸化物半導体膜上の第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上の第2のゲート電極として機能する第2の酸化物半導体膜と、
前記第2の酸化物半導体膜上の第3の絶縁膜と、を有し、
前記第2のトランジスタは、
前記第2の絶縁膜上の、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を含む第3の酸化物半導体膜と、
前記チャネル領域上の第4の絶縁膜と、
前記第4の絶縁膜上の第3のゲート電極と、
前記ソース領域、及び前記ドレイン領域上の前記第3の絶縁膜と、を有する、
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、
前記第1の酸化物半導体膜、前記第2の酸化物半導体膜、及び前記第3の酸化物半導体膜は、それぞれInと、M(MはAl、Ga、Y、またはSn)と、Znと、を有する、
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1または請求項2において、
前記第1の酸化物半導体膜、前記第2の酸化物半導体膜、及び前記第3の酸化物半導体膜の少なくともいずれか一つは、多層構造を有する、
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
前記第1の酸化物半導体膜、前記第2の酸化物半導体膜、及び前記第3の酸化物半導体膜の少なくともいずれか一つは、
結晶部を有し、
前記結晶部は、c軸配向性を有する、
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、
前記第1のゲート電極と、前記第2のゲート電極と、は電気的に接続されている、
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、
前記第2のトランジスタは、
さらに、前記ソース領域に電気的に接続されるソース電極と、
前記ドレイン領域に電気的に接続されるドレイン電極と、を有する、
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、
前記第3の絶縁膜は、
水素及び窒素のいずれか一方または双方を有する、
ことを特徴とする半導体装置。 - 駆動回路部と、画素部と、を有する表示装置であって、
前記駆動回路部は、第1のトランジスタを有し、
前記画素部は、第2のトランジスタを有し、
前記第1のトランジスタは、
第1のゲート電極と、
前記第1のゲート電極上の第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上の第1の酸化物半導体膜と、
前記第1の酸化物半導体膜に電気的に接続されるソース電極と、
前記第1の酸化物半導体膜に電気的に接続されるドレイン電極と、
前記第1の酸化物半導体膜上の第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上の第2のゲート電極として機能する第2の酸化物半導体膜と、
前記第2の酸化物半導体膜上の第3の絶縁膜と、を有し、
前記第2のトランジスタは、
前記第2の絶縁膜上の、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を含む第3の酸化物半導体膜と、
前記チャネル領域上の第4の絶縁膜と、
前記第4の絶縁膜上の第3のゲート電極と、
前記ソース領域、及び前記ドレイン領域上の前記第3の絶縁膜と、を有する、
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項8において、
前記第1の酸化物半導体膜、前記第2の酸化物半導体膜、及び前記第3の酸化物半導体膜は、それぞれInと、M(MはAl、Ga、Y、またはSn)と、Znと、を有する、
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項8または請求項9において、
前記第1の酸化物半導体膜、前記第2の酸化物半導体膜、及び前記第3の酸化物半導体膜の少なくともいずれか一つは、多層構造を有する、
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項8乃至請求項9のいずれか一項において、
前記第1の酸化物半導体膜、前記第2の酸化物半導体膜、及び前記第3の酸化物半導体膜の少なくともいずれか一つは、
結晶部を有し、
前記結晶部は、c軸配向性を有する、
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項8において、
前記第1のゲート電極と、前記第2のゲート電極と、は電気的に接続されている、
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項8において、
前記第2のトランジスタは、
さらに、前記ソース領域に電気的に接続されるソース電極と、
前記ドレイン領域に電気的に接続されるドレイン電極と、を有する、
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項8において、
前記第3の絶縁膜は、
水素及び窒素のいずれか一方または双方を有する、
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項8乃至請求項14のいずれか一項に記載の表示装置と、
タッチセンサと、を有する、
ことを特徴とする表示モジュール。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の半導体装置、請求項8乃至請求項14のいずれか一項に記載の表示装置、または請求項15に記載の表示モジュールと、
操作キーまたはバッテリと、を有する、
ことを特徴とする電子機器。
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Cited By (2)
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US11476314B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-10-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device and production method for display device |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9852926B2 (en) | 2015-10-20 | 2017-12-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method for semiconductor device |
CN113327948A (zh) | 2015-12-28 | 2021-08-31 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置、包括该半导体装置的显示装置 |
CN105575893A (zh) * | 2016-01-05 | 2016-05-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法和显示装置 |
JP2017143135A (ja) * | 2016-02-09 | 2017-08-17 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 薄膜トランジスタ |
US10333004B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-06-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, semiconductor wafer, module and electronic device |
US10032918B2 (en) | 2016-04-22 | 2018-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
CN107623042A (zh) * | 2017-09-21 | 2018-01-23 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 薄膜晶体管结构及其制作方法 |
CN110010626B (zh) | 2019-04-11 | 2022-04-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN110707105A (zh) * | 2019-10-23 | 2020-01-17 | 成都中电熊猫显示科技有限公司 | 阵列基板的制作方法及阵列基板 |
KR20210130280A (ko) * | 2020-04-20 | 2021-11-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008085053A (ja) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置の製造方法および表示装置 |
JP2013175716A (ja) * | 2012-01-26 | 2013-09-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2013229588A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-11-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体素子、半導体装置および半導体素子の作製方法 |
JP2013243349A (ja) * | 2012-04-25 | 2013-12-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2014027263A (ja) * | 2012-06-15 | 2014-02-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
Family Cites Families (149)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
WO1997006554A2 (en) | 1995-08-03 | 1997-02-20 | Philips Electronics N.V. | Semiconductor device provided with transparent switching element |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
WO2003040441A1 (en) | 2001-11-05 | 2003-05-15 | Japan Science And Technology Agency | Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
US7049190B2 (en) | 2002-03-15 | 2006-05-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
JP2005158493A (ja) | 2003-11-26 | 2005-06-16 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置および電子機器 |
KR101078509B1 (ko) | 2004-03-12 | 2011-10-31 | 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 | 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
CA2585071A1 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor employing an amorphous oxide |
CN102938420B (zh) | 2004-11-10 | 2015-12-02 | 佳能株式会社 | 无定形氧化物和场效应晶体管 |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
WO2006051994A2 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI472037B (zh) | 2005-01-28 | 2015-02-01 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
TWI569441B (zh) | 2005-01-28 | 2017-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
WO2006105077A2 (en) | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
EP1995787A3 (en) | 2005-09-29 | 2012-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method therof |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
CN101707212B (zh) | 2005-11-15 | 2012-07-11 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
EP1843194A1 (en) | 2006-04-06 | 2007-10-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device, semiconductor device, and electronic appliance |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
US7920129B2 (en) | 2007-01-03 | 2011-04-05 | Apple Inc. | Double-sided touch-sensitive panel with shield and drive combined layer |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
CN101663762B (zh) | 2007-04-25 | 2011-09-21 | 佳能株式会社 | 氧氮化物半导体 |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
KR101375831B1 (ko) | 2007-12-03 | 2014-04-02 | 삼성전자주식회사 | 산화물 반도체 박막 트랜지스터를 이용한 디스플레이 장치 |
US8202365B2 (en) | 2007-12-17 | 2012-06-19 | Fujifilm Corporation | Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film |
JP4555358B2 (ja) | 2008-03-24 | 2010-09-29 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜電界効果型トランジスタおよび表示装置 |
JP4816668B2 (ja) | 2008-03-28 | 2011-11-16 | ソニー株式会社 | タッチセンサ付き表示装置 |
KR100941850B1 (ko) | 2008-04-03 | 2010-02-11 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치 |
KR101496148B1 (ko) | 2008-05-15 | 2015-02-27 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자 및 그 제조방법 |
KR100963027B1 (ko) | 2008-06-30 | 2010-06-10 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치 |
KR100963026B1 (ko) | 2008-06-30 | 2010-06-10 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치 |
JP5345456B2 (ja) | 2008-08-14 | 2013-11-20 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜電界効果型トランジスタ |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
EP2515337B1 (en) | 2008-12-24 | 2016-02-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driver circuit and semiconductor device |
US7995041B2 (en) | 2009-02-02 | 2011-08-09 | Apple Inc. | Integrated touch screen |
US8217913B2 (en) | 2009-02-02 | 2012-07-10 | Apple Inc. | Integrated touch screen |
US20100224878A1 (en) | 2009-03-05 | 2010-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP4415062B1 (ja) | 2009-06-22 | 2010-02-17 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法 |
JP4571221B1 (ja) | 2009-06-22 | 2010-10-27 | 富士フイルム株式会社 | Igzo系酸化物材料及びigzo系酸化物材料の製造方法 |
KR102181301B1 (ko) | 2009-07-18 | 2020-11-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치 제조 방법 |
JP2011138934A (ja) | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Sony Corp | 薄膜トランジスタ、表示装置および電子機器 |
KR101969291B1 (ko) | 2010-02-26 | 2019-04-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP2011187506A (ja) | 2010-03-04 | 2011-09-22 | Sony Corp | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置 |
KR20130055607A (ko) | 2010-04-23 | 2013-05-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
WO2011145467A1 (en) | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
TW201901972A (zh) | 2012-01-26 | 2019-01-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置的製造方法 |
US8916424B2 (en) | 2012-02-07 | 2014-12-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US8999773B2 (en) | 2012-04-05 | 2015-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Processing method of stacked-layer film and manufacturing method of semiconductor device |
WO2014021356A1 (en) | 2012-08-03 | 2014-02-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8937307B2 (en) | 2012-08-10 | 2015-01-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2014199899A (ja) | 2012-08-10 | 2014-10-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP5971708B2 (ja) | 2012-08-27 | 2016-08-17 | 株式会社ジャパンディスプレイ | タッチパネル内蔵型表示装置 |
US9535277B2 (en) | 2012-09-05 | 2017-01-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Conductive oxide film, display device, and method for forming conductive oxide film |
JP6059501B2 (ja) | 2012-10-17 | 2017-01-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
TWI614813B (zh) | 2013-01-21 | 2018-02-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
JP6131071B2 (ja) | 2013-03-14 | 2017-05-17 | 株式会社ジャパンディスプレイ | タッチパネル内蔵型表示装置 |
JP6057106B2 (ja) | 2013-05-29 | 2017-01-11 | 株式会社Joled | 薄膜トランジスタ装置とその製造方法、および表示装置 |
TWI624936B (zh) | 2013-06-05 | 2018-05-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置 |
TWI652822B (zh) | 2013-06-19 | 2019-03-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 氧化物半導體膜及其形成方法 |
US9496330B2 (en) | 2013-08-02 | 2016-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor film and semiconductor device |
US9818765B2 (en) | 2013-08-26 | 2017-11-14 | Apple Inc. | Displays with silicon and semiconducting oxide thin-film transistors |
JP2015188062A (ja) * | 2014-02-07 | 2015-10-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TWI685116B (zh) * | 2014-02-07 | 2020-02-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
TWI702187B (zh) | 2014-02-21 | 2020-08-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體膜、電晶體、半導體裝置、顯示裝置以及電子裝置 |
WO2015132694A1 (en) | 2014-03-07 | 2015-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Touch sensor, touch panel, and manufacturing method of touch panel |
WO2015159183A2 (en) | 2014-04-18 | 2015-10-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device having the same |
JP6613044B2 (ja) | 2014-04-22 | 2019-11-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール、及び電子機器 |
JP6468686B2 (ja) | 2014-04-25 | 2019-02-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 入出力装置 |
KR102333604B1 (ko) | 2014-05-15 | 2021-11-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 이 반도체 장치를 포함하는 표시 장치 |
WO2016009310A1 (en) | 2014-07-15 | 2016-01-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, manufacturing method thereof, and display device including the semiconductor device |
CN104867959B (zh) * | 2015-04-14 | 2017-09-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 双栅极氧化物半导体tft基板的制作方法及其结构 |
-
2016
- 2016-04-25 US US15/137,087 patent/US10002970B2/en active Active
- 2016-04-28 JP JP2016090036A patent/JP6809808B2/ja active Active
-
2020
- 2020-12-10 JP JP2020204797A patent/JP7008781B2/ja active Active
-
2022
- 2022-01-11 JP JP2022002109A patent/JP7240536B2/ja active Active
-
2023
- 2023-03-03 JP JP2023032928A patent/JP2023078201A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008085053A (ja) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置の製造方法および表示装置 |
JP2013175716A (ja) * | 2012-01-26 | 2013-09-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2013229588A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-11-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体素子、半導体装置および半導体素子の作製方法 |
JP2013243349A (ja) * | 2012-04-25 | 2013-12-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2014027263A (ja) * | 2012-06-15 | 2014-02-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6353151B1 (ja) * | 2017-11-15 | 2018-07-04 | タイズ株式会社 | 無機elシートを具備したネームプレート |
US11476314B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-10-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device and production method for display device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10002970B2 (en) | 2018-06-19 |
JP2021064795A (ja) | 2021-04-22 |
JP7240536B2 (ja) | 2023-03-15 |
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US20160322395A1 (en) | 2016-11-03 |
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