JP6013676B2 - 半導体装置及び半導体装置の作製方法 - Google Patents
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Description
本実施の形態では、本発明の一態様に係るトランジスタについて図1乃至図3を用いて説明する。
本実施の形態では、実施の形態1とは異なる構造のトランジスタについて図4乃至図6を用いて説明する。
本実施の形態では、実施の形態1および実施の形態2とは異なる構造のトランジスタについて図7乃至図9を用いて説明する。
本実施の形態では、実施の形態1乃至実施の形態3とは異なる構造のトランジスタについて図10乃至図15を用いて説明する。
本実施の形態では実施の形態1乃至実施の形態4のいずれかに示すトランジスタを用いて作製した液晶表示装置について説明する。なお、本実施の形態では液晶表示装置に本発明の一形態を適用した例について説明するが、これに限定されるものではない。例えば、発光装置の一つであるEL(Electro Luminescence)表示装置に本発明の一形態を適用することも、当業者であれば容易に想到し得るものである。
本実施の形態では、実施の形態1乃至実施の形態4のいずれかに示すトランジスタを用いて、半導体記憶装置を作製する例について説明する。
実施の形態1乃至実施の形態4のいずれかに示すトランジスタまたは実施の形態6に示した半導体記憶装置を少なくとも一部に用いてCPU(Central Processing Unit)を構成することができる。
本実施の形態では、実施の形態1乃至実施の形態7の少なくともいずれかを適用した電子機器の例について説明する。
102 下地絶縁膜
104 ゲート電極
106 酸化物半導体膜
106a 第1の層
106b 第2の層
107 酸化物半導体膜
107a 第1の層
107b 第2の層
112 ゲート絶縁膜
116 電極
117 導電膜
118 保護絶縁膜
136 酸化物半導体膜
137 酸化物半導体膜
137a 第1の層
137b 第2の層
206 酸化物半導体膜
206a 第1の層
206b 第2の層
214 保護絶縁膜
215 保護絶縁膜
216 電極
236 酸化物半導体膜
304 ゲート電極
306 酸化物半導体膜
306a 第1の層
306b 第2の層
307 酸化物半導体膜
307a 第1の層
307b 第2の層
312 ゲート絶縁膜
316 電極
317 導電膜
336 酸化物半導体膜
337 酸化物半導体膜
337a 第1の層
337b 第2の層
404 ゲート電極
405 導電膜
406 酸化物半導体膜
406a 第1の層
406b 第2の層
412 ゲート絶縁膜
413 ゲート絶縁膜
416 電極
418 保護絶縁膜
436 酸化物半導体膜
436a 第1の層
436b 第2の層
454 ゲート電極
455 導電膜
456 酸化物半導体膜
456a 第1の層
456b 第2の層
457 酸化物半導体膜
462 ゲート絶縁膜
463 ゲート絶縁膜
466 電極
468 保護絶縁膜
1141 スイッチング素子
1142 記憶素子
1143 記憶素子群
1189 ROMインターフェース
1190 基板
1191 ALU
1192 ALUコントローラ
1193 インストラクションデコーダ
1194 インタラプトコントローラ
1195 タイミングコントローラ
1196 レジスタ
1197 レジスタコントローラ
1198 バスインターフェース
1199 ROM
2200 画素
2210 液晶素子
2220 キャパシタ
2230 トランジスタ
9300 筐体
9301 ボタン
9302 マイクロフォン
9303 表示部
9304 スピーカ
9305 カメラ
9310 筐体
9311 表示部
9320 筐体
9321 ボタン
9322 マイクロフォン
9323 表示部
9630 筐体
9631a 表示部
9631b 表示部
9633 留め具
9638 操作スイッチ
Claims (7)
- 酸化物半導体膜と、
ゲート電極と、
前記酸化物半導体膜と前記ゲート電極との間に挟まれている領域を有するゲート絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続される電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜には、In−M−Zn−O系材料が用いられ、
前記酸化物半導体膜は、第1の領域を有し、
前記第1の領域は、前記電極と接する領域を有し、
前記第1の領域は、Inの濃度勾配を有し、
前記第1の領域は、前記酸化物半導体膜の表面から遠ざかるほどInの濃度が低く、
前記第1の領域は、前記酸化物半導体膜の表面から15nm以下の範囲であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、
前記第1の領域は、Znの濃度勾配を有し、
前記第1の領域は、前記酸化物半導体膜の表面から遠ざかるほどZnの濃度が高いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1又は請求項2において、
Mは、Gaであり、
前記第1の領域は、Gaの濃度勾配を有し、
前記第1の領域は、前記酸化物半導体膜の表面から遠ざかるほどGaの濃度が高いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1又は請求項2において、
Mは、Gaであり、
前記第1の領域は、Gaの濃度勾配を有し、
前記第1の領域は、前記酸化物半導体膜の表面から遠ざかるほどGaの濃度が低いことを特徴とする半導体装置。 - 酸化物半導体膜と、
ゲート電極と、
前記酸化物半導体膜と前記ゲート電極との間に挟まれている領域を有するゲート絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続される電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜には、In−M−Zn−O系材料が用いられ、
前記酸化物半導体膜は、第1の領域を有し、
前記第1の領域は、前記電極と接する領域を有し、
前記第1の領域は、Inの濃度勾配を有し、
前記第1の領域は、前記酸化物半導体膜の表面から遠ざかるほどInの濃度が低く、
前記第1の領域は、前記酸化物半導体膜の表面から15nm以下の範囲である半導体装置の作製方法であって、
前記酸化物半導体膜は、加熱処理によってZnを脱離させて相対的にInの濃度を高める第1の工程を経て形成されたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 酸化物半導体膜と、
ゲート電極と、
前記酸化物半導体膜と前記ゲート電極との間に挟まれている領域を有するゲート絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続される電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜には、In−M−Zn−O系材料が用いられ、
前記酸化物半導体膜は、第1の領域を有し、
前記第1の領域は、前記電極と接する領域を有し、
前記第1の領域は、Inの濃度勾配を有し、
前記第1の領域は、前記酸化物半導体膜の表面から遠ざかるほどInの濃度が低く、
前記第1の領域は、前記酸化物半導体膜の表面から15nm以下の範囲である半導体装置の作製方法であって、
前記酸化物半導体膜は、加熱処理によってZnを脱離させて相対的にInの濃度を高める第1の工程を経て形成されたものであり、
前記酸化物半導体膜は、酸素を供給することによって酸素欠損を低減する第2の工程を経て形成されたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項5又は6において、
前記加熱処理は、減圧状態で行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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