JP2015187850A5 - タッチセンサ - Google Patents

Claims (2)

1. トランジスタと、容量素子と、を有し、
   前記トランジスタは、酸化物半導体膜にチャネル形成領域を有し、
   前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、第１の導電膜に電気的に接続され、
   前記第１の導電膜は、金属酸化物を含み、
   前記酸化物半導体膜上に第１の絶縁膜が位置し、
   前記第１の絶縁膜上、及び前記第１の導電膜上に第２の絶縁膜が位置し、
   前記第１の導電膜は、前記第２の絶縁膜と接する領域を有し、
   前記第２の絶縁膜上に第２の導電膜が位置し、
   前記第１の導電膜は、前記容量素子の第１の電極としての機能を有し、
   前記第２の導電膜は、前記容量素子の第２の電極としての機能を有するタッチセンサであって、
   前第１の導電膜の電位の変化を用いて位置情報の検出を行う機能を有するタッチセンサ。
2. トランジスタと、容量素子と、を有し、
   前記トランジスタは、酸化物半導体膜にチャネル形成領域を有し、
   前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、第１の導電膜に電気的に接続され、
   前記第１の導電膜は、金属酸化物を含み、
   前記酸化物半導体膜上に第１の絶縁膜が位置し、
   前記第１の絶縁膜上、及び前記第１の導電膜上に第２の絶縁膜が位置し、
   前記第１の導電膜は、前記第２の絶縁膜と接する領域を有し、
   前記第２の絶縁膜上に第２の導電膜が位置し、
   前記第１の導電膜は、前記容量素子の第１の電極としての機能を有し、
   前記第２の導電膜は、前記容量素子の第２の電極としての機能を有し、
   前記第１の絶縁膜は、酸化シリコンを含み、
   前記第２の絶縁膜は、窒化シリコンを含むタッチセンサであって、
   前第１の導電膜の電位の変化を用いて位置情報の検出を行う機能を有するタッチセンサ。