JP2015181150A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (8)

1. トランジスタと、容量素子と、を有し、
   前記トランジスタは、
   第１の導電膜と、
   前記第１の導電膜上の第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜上の第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜に接する一対の電極と、
   前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜と互いに重なる第２の導電膜と、を有し、
   前記第１の絶縁膜は、水素を含む膜を有し、
   前記第２の絶縁膜は、酸化物絶縁膜を有し、
   前記容量素子は、
   下部電極と、
   前記下部電極上の電極間絶縁膜と、
   前記電極間絶縁膜上の上部電極と、を有し、
   前記第１の導電膜と前記下部電極は、同一表面上に設けられることを特徴とする半導体装置。
2. トランジスタと、容量素子と、を有し、
   前記トランジスタは、
   第１の導電膜と、
   前記第１の導電膜上の第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜上の第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜に接する一対の電極と、
   前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜と互いに重なる第２の導電膜と、を有し、
   前記第１の絶縁膜は、水素を含む膜を有し、
   前記第２の絶縁膜は、酸化物絶縁膜を有し、
   前記ゲート絶縁膜の端部が前記第２の導電膜より外側に位置し、
   前記ゲート絶縁膜の端部の断面形状は湾曲し、
   前記容量素子は、
   下部電極と、
   前記下部電極上の電極間絶縁膜と、
   前記電極間絶縁膜上の上部電極と、を有し、
   前記第１の導電膜と前記下部電極は、同一表面上に設けられ、
   前記電極間絶縁膜の端部が前記上部電極より外側に位置し、
   前記電極間絶縁膜の端部の断面形状は湾曲していることを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記水素を含む膜は、窒化シリコン膜を含むことを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記酸化物絶縁膜は、加熱により一部の酸素を放出する機能を有することを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、前記第１の領域を挟む一対の第２の領域と、を有し、
   前記第１の領域は、前記第１の導電膜と重なる領域を有し、
   前記第１の領域及び前記第２の領域は、不純物元素の濃度が異なることを特徴とする半導体装置。
6. 請求項５において、
   前記第１の領域より前記第２の領域の不純物元素の濃度が高いことを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
   前記不純物元素は、水素、ホウ素、炭素、窒素、フッ素、アルミニウム、シリコン、リンまたは塩素の中から選ばれるいずれか一つを有することを特徴とする半導体装置。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
   前記第１の領域は、前記第２の領域の膜厚より大きい領域を有することを特徴とする半導体装置。