JP2016027597A5 - - Google Patents

Claims (4)

1. 酸化物絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜に接するゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜と重なるゲート電極と、
   前記酸化物半導体膜と接する窒化絶縁膜と、
   前記酸化物半導体膜と接する一対の導電膜と、を有し、
   前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域とを有し、
   前記第１の領域は、前記ゲート絶縁膜と接し、
   前記第２の領域は、前記窒化物絶縁膜に接する領域と前記一対の導電膜に接する領域とを有し、
   少なくとも前記第２の領域は、水素と不純物元素とを有し、
   前記第２の領域は、前記第１の領域よりも前記不純物元素の濃度が高いことを特徴とする半導体装置。
2. 酸化物絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜に接するゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜と重なるゲート電極と、
   前記酸化物半導体膜と接する窒化絶縁膜と、
   前記酸化物半導体膜と接する一対の導電膜と、を有し、
   前記ゲート絶縁膜の端部は、前記ゲート電極の端部より外側に位置し、
   前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域とを有し、
   前記第１の領域は、前記ゲート絶縁膜と接し、
   前記第２の領域は、前記ゲート絶縁膜と接さず、
   前記第２の領域は、前記窒化物絶縁膜に接する領域と前記一対の導電膜接する領域とを有し、
   少なくとも前記第２の領域は、水素と不純物元素とを有し、
   前記第２の領域は、前記第１の領域よりも前記不純物元素の濃度が高いことを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１及び２のいずれか一において、
   前記不純物元素は、希ガス元素であることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記窒化物絶縁膜は、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化アルミニウム膜、または窒化酸化アルミニウム膜のいずれかであることを特徴とする半導体装置。