JP5881388B2 - 半導体装置及び半導体装置の作製方法 - Google Patents
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Images
Description
本実施の形態では、本発明の一態様に係る半導体装置であるトランジスタ及びその作製方法について図1乃至図3を用いて説明する。
次に、図1(B)に示したトランジスタの作製方法について、図2及び図3を用いて説明する。
本実施の形態では、実施の形態1とは異なる構造のトランジスタ及びその作製方法について図4乃至図6を用いて説明する。
次に、図4(B)に示したトランジスタの作製方法について、図5及び図6を用いて説明する。
本実施の形態では、実施の形態1及び実施の形態2とは異なる構造のトランジスタ及びその作製方法について図7乃至図9を用いて説明する。
次に、図7(B)に示したトランジスタの作製方法について、図8及び図9を用いて説明する。
本実施の形態では、実施の形態1乃至実施の形態3とは異なる構造のトランジスタ及びその作製方法について図10乃至図12を用いて説明する。
次に、図10(B)に示したトランジスタの作製方法について、図11及び図12を用いて説明する。
本実施の形態では、実施の形態1乃至実施の形態4で示したトランジスタを用いて、半導体記憶装置を作製する例について説明する。
実施の形態1乃至実施の形態4で示したトランジスタ、または実施の形態5に示した半導体記憶装置を少なくとも一部に用いてCPU(Central Processing Unit)を構成することができる。
本実施の形態では、実施の形態1乃至実施の形態6に示すトランジスタ、半導体記憶装置及びCPUの一種以上を含む電子機器の例について説明する。
102 下地絶縁膜
103 酸化物半導体膜
104 ソース電極及びドレイン電極
105 導電膜
106 酸化物半導体膜
106a チャネル形成領域
106b ソース領域及びドレイン領域
107 導電膜
108 ゲート絶縁膜
109 ゲート電極
110 ゲート電極
111 絶縁膜
112 層間絶縁膜
201 ゲート絶縁膜
203 酸化物半導体膜
204 ソース電極及びドレイン電極
205 導電膜
206 酸化物半導体膜
206a チャネル形成領域
206b ソース領域及びドレイン領域
207 導電膜
208 ゲート絶縁膜
209 ゲート電極
210 ゲート電極
211 絶縁膜
212 層間絶縁膜
213 側壁絶縁膜
1141 スイッチング素子
1142 記憶素子
1143 記憶素子群
1189 ROMインターフェース
1190 基板
1191 ALU
1192 ALUコントローラ
1193 インストラクションデコーダ
1194 インタラプトコントローラ
1195 タイミングコントローラ
1196 レジスタ
1197 レジスタコントローラ
1198 バスインターフェース
1199 ROM
9300 筐体
9301 ボタン
9302 マイクロフォン
9303 表示部
9304 スピーカ
9305 カメラ
9310 筐体
9311 表示部
9320 筐体
9321 ボタン
9322 マイクロフォン
9323 表示部
9630 筐体
9631a 表示部
9631b 表示部
9633 留め具
9638 操作スイッチ
Claims (7)
- 基板上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
前記ゲート電極上の導電膜と、
前記酸化物半導体膜に接する領域と、前記ゲート絶縁膜の側面に接する領域と、を有するソース電極と、
前記酸化物半導体膜に接する領域と、前記ゲート絶縁膜の側面に接する領域と、を有するドレイン電極と、を有し、
前記ソース電極上面の前記基板表面からの高さと、前記ドレイン電極上面の前記基板表面からの高さとは、前記ゲート電極上面の前記基板表面からの高さより低く、
前記導電膜、前記ソース電極、及びドレイン電極は、同一の金属元素を有することを特徴とする半導体装置。 - 基板上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
前記ゲート電極の側面と接する領域を有する側壁絶縁膜と、
前記ゲート電極上の導電膜と、
少なくとも、前記酸化物半導体膜に接する領域と、前記ゲート絶縁膜の側面に接する領域と、を有するソース電極と、
少なくとも、前記酸化物半導体膜に接する領域と、前記ゲート絶縁膜の側面に接する領域と、を有するドレイン電極と、を有し、
前記ソース電極上面の前記基板表面からの高さと、前記ドレイン電極上面の前記基板表面からの高さとは、前記ゲート電極上面の前記基板表面からの高さより低く、
前記導電膜、前記ソース電極、及びドレイン電極は、同一の金属元素を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1又は請求項2において、
前記ゲート電極と前記導電膜との間に、絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
前記酸化物半導体膜は、ソース領域と、ドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に配置され、前記ゲート電極と重畳するチャネル形成領域と、を有し、
前記ソース領域及びドレイン領域の各々は、リン、ホウ素、窒素及びフッ素から選ばれた一種以上の元素を含むことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記酸化物半導体膜は、In、Ga、Sn、及びZnから選ばれた一種以上の元素を含むことを特徴とする半導体装置。 - 酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、前記酸化物半導体膜と重畳する領域を有するゲート電極を形成し、
前記酸化物半導体膜、前記ゲート絶縁膜、及び前記ゲート電極を覆う導電膜を形成し、
前記導電膜を等方性エッチングして、少なくとも前記ゲート電極の側面を露出させ、ソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に前記酸化物半導体膜と重畳する領域を有するゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に絶縁膜を形成し、
前記酸化物半導体膜、前記ゲート絶縁膜、前記ゲート電極、及び前記絶縁膜を覆う導電膜を形成し、
前記導電膜を等方性エッチングして、少なくとも前記ゲート電極の側面を露出させ、ソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
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