JP2017028288A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (4)

1. 第１のゲート電極と、
   前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜上の金属酸化膜と、
   前記金属酸化膜上の第２のゲート電極と、を有し、
   前記第２のゲート電極は、前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜、及び前記金属酸化膜に設けられた開口部を介して、前記第１のゲート電極と接する領域を有する、半導体装置。
2. 第１のゲート電極と、
   前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜上の金属酸化膜と、
   前記金属酸化膜上の第２のゲート電極と、
   前記第２のゲート電極上の第３の絶縁膜と、を有し、
   前記第２のゲート電極は、前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜、及び前記金属酸化膜に設けられた開口部を介して、前記第１のゲート電極と接する領域を有し、
   前記第３の絶縁膜は、前記第２のゲート電極の上面及び側面と接する領域と、前記金属酸化膜の側面と接する領域と、前記第２の絶縁膜の側面と接する領域と、前記酸化物半導体膜の上面と接する領域と、を有する半導体装置。
3. 第１のゲート電極と、
   前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜上の金属酸化膜と、
   前記金属酸化膜上の第２のゲート電極と、
   前記第２のゲート電極上の第３の絶縁膜と、を有し、
   前記第２のゲート電極は、前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜、及び前記金属酸化膜に設けられた開口部を介して、前記第１のゲート電極と接する領域を有し、
   前記第３の絶縁膜は、窒化シリコンを有し、
   前記第３の絶縁膜は、前記第２のゲート電極の上面及び側面と接する領域と、前記金属酸化膜の側面と接する領域と、前記第２の絶縁膜の側面と接する領域と、前記酸化物半導体膜の上面と接する領域と、を有する半導体装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記酸化物半導体膜は、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）と、を有する、半導体装置。