JP6570486B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 536
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 115
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 115
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 20
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1299
- 238000000034 method Methods 0.000 description 151
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 136
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 123
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 108
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 106
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 104
- 230000006870 function Effects 0.000 description 103
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 99
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 80
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 76
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 64
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 60
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 58
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 51
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 50
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 49
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 46
- 239000000463 material Substances 0.000 description 43
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 43
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 42
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 40
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 39
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 37
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 37
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 37
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 33
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 30
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 28
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 28
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 28
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 26
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 25
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 25
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 24
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 24
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 23
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 20
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 20
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 20
- 230000008569 process Effects 0.000 description 20
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 19
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 19
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 18
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 17
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 230000008859 change Effects 0.000 description 16
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 15
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 14
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 14
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 14
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 13
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 13
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 13
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 12
- 238000002173 high-resolution transmission electron microscopy Methods 0.000 description 12
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 12
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 12
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 10
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 10
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 9
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 9
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 9
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 8
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 description 8
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 8
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 8
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 8
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 7
- 238000002524 electron diffraction data Methods 0.000 description 7
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 7
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 7
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000011276 addition treatment Methods 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 6
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 6
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 6
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 6
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 6
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 6
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 6
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 6
- UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 2,6-dimethyl-n-[[(2s)-pyrrolidin-2-yl]methyl]aniline Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1NC[C@H]1NCCC1 UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 5
- 239000004983 Polymer Dispersed Liquid Crystal Substances 0.000 description 5
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 description 5
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 5
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 5
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 230000003098 cholesteric effect Effects 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 4
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 4
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 4
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 4
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 3
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 3
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 3
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 3
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 3
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 3
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229960001730 nitrous oxide Drugs 0.000 description 3
- 235000013842 nitrous oxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 3
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 3
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 3
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WZJUBBHODHNQPW-UHFFFAOYSA-N 2,4,6,8-tetramethyl-1,3,5,7,2$l^{3},4$l^{3},6$l^{3},8$l^{3}-tetraoxatetrasilocane Chemical compound C[Si]1O[Si](C)O[Si](C)O[Si](C)O1 WZJUBBHODHNQPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004986 Cholesteric liquid crystals (ChLC) Substances 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005264 High molar mass liquid crystal Substances 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004974 Thermotropic liquid crystal Substances 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 2
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 229910052800 carbon group element Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N dimethylzinc Chemical compound C[Zn]C AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N octamethylcyclotetrasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000001282 organosilanes Chemical class 0.000 description 2
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 229910052696 pnictogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 2
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 229910001233 yttria-stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 244000025254 Cannabis sativa Species 0.000 description 1
- 235000012766 Cannabis sativa ssp. sativa var. sativa Nutrition 0.000 description 1
- 235000012765 Cannabis sativa ssp. sativa var. spontanea Nutrition 0.000 description 1
- 229920000298 Cellophane Polymers 0.000 description 1
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 1
- 238000004435 EPR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 description 1
- 229910004129 HfSiO Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229920000297 Rayon Polymers 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008813 Sn—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052795 boron group element Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000009120 camo Nutrition 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005524 ceramic coating Methods 0.000 description 1
- 235000005607 chanvre indien Nutrition 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N diethylzinc Chemical compound CC[Zn]CC HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYLGGWPMIDHSEZ-UHFFFAOYSA-N dimethylazanide;hafnium(4+) Chemical compound [Hf+4].C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C ZYLGGWPMIDHSEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 238000005421 electrostatic potential Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- NPEOKFBCHNGLJD-UHFFFAOYSA-N ethyl(methyl)azanide;hafnium(4+) Chemical compound [Hf+4].CC[N-]C.CC[N-]C.CC[N-]C.CC[N-]C NPEOKFBCHNGLJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000002657 fibrous material Substances 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- OJCDKHXKHLJDOT-UHFFFAOYSA-N fluoro hypofluorite;silicon Chemical compound [Si].FOF OJCDKHXKHLJDOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004868 gas analysis Methods 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011487 hemp Substances 0.000 description 1
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 239000010985 leather Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006855 networking Effects 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003863 physical function Effects 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 230000009993 protective function Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000002964 rayon Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
- 229920002994 synthetic fiber Polymers 0.000 description 1
- 239000012209 synthetic fiber Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N trichloro(trichlorosilyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N triethoxysilane Chemical compound CCO[SiH](OCC)OCC QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCULRUJILOGHCJ-UHFFFAOYSA-N triisobutylaluminium Chemical compound CC(C)C[Al](CC(C)C)CC(C)C MCULRUJILOGHCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N trisilane Chemical compound [SiH3][SiH2][SiH3] VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
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- H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
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- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/04—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes
- H01L29/045—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes by their particular orientation of crystalline planes
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- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/24—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only semiconductor materials not provided for in groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22
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- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
- H01L29/41733—Source or drain electrodes for field effect devices for thin film transistors with insulated gate
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- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/4908—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET for thin film semiconductor, e.g. gate of TFT
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
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- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
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Description
本実施の形態では、トランジスタを有する半導体装置、及び当該半導体装置の作製方法の一例について、図1乃至図20を用いて説明する。
図1(A)(B)(C)に、トランジスタを有する半導体装置の一例を示す。なお、図1(A)(B)(C)に示すトランジスタは、スタガ型(トップゲート構造)である。
基板102としては、様々な基板を用いることができ、特定のものに限定されることはない。基板の一例としては、半導体基板(例えば単結晶基板またはシリコン基板)、SOI基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、金属基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板、タングステン基板、タングステン・ホイルを有する基板、可撓性基板、貼り合わせフィルム、繊維状の材料を含む紙、または基材フィルムなどがある。ガラス基板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、またはソーダライムガラスなどがある。可撓性基板、貼り合わせフィルム、基材フィルムなどの一例としては、以下のものがあげられる。例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルサルフォン(PES)に代表されるプラスチックがある。または、一例としては、アクリル等の合成樹脂などがある。または、一例としては、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、ポリ塩化ビニルなどがある。または、一例としては、ポリアミド、ポリイミド、アラミド、エポキシ、無機蒸着フィルム、または紙類などがある。特に、半導体基板、単結晶基板、またはSOI基板などを用いてトランジスタを製造することによって、特性、サイズ、または形状などのばらつきが少なく、電流能力が高く、サイズの小さいトランジスタを製造することができる。このようなトランジスタによって回路を構成すると、回路の低消費電力化、または回路の高集積化を図ることができる。
絶縁膜104としては、スパッタリング法、CVD法、蒸着法、パルスレーザー堆積(PLD)法、印刷法、塗布法等を適宜用いて形成することができる。また、絶縁膜104としては、例えば、酸化物絶縁膜または窒化物絶縁膜を単層または積層して形成することができる。なお、酸化物半導体膜108との界面特性を向上させるため、絶縁膜104において少なくとも酸化物半導体膜108と接する領域は酸化物絶縁膜で形成することが好ましい。また、絶縁膜104として加熱により酸素を放出する酸化物絶縁膜を用いることで、加熱処理により絶縁膜104に含まれる酸素を、酸化物半導体膜108に移動させることが可能である。
酸化物半導体膜108は、In−M−Zn酸化物(MはAl、Ga、Y、またはSn)等の金属酸化物で形成される。また、酸化物半導体膜108として、In−Ga酸化物、In−Zn酸化物を用いてもよい。
絶縁膜110は、トランジスタ100のゲート絶縁膜として機能する。また、絶縁膜110は、酸化物半導体膜108、特にチャネル領域108iに酸素を供給する機能を有する。例えば、絶縁膜110としては、酸化物絶縁膜または窒化物絶縁膜を単層または積層して形成することができる。なお、酸化物半導体膜108との界面特性を向上させるため、絶縁膜110において、酸化物半導体膜108と接する領域は、少なくとも酸化物絶縁膜を用いて形成することが好ましい。絶縁膜110として、例えば酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコンなどを用いればよい。
金属酸化膜112は、In、Zn、Al、Ga、Y、またはSnの1以上を有する。金属酸化膜112に用いることのできる材料の具体例としては、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化イットリウム、酸化スズ、In−Zn酸化物、In−Ga酸化物、In−Sn酸化物、またはIn−Ga−Zn酸化物等が挙げられる。また、金属酸化膜112として、絶縁体または半導体を用いる場合においては、酸化アルミニウムが好ましい。また、金属酸化膜112として半導体または導電体を用いる場合においては、In−Ga−Zn酸化物を用いると好ましい。
絶縁膜116は、窒素、水素、フッ素の1以上を有する。絶縁膜116としては、例えば、窒化物絶縁膜が挙げられる。該窒化物絶縁膜としては、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化フッ化シリコン、フッ化窒化シリコン等を用いて形成することができる。絶縁膜116に含まれる水素濃度は、1×1022atoms/cm3以上であると好ましい。また、絶縁膜116は、酸化物半導体膜108のソース領域108s、及びドレイン領域108dと接する。したがって、絶縁膜116と接するソース領域108s、及びドレイン領域108d中の不純物(窒素、水素、またはフッ素)濃度が高くなり、ソース領域108s、及びドレイン領域108dのキャリア密度を高めることができる。
絶縁膜118としては、酸化物絶縁膜または窒化物絶縁膜を単層または積層して形成することができる。絶縁膜118として、例えば酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ガリウムまたはGa−Zn酸化物などを用いればよく、単層または積層で設けることができる。
導電膜114、120a、120bとしては、スパッタリング法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積(PLD)法、熱CVD法等を用いて形成することができる。また、導電膜114、120a、120bとしては、例えば、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、ニッケル、鉄、コバルト、タングステンから選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いて形成することができる。また、マンガン、ジルコニウムのいずれか一または複数から選択された金属元素を用いてもよい。また、導電膜114、120a、120bは、単層構造でも、二層以上の積層構造としてもよい。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、マンガンを含む銅膜の単層構造、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、マンガンを含む銅膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造、マンガンを含む銅膜上に銅膜を積層し、さらにその上にマンガンを含む銅膜を形成する三層構造等がある。また、アルミニウムに、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた一または複数を組み合わせた合金膜、もしくは窒化膜を用いてもよい。
次に、図1(A)(B)(C)に示す半導体装置と異なる構成について、図2(A)(B)(C)を用いて説明する。
次に、図2(A)(B)(C)に示す半導体装置と異なる構成について、図3乃至図9を用いて説明する。
次に、図2(A)(B)(C)に示す半導体装置と異なる構成について、図10乃至図13を用いて説明する。
ここで、絶縁膜104、酸化物半導体膜108_1、108_2、108_3、及び絶縁膜110のバンド構造、並びに、絶縁膜104、酸化物半導体膜108_2、108_3、及び絶縁膜110のバンド構造について、図14を用いて説明する。なお、図14は、チャネル領域108iにおけるバンド構造である。
次に、図1に示すトランジスタ100の作製方法の一例について、図15乃至図17を用いて説明する。なお、図15乃至図17は、トランジスタ100の作製方法を説明するチャネル長(L)方向及びチャネル幅(W)方向の断面図である。
次に、図2に示すトランジスタ100Aの作製方法の一例について、図18乃至図20を用いて説明する。なお、図18乃至図20は、トランジスタ100Aの作製方法を説明するチャネル長(L)方向、及びチャネル幅(W)方向の断面図である。
本実施の形態においては、酸化物半導体に形成される酸素欠損(VO)、及び当該酸素欠損に不純物(フッ素または水素)が入った場合について、詳細に説明する。
まず、酸化物半導体に形成される酸素欠損(VO)のモデルについて、説明する。酸化物半導体中において、酸素欠損は深い準位(dDOSともいう。)を形成する。dDOSは、酸化物半導体を用いたトランジスタの電気特性を劣化させる要因となる場合がある。ここでは、酸化物半導体中において、酸素欠損の集合体(VOクラスタともいう。)が形成されるモデルについて検証した結果について説明する。
まず、図21(A)に示す初期状態から、図21(B)に示すように、In、Znに囲まれた酸素サイトでVOが形成される。
次に、図21(B)に示すモデルから、図21(C)に示すように、VO近傍のZnが放出され、Zn欠損(Vzn)が形成される。
次に、図21(C)に示すモデルから、図22(A)に示すように、Vzn近傍、且つGaとの配位数の少ない酸素サイトにVOが形成される。
次に、図22(A)に示すモデルから、図22(B)に示すように、VO近傍のZnが放出され、Vznが形成される。
次に、図22(B)に示すモデルから、図22(C)に示すように、Vzn近傍にVOが形成される。
次に、酸素欠損(VO)を終端させるために、酸化物半導体中にフッ素が入った場合について、説明を行う。まず、VOのF終端(以下、VOFとする)が起こり易いか調べるために、FがVOの外に存在するモデル、及びFがVOに入ったモデルの2つのモデルについて、どちらのモデルがエネルギー的に安定であるか計算を行った。
次に、VOFモデルの状態密度を算出した。VOFモデルの状態密度の計算結果を図24に示す。
次に、上記説明したVOのF終端と比較するために、VOのO終端について計算を行った。なお、VOのO終端は、VO修復であり、VOのO終端後には欠陥なしとなる。まず、OがVOの外に存在するモデルと、VO修復後(欠陥なし)のモデルとのエネルギー比較を行った。
次に、上記の計算とは異なる計算方法でのVOのF終端について説明する。上記の計算においては、GGA汎関数を用いたのに対し、以下では、Hybrid汎関数を用いた。計算条件を表4に示す。
次に、<2−5.VOのF終端について2>に記載の各欠陥の形成エネルギーを用いて、以下に示す反応式(A)及び反応式(B)の検証を行った。
・反応式(A):VO + F → VOF
・反応式(B):VOF + ex.O → F(+ex.OによるVO修復)
次に、VOに不純物が入った構造の安定性について、計算を行った。ここでは、不純物をフッ素及び水素とした。なお、VOにフッ素が入った構造をVOF、VOに水素が入った構造をVOHとする。
まず、VOにFが入った構造であるVOFの安定性の計算結果を以下に説明する。まず、InGaZnO4結晶中のFの拡散経路のモデルを図33に、Fの拡散経路に対応するエネルギーの変化の計算結果を図34に、それぞれ示す。なお、図33に示す矢印は、VOFからのFの拡散経路を示す。
次に、VOにHが入った構造であるVOHの安定性の計算結果を以下に説明する。まず、InGaZnO4結晶中のHの拡散経路のモデルを図35に、Hの拡散経路に対応するエネルギーの変化の計算結果を図36に、それぞれ示す。
上記の計算の結果、VOFからFが放出される際に必要なエネルギー(拡散障壁)と、VOHからHが放出される際に必要なエネルギー(拡散障壁)とを比較した場合、以下の関係になることが分かる。
・F(4.59eV) > H(1.85eV)
本実施の形態においては、酸化物半導体の構造等について、図37乃至図41を参照して説明する。
酸化物半導体は、単結晶酸化物半導体と、それ以外の非単結晶酸化物半導体と、に分けられる。非単結晶酸化物半導体としては、CAAC−OS(c−axis−aligned crystalline oxide semiconductor)、多結晶酸化物半導体、nc−OS(nanocrystalline oxide semiconductor)、擬似非晶質酸化物半導体(a−like OS:amorphous−like oxide semiconductor)および非晶質酸化物半導体などがある。
まずは、CAAC−OSについて説明する。
次に、nc−OSについて説明する。
a−like OSは、nc−OSと非晶質酸化物半導体との間の構造を有する酸化物半導体である。
本実施の形態においては、先の実施の形態で例示したトランジスタを有する表示装置の一例について、図42乃至図44を用いて以下説明を行う。
図43及び図44に示す表示装置700は、引き回し配線部711と、画素部702と、ソースドライバ回路部704と、FPC端子部708と、を有する。また、引き回し配線部711は、信号線710を有する。また、画素部702は、トランジスタ750及び容量素子790を有する。また、ソースドライバ回路部704は、トランジスタ752を有する。
図43に示す表示装置700は、液晶素子775を有する。液晶素子775は、導電膜772、導電膜774、及び液晶層776を有する。導電膜774は、第2の基板705側に設けられ、対向電極としての機能を有する。図43に示す表示装置700は、導電膜772と導電膜774に印加される電圧によって、液晶層776の配向状態が変わることによって光の透過、非透過が制御され画像を表示することができる。
図44に示す表示装置700は、発光素子782を有する。発光素子782は、導電膜784、EL層786、及び導電膜788を有する。図44に示す表示装置700は、発光素子782が有するEL層786が発光することによって、画像を表示することができる。なお、EL層786は、有機化合物、または量子ドットなどの無機化合物を有する。
本実施の形態では、電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、且つ書き込み回数にも制限が無い半導体装置の回路構成の一例について図50を用いて説明する。
図50は、半導体装置の回路構成を説明する図である。図50において、第1の配線(1st Line)と、p型トランジスタ1280aのソース電極またはドレイン電極の一方とは、電気的に接続されている。また、p型トランジスタ1280aのソース電極またはドレイン電極の他方と、n型トランジスタ1280bのソース電極またはドレイン電極の一方とは、電気的に接続されている。また、n型トランジスタ1280bのソース電極またはドレイン電極の他方と、n型トランジスタ1280cのソース電極またはドレイン電極の一方とは、電気的に接続されている。
まず、情報の書き込み及び保持について説明する。第4の配線の電位を、トランジスタ1282がオン状態となる電位にして、トランジスタ1282をオン状態とする。これにより、第2の配線の電位がn型トランジスタ1280cのゲート電極、及び容量素子1281に与えられる。すなわち、n型トランジスタ1280cのゲート電極には、所定の電荷が与えられる(書き込み)。その後、第4の配線の電位を、トランジスタ1282がオフ状態となる電位にして、トランジスタ1282をオフ状態とする。これにより、n型トランジスタ1280cのゲート電極に与えられた電荷が保持される(保持)。
次に、情報の読み出しについて説明する。第3の配線の電位をLowレベル電位とした際、p型トランジスタ1280aがオン状態となり、n型トランジスタ1280bがオフ状態となる。この時、第1の配線の電位は第6の配線に与えられる。一方、第3の配線の電位をHighレベル電位とした際、p型トランジスタ1280aがオフ状態となり、n型トランジスタ1280bがオン状態となる。この時、フローティングノード(FN)に保持された電荷量に応じて、第6の配線は異なる電位をとる。このため、第6の配線の電位をみることで、保持されている情報を読み出すことができる(読み出し)。
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置に用いることのできる画素回路の構成について、図51(A)を用いて以下説明を行う。
図51(A)は、画素回路の構成を説明する図である。図51(A)に示す回路は、光電変換素子1360、トランジスタ1351、トランジスタ1352、トランジスタ1353、及びトランジスタ1354を有する。
光電変換素子1360には、セレンまたはセレンを含む化合物(以下、セレン系材料とする)を有する素子、あるいはシリコンを有する素子(例えば、pin型の接合が形成された素子)を用いることができる。また、酸化物半導体を用いたトランジスタと、セレン系材料を用いた光電変換素子とを組み合わせることで信頼性を高くすることができるため好ましい。
トランジスタ1351、トランジスタ1352、トランジスタ1353、およびトランジスタ1354は、非晶質シリコン、微結晶シリコン、多結晶シリコン、単結晶シリコンなどのシリコン半導体を用いて形成することも可能であるが、酸化物半導体を用いたトランジスタで形成することが好ましい。酸化物半導体でチャネル形成領域を形成したトランジスタは、極めてオフ電流が低い特性を示す特徴を有している。また、酸化物半導体でチャネル形成領域を形成したトランジスタとしては、例えば、実施の形態1に示すトランジスタを用いることができる。
次に、図51(A)に示す回路の回路動作の一例について図51(B)に示すタイミングチャートを用いて説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置を有する表示装置について、図52を用いて説明を行う。
図52(A)に示す表示装置は、表示素子の画素を有する領域(以下、画素部502という)と、画素部502の外側に配置され、画素を駆動するための回路を有する回路部(以下、駆動回路部504という)と、素子の保護機能を有する回路(以下、保護回路506という)と、端子部507と、を有する。なお、保護回路506は、設けない構成としてもよい。
本実施の形態では、上述の実施の形態で説明したトランジスタの適用可能な回路構成の一例について、図53乃至図56を用いて説明する。
図53(A)には、駆動回路が有するシフトレジスタやバッファ等に適用することができるインバータの回路図を示す。インバータ800は、入力端子INに与える信号の論理を反転した信号を出力端子OUTに出力する。インバータ800は、複数のOSトランジスタを有する。信号SBGは、OSトランジスタの電気特性を可変するための信号である。
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置について図57を用いて説明する。
本発明の一態様の入出力装置は、画像を表示する機能と、タッチセンサとしての機能と、を有する、インセル型のタッチパネルである。
図57(A)に、入出力装置の隣り合う2つの副画素の断面図を示す。図57(A)に示す2つの副画素はそれぞれ異なる画素が有する副画素である。
図57(B)に、図57(A)とは異なる、隣り合う2つの画素の断面図を示す。図57(B)に示す2つの副画素はそれぞれ異なる画素が有する副画素である。
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置を有する表示モジュール及び電子機器について、図58乃至図60を用いて説明を行う。
図58に示す表示モジュール8000は、上部カバー8001と下部カバー8002との間に、FPC8003に接続されたタッチパネル8004、FPC8005に接続された表示パネル8006、バックライト8007、フレーム8009、プリント基板8010、バッテリ8011を有する。
図59(A)乃至図59(G)は、電子機器を示す図である。これらの電子機器は、筐体9000、表示部9001、スピーカ9003、操作キー9005(電源スイッチ、又は操作スイッチを含む)、接続端子9006、センサ9007(力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの)、マイクロフォン9008、等を有することができる。
100A トランジスタ
100B トランジスタ
100C トランジスタ
100D トランジスタ
100E トランジスタ
100F トランジスタ
100G トランジスタ
100H トランジスタ
100J トランジスタ
100K トランジスタ
102 基板
104 絶縁膜
106 導電膜
107 酸化物半導体膜
108 酸化物半導体膜
108_1 酸化物半導体膜
108_2 酸化物半導体膜
108_3 酸化物半導体膜
108d ドレイン領域
108f 領域
108i チャネル領域
108s ソース領域
110 絶縁膜
110_0 絶縁膜
112 金属酸化膜
112_0 金属酸化膜
112a 導電膜
112b 導電膜
114 導電膜
114_0 導電膜
116 絶縁膜
118 絶縁膜
120 導電膜
120a 導電膜
120b 導電膜
122 絶縁膜
140 マスク
141a 開口部
141b 開口部
143 開口部
145 不純物元素
201 トランジスタ
203 トランジスタ
207a 液晶素子
207b 液晶素子
211 基板
212 絶縁膜
213 絶縁膜
215 絶縁膜
219 絶縁膜
223 酸化物半導体膜
241 着色膜
243 遮光膜
245 絶縁膜
247 スペーサ
249 液晶
251 導電膜
252 導電膜
253 絶縁膜
255 導電膜
261 基板
300A トランジスタ
300B トランジスタ
300C トランジスタ
300D トランジスタ
300E トランジスタ
300F トランジスタ
302 基板
304 導電膜
306 絶縁膜
307 絶縁膜
308 酸化物半導体膜
308_1 酸化物半導体膜
308_2 酸化物半導体膜
308_3 酸化物半導体膜
312a 導電膜
312b 導電膜
314 絶縁膜
316 絶縁膜
318 絶縁膜
320a 導電膜
320b 導電膜
341a 開口部
341b 開口部
342a 開口部
342b 開口部
342c 開口部
501 画素回路
502 画素部
504 駆動回路部
504a ゲートドライバ
504b ソースドライバ
506 保護回路
507 端子部
550 トランジスタ
552 トランジスタ
554 トランジスタ
560 容量素子
562 容量素子
570 液晶素子
572 発光素子
700 表示装置
701 基板
702 画素部
704 ソースドライバ回路部
705 基板
706 ゲートドライバ回路部
708 FPC端子部
710 信号線
711 配線部
712 シール材
716 FPC
730 絶縁膜
732 封止膜
734 絶縁膜
736 着色膜
738 遮光膜
750 トランジスタ
752 トランジスタ
760 接続電極
770 平坦化絶縁膜
772 導電膜
774 導電膜
775 液晶素子
776 液晶層
778 構造体
780 異方性導電膜
782 発光素子
784 導電膜
786 EL層
788 導電膜
790 容量素子
800 インバータ
810 OSトランジスタ
820 OSトランジスタ
831 信号波形
832 信号波形
840 破線
841 実線
850 OSトランジスタ
860 CMOSインバータ
1280a p型トランジスタ
1280b n型トランジスタ
1280c n型トランジスタ
1281 容量素子
1282 トランジスタ
1311 配線
1312 配線
1313 配線
1314 配線
1315 配線
1316 配線
1317 配線
1351 トランジスタ
1352 トランジスタ
1353 トランジスタ
1354 トランジスタ
1360 光電変換素子
1401 信号
1402 信号
1403 信号
1404 信号
1405 信号
8000 表示モジュール
8001 上部カバー
8002 下部カバー
8003 FPC
8004 タッチパネル
8005 FPC
8006 表示パネル
8007 バックライト
8008 光源
8009 フレーム
8010 プリント基板
8011 バッテリ
9000 筐体
9001 表示部
9003 スピーカ
9005 操作キー
9006 接続端子
9007 センサ
9008 マイクロフォン
9050 操作ボタン
9051 情報
9052 情報
9053 情報
9054 情報
9055 ヒンジ
9100 テレビジョン装置
9101 携帯情報端末
9102 携帯情報端末
9200 携帯情報端末
9201 携帯情報端末
9500 表示装置
9501 表示パネル
9502 表示領域
9503 領域
9511 軸部
9512 軸受部
Claims (3)
- 第1のゲート電極と、
前記第1のゲート電極上の第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上の金属酸化膜と、
前記金属酸化膜上の第2のゲート電極と、
前記第2のゲート電極上の第3の絶縁膜と、を有し、
前記第2のゲート電極は、前記第1の絶縁膜、前記第2の絶縁膜、及び前記金属酸化膜に設けられた開口部を介して、前記第1のゲート電極と接する領域を有し、
前記第3の絶縁膜は、前記第2のゲート電極の上面及び側面と接する領域と、前記金属酸化膜の側面と接する領域と、前記第2の絶縁膜の側面と接する領域と、前記酸化物半導体膜の上面と接する領域と、を有する半導体装置。 - 第1のゲート電極と、
前記第1のゲート電極上の第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上の金属酸化膜と、
前記金属酸化膜上の第2のゲート電極と、
前記第2のゲート電極上の第3の絶縁膜と、を有し、
前記第2のゲート電極は、前記第1の絶縁膜、前記第2の絶縁膜、及び前記金属酸化膜に設けられた開口部を介して、前記第1のゲート電極と接する領域を有し、
前記第3の絶縁膜は、窒化シリコンを有し、
前記第3の絶縁膜は、前記第2のゲート電極の上面及び側面と接する領域と、前記金属酸化膜の側面と接する領域と、前記第2の絶縁膜の側面と接する領域と、前記酸化物半導体膜の上面と接する領域と、を有する半導体装置。 - 請求項1又は2において、
前記酸化物半導体膜は、Inと、Znと、M(MはAl、Ga、Y、またはSn)と、を有する、半導体装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015146351 | 2015-07-24 | ||
JP2015146351 | 2015-07-24 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019144467A Division JP2020014001A (ja) | 2015-07-24 | 2019-08-06 | 半導体装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017028288A JP2017028288A (ja) | 2017-02-02 |
JP2017028288A5 JP2017028288A5 (ja) | 2018-11-29 |
JP6570486B2 true JP6570486B2 (ja) | 2019-09-04 |
Family
ID=57836231
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016144064A Active JP6570486B2 (ja) | 2015-07-24 | 2016-07-22 | 半導体装置 |
JP2019144467A Withdrawn JP2020014001A (ja) | 2015-07-24 | 2019-08-06 | 半導体装置 |
JP2021185452A Active JP7352607B2 (ja) | 2015-07-24 | 2021-11-15 | 半導体装置 |
JP2023150029A Pending JP2023171396A (ja) | 2015-07-24 | 2023-09-15 | 半導体装置 |
Family Applications After (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019144467A Withdrawn JP2020014001A (ja) | 2015-07-24 | 2019-08-06 | 半導体装置 |
JP2021185452A Active JP7352607B2 (ja) | 2015-07-24 | 2021-11-15 | 半導体装置 |
JP2023150029A Pending JP2023171396A (ja) | 2015-07-24 | 2023-09-15 | 半導体装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US11024725B2 (ja) |
JP (4) | JP6570486B2 (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106409919A (zh) | 2015-07-30 | 2017-02-15 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置 |
CN116154003A (zh) | 2015-11-20 | 2023-05-23 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置、包括该半导体装置的显示装置以及包括该半导体装置的电子设备 |
CN108292684B (zh) | 2015-11-20 | 2022-06-21 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置、该半导体装置的制造方法或包括该半导体装置的显示装置 |
JP6561366B2 (ja) | 2016-03-16 | 2019-08-21 | 株式会社Joled | 半導体装置とその製造方法 |
JP6347808B2 (ja) * | 2016-07-25 | 2018-06-27 | レノボ・シンガポール・プライベート・リミテッド | マルチモニタ表示制御機能付き電子機器及びマルチモニタ表示制御方法 |
JP6981812B2 (ja) * | 2016-08-31 | 2021-12-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
CN106847890B (zh) * | 2017-02-17 | 2019-10-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板 |
JP6925819B2 (ja) * | 2017-02-17 | 2021-08-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
GB201704203D0 (en) * | 2017-03-16 | 2017-05-03 | Pixquanta Ltd | An electromagnetic radiation detection device |
CN106876280A (zh) * | 2017-04-24 | 2017-06-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及其制备方法 |
WO2018211352A1 (en) * | 2017-05-18 | 2018-11-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US11257722B2 (en) | 2017-07-31 | 2022-02-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having oxide containing gallium indium and zinc |
WO2019123109A1 (ja) | 2017-12-22 | 2019-06-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP7180989B2 (ja) * | 2018-03-30 | 2022-11-30 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置および表示装置 |
WO2020012276A1 (ja) | 2018-07-09 | 2020-01-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP7210179B2 (ja) * | 2018-07-25 | 2023-01-23 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US11069796B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-07-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
CN109411544B (zh) * | 2018-09-26 | 2021-05-18 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种过渡金属硫族化合物晶体管及其制备方法 |
JP2019125789A (ja) * | 2019-01-23 | 2019-07-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2021150523A (ja) * | 2020-03-19 | 2021-09-27 | キオクシア株式会社 | 半導体記憶装置 |
JPWO2022130086A1 (ja) * | 2020-12-15 | 2022-06-23 | ||
JP2022178141A (ja) * | 2021-05-19 | 2022-12-02 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (154)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
WO1997006554A2 (en) | 1995-08-03 | 1997-02-20 | Philips Electronics N.V. | Semiconductor device provided with transparent switching element |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
US6461899B1 (en) * | 1999-04-30 | 2002-10-08 | Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. | Oxynitride laminate “blocking layer” for thin film semiconductor devices |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
WO2003040441A1 (en) | 2001-11-05 | 2003-05-15 | Japan Science And Technology Agency | Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
US7049190B2 (en) | 2002-03-15 | 2006-05-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
KR101078509B1 (ko) | 2004-03-12 | 2011-10-31 | 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 | 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
WO2006051994A2 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
CN102938420B (zh) | 2004-11-10 | 2015-12-02 | 佳能株式会社 | 无定形氧化物和场效应晶体管 |
CA2585071A1 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor employing an amorphous oxide |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
JP5138163B2 (ja) | 2004-11-10 | 2013-02-06 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI569441B (zh) | 2005-01-28 | 2017-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
TWI472037B (zh) | 2005-01-28 | 2015-02-01 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
WO2006105077A2 (en) | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
EP1995787A3 (en) | 2005-09-29 | 2012-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method therof |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
CN101707212B (zh) | 2005-11-15 | 2012-07-11 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
CN101663762B (zh) | 2007-04-25 | 2011-09-21 | 佳能株式会社 | 氧氮化物半导体 |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
JP5548351B2 (ja) * | 2007-11-01 | 2014-07-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US8202365B2 (en) | 2007-12-17 | 2012-06-19 | Fujifilm Corporation | Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film |
US20090278120A1 (en) | 2008-05-09 | 2009-11-12 | Korea Institute Of Science And Technology | Thin Film Transistor |
KR101496148B1 (ko) | 2008-05-15 | 2015-02-27 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자 및 그 제조방법 |
TWI627757B (zh) * | 2008-07-31 | 2018-06-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
KR102089200B1 (ko) | 2009-11-28 | 2020-03-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
JP2011159908A (ja) | 2010-02-03 | 2011-08-18 | Sony Corp | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置 |
CN102834922B (zh) * | 2010-04-02 | 2016-04-13 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
WO2011145467A1 (en) | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2012033836A (ja) | 2010-08-03 | 2012-02-16 | Canon Inc | トップゲート型薄膜トランジスタ及びこれを備えた表示装置 |
TWI555205B (zh) * | 2010-11-05 | 2016-10-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置的製造方法 |
US8936965B2 (en) | 2010-11-26 | 2015-01-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
WO2012090973A1 (en) | 2010-12-28 | 2012-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US9443984B2 (en) | 2010-12-28 | 2016-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP6009226B2 (ja) | 2011-06-10 | 2016-10-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP6005401B2 (ja) | 2011-06-10 | 2016-10-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
WO2013089115A1 (en) | 2011-12-15 | 2013-06-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP6080563B2 (ja) * | 2012-01-23 | 2017-02-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US9653614B2 (en) * | 2012-01-23 | 2017-05-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US8916424B2 (en) * | 2012-02-07 | 2014-12-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
KR20130111872A (ko) * | 2012-04-02 | 2013-10-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
US9276121B2 (en) | 2012-04-12 | 2016-03-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US8901557B2 (en) * | 2012-06-15 | 2014-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
CN111477634B (zh) * | 2012-09-13 | 2023-11-14 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
TWI809225B (zh) | 2013-05-16 | 2023-07-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
US10032872B2 (en) * | 2013-05-17 | 2018-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method for manufacturing the same, and apparatus for manufacturing semiconductor device |
JP6374221B2 (ja) | 2013-06-05 | 2018-08-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6322503B2 (ja) | 2013-07-16 | 2018-05-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9443987B2 (en) * | 2013-08-23 | 2016-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9461126B2 (en) | 2013-09-13 | 2016-10-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor, clocked inverter circuit, sequential circuit, and semiconductor device including sequential circuit |
TWI688102B (zh) * | 2013-10-10 | 2020-03-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
WO2015059842A1 (ja) * | 2013-10-22 | 2015-04-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 酸化物半導体膜の作製方法 |
JP6433757B2 (ja) | 2013-10-31 | 2018-12-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、表示装置、電子機器 |
US9590111B2 (en) * | 2013-11-06 | 2017-03-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device including the semiconductor device |
KR20160091968A (ko) | 2013-11-29 | 2016-08-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 반도체 장치를 제작하는 방법, 및 표시 장치 |
US9349751B2 (en) | 2013-12-12 | 2016-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9577110B2 (en) * | 2013-12-27 | 2017-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including an oxide semiconductor and the display device including the semiconductor device |
US9443876B2 (en) * | 2014-02-05 | 2016-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, and the display module |
JP2015188062A (ja) * | 2014-02-07 | 2015-10-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TWI685116B (zh) * | 2014-02-07 | 2020-02-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
KR20230062676A (ko) * | 2014-03-13 | 2023-05-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 촬상 장치 |
US9640669B2 (en) | 2014-03-13 | 2017-05-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module |
WO2015136427A1 (ja) * | 2014-03-14 | 2015-09-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9887291B2 (en) | 2014-03-19 | 2018-02-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, or the display module |
US10002971B2 (en) | 2014-07-03 | 2018-06-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device including the semiconductor device |
WO2016151429A1 (en) * | 2015-03-23 | 2016-09-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel and information processing device |
CN107533979B (zh) * | 2015-04-20 | 2020-11-10 | 堺显示器制品株式会社 | 薄膜晶体管的制造方法和显示面板 |
WO2016170443A1 (ja) * | 2015-04-20 | 2016-10-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置および電子機器 |
JP6803682B2 (ja) | 2015-05-22 | 2020-12-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US9837547B2 (en) | 2015-05-22 | 2017-12-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising oxide conductor and display device including the semiconductor device |
CN106409919A (zh) | 2015-07-30 | 2017-02-15 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置 |
US10019025B2 (en) | 2015-07-30 | 2018-07-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
CN106558593B (zh) * | 2015-09-18 | 2019-12-17 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制备方法 |
-
2016
- 2016-07-21 US US15/215,801 patent/US11024725B2/en active Active
- 2016-07-22 JP JP2016144064A patent/JP6570486B2/ja active Active
-
2019
- 2019-08-06 JP JP2019144467A patent/JP2020014001A/ja not_active Withdrawn
-
2021
- 2021-05-26 US US17/330,589 patent/US11538928B2/en active Active
- 2021-11-15 JP JP2021185452A patent/JP7352607B2/ja active Active
-
2022
- 2022-12-20 US US18/084,912 patent/US20230132342A1/en active Pending
-
2023
- 2023-09-15 JP JP2023150029A patent/JP2023171396A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2020014001A (ja) | 2020-01-23 |
JP7352607B2 (ja) | 2023-09-28 |
US11538928B2 (en) | 2022-12-27 |
JP2017028288A (ja) | 2017-02-02 |
US20170025544A1 (en) | 2017-01-26 |
US20210280697A1 (en) | 2021-09-09 |
JP2022031732A (ja) | 2022-02-22 |
US11024725B2 (en) | 2021-06-01 |
US20230132342A1 (en) | 2023-04-27 |
JP2023171396A (ja) | 2023-12-01 |
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Date | Code | Title | Description |
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