KR102391478B1 - 화소, 화소를 포함하는 디스플레이 패널 및 디스플레이 패널의 제작 방법 - Google Patents

화소, 화소를 포함하는 디스플레이 패널 및 디스플레이 패널의 제작 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 화소는, 기판 위에 제공되고 스캔 라인으로부터 돌출된 게이트 전극, 상기 게이트 전극 위에 제공되는 액티브 패턴, 상기 액티브 패턴 위에 제공되는 제1 전극 및 상기 액티브 패턴 위에 제공되고 데이터 라인으로부터 돌출된 제2 전극을 포함하는 화소 트랜지스터 및 상기 기판 위에 제공되는 제1 터치 전극 및 상기 제1 터치 전극 위에 제공되는 압전 패턴을 가지는 압전 소자를 포함하고, 상기 게이트 전극을 이루는 물질이 상기 제1 터치 전극을 이루는 물질에 대응하며, 상기 액티브 패턴을 이루는 물질이 상기 압전 패턴을 이루는 물질에 대응한다.

Description

화소, 화소를 포함하는 디스플레이 패널 및 디스플레이 패널의 제작 방법{PIXEL, DISPLAY PANEL INCLUDING THE PIXEL AND MANUFACTURING METHOD OF THE DISPLAY PANEL}
본 발명의 실시예는 화소, 화소를 포함하는 디스플레이 패널 및 디스플레이 패널의 제작 방법에 관한 것이다.
스마트 기기의 발달과 함께, 디스플레이 패널에 사람의 손 또는 물체가 닿는 경우, 그 위치를 인식할 수 있는 터치 센서를 내장시키는 것이 요구되고 있다.
최근에는 터치 여부뿐 아니라 터치 압력의 정도까지 인식하는 터치 센서가 내장된 디스플레이 패널이 요구되고 있는데, 이를 구현하는 데에는 공정의 복잡성, 비용의 과다함 등의 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 해결하기 위한 연구가 진행 중이다.
본 발명의 실시예는 터치 압력의 정도를 인식하면서도 마스크의 개수가 과도하게 증가하지 않는 화소, 화소를 포함하는 디스플레이 패널 및 디스플레이 패널의 제작 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 화소는, 기판 위에 제공되고 스캔 라인으로부터 돌출된 게이트 전극, 상기 게이트 전극 위에 제공되는 액티브 패턴, 상기 액티브 패턴 위에 제공되는 제1 전극 및 상기 액티브 패턴 위에 제공되고 데이터 라인으로부터 돌출된 제2 전극을 포함하는 화소 트랜지스터 및 상기 기판 위에 제공되는 제1 터치 전극 및 상기 제1 터치 전극 위에 제공되는 압전 패턴을 가지는 압전 소자를 포함할 수 있고, 상기 게이트 전극을 이루는 물질이 상기 제1 터치 전극을 이루는 물질에 대응하며, 상기 액티브 패턴을 이루는 물질이 상기 압전 패턴을 이루는 물질에 대응할 수 있다.
실시예에 따라, 상기 압전 소자는 상기 압전 패턴 위에 제공되는 제2 터치 전극을 더 포함할 수 있고, 상기 제1 전극을 이루는 물질이 상기 제2 터치 전극을 이루는 물질에 대응할 수 있다.
실시예에 따라, 상기 액티브 패턴은 산화물 반도체를 포함할 수 있다.
실시예에 따라, 상기 화소는 센싱 트랜지스터를 더 포함하고, 상기 센싱 트랜지스터는, 상기 기판 위에 제공되고 구동 라인으로부터 돌출된 센싱 게이트 전극, 상기 센싱 게이트 전극 위에 제공되는 센싱 액티브 패턴, 상기 센싱 액티브 패턴 위에 제공되는 제1 센싱 전극 및 상기 센싱 액티브 패턴 위에 제공되고 센싱 라인으로부터 돌출된 제2 센싱 전극을 더 포함할 수 있으며, 상기 제1 센싱 전극과 상기 제2 터치 전극은 연결될 수 있고, 상기 게이트 전극을 이루는 물질이 상기 센싱 게이트 전극을 이루는 물질에 대응하며, 상기 액티브 패턴을 이루는 물질이 상기 센싱 액티브 패턴을 이루는 물질에 대응하고, 상기 제1 전극을 이루는 물질이 상기 제1 센싱 전극을 이루는 물질에 대응할 수 있다.
실시예에 따라, 상기 화소 트랜지스터는 상기 게이트 전극과 상기 액티브 패턴 사이에 제공되는 절연 패턴을 더 포함할 수 있고, 상기 센싱 트랜지스터는 상기 센싱 게이트 전극과 상기 센싱 액티브 패턴 사이에 제공되는 센싱 절연 패턴을 더 포함할 수 있으며, 상기 절연 패턴을 이루는 물질이 상기 센싱 절연 패턴을 이루는 물질에 대응할 수 있다.
실시예에 따라, 상기 화소 근처에 사용자의 터치가 발생한 경우 상기 터치에 의해 상기 압전 패턴 및 상기 제1 센싱 전극의 전압 레벨이 변경될 수 있고, 상기 구동 라인에 구동 신호가 공급되는 경우 상기 센싱 라인의 전압이 변할 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 실시예는 화소를 포함하는 디스플레이 패널이라는 다른 측면이 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 화소를 포함하는 디스플레이 패널은, 표시 영역 내에 제공된 화소들, 상기 화소들에 스캔 신호들을 전달하는 스캔 라인들, 상기 화소들에 데이터 전압들을 전달하는 데이터 라인들, 상기 표시 영역 외곽 중 적어도 일부에 제공되는 압전 소자들 및 상기 압전 소자들과 연결되어 상기 압전 소자들로부터의 센싱 신호들을 수신하는 센싱 라인들을 포함할 수 있고, 상기 화소들 중 적어도 하나는 화소 트랜지스터를 포함할 수 있으며, 상기 화소 트랜지스터는, 기판 위에 제공되고 상기 스캔 라인들 중 하나로부터 돌출된 게이트 전극, 상기 게이트 전극 위에 제공되는 액티브 패턴, 상기 액티브 패턴 위에 제공되는 제1 전극 및 상기 액티브 패턴 위에 제공되고 상기 데이터 라인들 중 하나로부터 돌출된 제2 전극을 포함할 수 있고, 상기 압전 소자들 중 제1 압전 소자는, 상기 기판 위에 제공되는 제1 터치 전극 및 상기 제1 터치 전극 위에 제공되는 압전 패턴을 포함할 수 있으며, 상기 게이트 전극을 이루는 물질이 상기 제1 터치 전극을 이루는 물질에 대응하며, 상기 액티브 패턴을 이루는 물질이 상기 압전 패턴을 이루는 물질에 대응하고, 상기 제1 전극을 이루는 물질이 상기 제2 터치 전극을 이루는 물질에 대응할 수 있다.
실시예에 따라, 상기 제1 압전 소자 근처에 사용자의 터치가 발생한 경우 상기 터치에 의해 상기 압전 패턴 및 상기 제1 터치 전극의 전압 레벨이 변경될 수 있다.
실시예에 따라, 상기 제1 압전 소자는 상기 압전 패턴 위에 제공되는 제2 터치 전극을 더 포함할 수 있고, 상기 제1 전극을 이루는 물질이 상기 제2 터치 전극을 이루는 물질에 대응할 수 있다.
실시예에 따라, 상기 제1 압전 소자 근처에 사용자의 터치가 발생한 경우 상기 터치에 의해 상기 제1 터치 전극 및 상기 제2 터치 전극의 전압 레벨 차이가 변경될 수 있다.
또한, 본 발명의 또 다른 실시예는 디스플레이 패널의 제작 방법이라는 다른 측면이 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 패널의 제작 방법은, 기판 위에 게이트 전극 및 제1 터치 전극을 동시에 형성하는 단계, 상기 게이트 전극 위에 상기 제1 터치 전극 중 적어도 일부가 외부에 노출되도록 개구부가 형성된 절연 패턴을 형성하는 단계 및 상기 절연 패턴 위에 액티브 패턴을 형성하는 동시에 상기 개구부 위에 압전 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
실시예에 따라, 상기 게이트 전극 및 제1 터치 전극을 동시에 형성하는 단계에서, 센싱 게이트 전극이 더 형성될 수 있고, 상기 압전 패턴을 형성하는 단계에서, 상기 절연 패턴 위에 센싱 액티브 패턴이 더 형성될 수 있다.
실시예에 따라, 상기 디스플레이 패널의 제작 방법은 상기 액티브 패턴 위에 제1 전극과 제2 전극을 형성하는 동시에 상기 압전 패턴 위에 제2 터치 전극을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예는 터치 압력의 정도를 인식하면서도 마스크의 개수가 과도하게 증가하지 않는 화소, 화소를 포함하는 디스플레이 패널 및 디스플레이 패널의 제작 방법을 제공하는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 패널을 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 도 1의 디스플레이 패널 내 화소의 일 실시예를 설명하기 위한 도면이다.
도 3a은 도 2의 화소를 I-I' 선을 따라 자른 단면도이다.
도 3b는 도 2의 화소를 II-II' 선을 따라 자른 단면도이다.
도 4는 도 2의 화소 중 터치를 센싱하는 부분의 회로도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 패널을 설명하기 위한 도면이다.
도 6a는 도 5의 디스플레이 패널 내 화소의 일 실시예를 설명하기 위한 도면이다.
도 6b는 도 5의 디스플레이 패널 내 압전 소자의 일 실시예를 설명하기 위한 도면이다.
도 7a는 도 6a의 화소를 III-III'선을 따라 자른 단면도이다.
도 7b는 도 6b의 압전 소자를 IV-IV'선을 따라 자른 단면도이다.
도 8a 내지 도 11b은 도 1의 디스플레이 패널을 제작하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 12a 내지 도 15b는 도 5의 디스플레이 패널을 제작하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 이하의 설명에서 사용되는 구성요소 명칭은 명세서 작성의 용이함을 고려하여 선택된 것일 수 있는 것으로서, 실제 제품의 부품 명칭과는 상이할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 패널을 설명하기 위한 도면이다. 표시 장치는 디스플레이 패널(100), 디스플레이 패널 구동부(200) 및 터치 구동부(300)를 포함한다.
도 1을 참조하면, 디스플레이 패널(100)은 화소들(P(1, 1) 내지 P(m, n), m 및 n은 각각 자연수), 화소들(P(1, 1) 내지 P(m, n), 이하 P)에 데이터 전압들을 전달하고 제2 방향(Di2)으로 연장된 데이터 라인들(D1 내지 Dn, 이하 D), 화소들(P)에 스캔 신호들을 전달하고 제1 방향(Di1)으로 연장된 스캔 라인들(S1 내지 Sm, 이하 S), 화소들(P)에 구동 신호들을 전달하고 제1 방향(Di1)으로 연장된 구동 라인들(TX1 내지 TXm, 이하 TX) 및 화소들(P)로부터의 센싱 신호들을 전달하고 제2 방향(Di2)으로 연장된 센싱 라인들(RX1 내지 RXn, 이하 RX)을 포함한다. 화소들(P)은 제1 방향(Di1)으로는 n개 배열되고 제2 방향(Di2)으로는 m개 배열된다. 각각의 화소(P)의 상세한 구조는 도 2 내지 도 4를 참조하여 설명될 것이다.
디스플레이 패널 구동부(200)는 타이밍 컨트롤러(220), 데이터 구동부(230) 및 스캔 구동부(240)를 포함한다.
타이밍 컨트롤러(220)는 외부로부터 영상 신호들(DATA) 및 타이밍 신호들(TS)을 수신한다.
영상 신호들(DATA)은 화소들(P)에 각각 대응할 수 있다. 타이밍 신호들(TS)은 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 데이터 인에이블 신호(Data Enable, DE), 도트 클럭 신호(CLK) 등을 포함할 수 있다.
타이밍 컨트롤러(220)는 수신된 영상 신호들(DATA)을 데이터 구동부(230)에 전달하고, 타이밍 신호들(TS)을 기반으로 데이터 타이밍 제어 신호(DCS)를 생성하여 데이터 구동부(230)에 송신하며, 타이밍 신호들(TS)을 기반으로 스캔 타이밍 제어 신호(SCS)를 생성하여 스캔 구동부(240)에 송신한다.
데이터 구동부(230)는 데이터 타이밍 제어신호(DCS)에 응답하여 타이밍 콘트롤러(220)로부터 입력되는 영상 신호들(DATA)을 래치한다. 데이터 구동부(230)는 다수의 소스 드라이브 IC들을 포함하며, 소스 드라이브 IC들은 COG(Chip On Glass) 공정이나 TAB(Tape Automated Bonding) 공정에 의해 디스플레이 패널(100)의 데이터 라인들(D)에 전기적으로 접속될 수 있다. 데이터 구동부(230)는 영상 신호들(DATA)을 기반으로 데이터 전압들을 생성하여 데이터 라인들(D)에 데이터 전압들을 공급할 수 있다.
스캔 구동부(240)는 스캔 타이밍 제어신호(SCS)에 응답하여 스캔 신호를 스캔 라인들(S)에 순차적으로 또는 비순차적으로 인가한다. 스캔 신호 구동부(240)는 GIP(Gate In Panel) 방식으로 디스플레이 패널(100)의 기판 상에 직접 형성되거나 TAB 방식으로 디스플레이 패널(100)의 스캔 라인들(S)에 전기적으로 접속될 수 있다.
터치 구동부(300)는 구동 신호 송신부(310) 및 센싱 신호 수신부(320)를 포함한다.
구동 신호 송신부(310)는 구동 라인들(TX)에 구동 신호들을 순차적으로 또는 비순차적으로 송신한다. 구동 신호들은 구동 라인들(TX)을 거쳐 화소들(P)에 공급된다.
센싱 신호 수신부(320)는 화소들(P)로부터의 센싱 신호들을 수신한다. 화소들(P)로부터의 센싱 신호들은 센싱 라인들(RX)을 거쳐 센싱 신호 수신부(320)에 도달한다.
도 2는 도 1의 디스플레이 패널 내 화소의 일 실시예를 설명하기 위한 도면이고, 도 3a는 도 2의 화소를 I-I' 선을 따라 자른 단면도이며, 도 3b는 도 2의 화소를 II-II' 선을 따라 자른 단면도를 함께 표시한 도면이고, 도 4는 도 2의 화소 중 터치를 센싱하는 부분의 회로도이다.
설명의 편의를 위해, 화소들(P) 중 화소(P(m, n))에 대해서만 설명될 것이고, 트랜지스터와 관련된 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극 및 반도체 패턴에 대해서만 설명될 것이다.
화소(P(m, n))는 화소 트랜지스터(PT), 압전 소자(PS) 및 센싱 트랜지스터(ST)를 포함한다. 화소(P(m, n))는 스캔 라인(Sm), 데이터 라인(Dn), 구동 라인(TXm) 및 센싱 라인(RXn)과 연결된다.
화소 트랜지스터(PT)는 기판(BS) 위에 제공되고, 스캔 라인(Sm)으로부터 돌출된 게이트 전극(GE), 게이트 전극(GE) 위에 제공되는 절연 패턴(IS), 절연 패턴(IS) 위에 제공되는 액티브 패턴(ACT), 액티브 패턴(ACT) 위에 제공되는 제1 전극(EL1) 및 액티브 패턴(ACT) 위에 제공되고 데이터 라인(Dn)으로부터 돌출된 제2 전극(EL2)을 포함한다.
압전 소자(PS)는 기판(BS) 위에 제공되는 제1 터치 전극(TEL1), 제1 터치 전극(TEL1) 위에 제공되는 압전 패턴(PP) 및 압전 패턴(PP) 위에 제공되는 제2 터치 전극(TEL2)을 포함한다.
센싱 트랜지스터(ST)는 기판(BS) 위에 제공되고 구동 라인(TXm)으로부터 돌출된 센싱 게이트 전극(SGE), 센싱 게이트 전극(SGE) 위에 제공되는 센싱 절연 패턴(SIS), 센싱 절연 패턴(SIS) 위에 제공되는 센싱 액티브 패턴(SACT), 센싱 액티브 패턴(SACT) 위에 제공되는 제1 센싱 전극(SEL1) 및 센싱 액티브 패턴(SACT) 위에 제공되고 센싱 라인(RXn)으로부터 돌출된 제2 센싱 전극(SEL2)을 포함한다.
제2 터치 전극(TEL2)은 제1 센싱 전극(SEL1)과 연결될 수 있다.
게이트 전극(GE), 제1 터치 전극(TEL1) 및 센싱 게이트 전극(SGE)은 동시에 형성될 수 있고, 이 경우 게이트 전극(GE), 제1 터치 전극(TEL1) 및 센싱 게이트 전극(SGE)을 이루는 물질은 실질적으로 동일할 수 있다. 제1 전극(EL1), 제2 전극(EL2), 제2 터치 전극(TEL2), 제1 센싱 전극(SEL1) 및 제2 센싱 전극(SEL2)도 동시에 형성될 수 있고, 이 경우 제1 전극(EL1), 제2 전극(EL2), 제2 터치 전극(TEL2), 제1 센싱 전극(SEL1) 및 제2 센싱 전극(SEL2)을 이루는 물질은 실질적으로 동일할 수 있다. 전극들(GE, TEL1, SGE, EL1, EL2, TEL2, SEL1, SEL2)을 이루는 물질은 도전성을 가지고, 알루미늄(Al), 구리(Cu) 등의 금속을 포함할 수 있다.
마찬가지로, 절연 패턴(IS) 및 센싱 절연 패턴(SIS)도 동시에 형성될 수 있고, 이 경우 절연 패턴(IS) 및 센싱 절연 패턴(SIS)을 이루는 물질은 실질적으로 동일할 수 있다. 절연 패턴(IS) 및 센싱 절연 패턴(SIS)을 이루는 물질은 절연성을 가지고, 실리콘 산화물(SiOx) 및 실리콘 질화물(SiNx) 등을 포함할 수 있다.
액티브 패턴(ACT), 압전 패턴(PP) 및 센싱 액티브 패턴(SACT)은 동시에 형성될 수 있고, 이 경우 액티브 패턴(ACT), 압전 패턴(PP) 및 센싱 액티브 패턴(SACT)을 이루는 물질은 실질적으로 동일할 수 있다. 액티브 패턴(ACT), 압전 패턴(PP) 및 센싱 액티브 패턴(SACT)을 이루는 물질은 반도체이고, 압전성을 가진다. 액티브 패턴(ACT), 압전 패턴(PP) 및 센싱 액티브 패턴(SACT)을 이루는 물질의 예로, 산화물 반도체가 가능하다. 산화물 반도체로는 산화 아연(ZnO) 등이 가능하다. 액티브 패턴(ACT) 및 압전 패턴(PP)을 동시에 형성하는 것은 액티브 패턴(ACT) 및 압전 패턴(PP)을 별도로 형성하는 것에 비해 공정이 간단해지고 마스크 수가 감소한다. 도 2를 참조한 실시예에서는 액티브 패턴(ACT)이 데이터 라인(Dn)과 별도의 공정으로 형성되는 것처럼 도시되었으나, 이는 실시예에 불과하다.
도 4는 도 2의 화소 중 터치를 센싱하는 부분의 회로도이다.
도 4를 참조하면, 구동 라인(TXm)에 구동 신호가 공급되는 경우, 센싱 트랜지스터(ST)가 턴-온된다. 센싱 라인(RXn)이 압전 소자(PS)의 전압 레벨을 수신하여 센싱 신호 수신부(320)에 전달한다. 터치의 여부 또는 강도에 의해 압전 소자(PS)의 전압 레벨이 달라지는 경우, 센싱 신호 수신부(320)는 이를 수신하여 특정 지점의 터치 여부 및 세기를 알 수 있다.
실시예에 따라, 화소들(P) 중 일부는 압전 소자(PS) 및 센싱 트랜지스터(ST)를 포함하지 않을 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 패널을 설명하기 위한 도면이다.
도 5에서 도시된 디스플레이 패널은 디스플레이 패널(100'), 디스플레이 패널 구동부(200) 및 터치 구동부(300')를 포함한다. 이하에서, 도 1과 동일한 구성을 가져서 동일한 번호에 대응되는 구성에 대한 설명은 생략되었다.
디스플레이 패널(100')은 표시 영역(DA) 및 터치 감지 영역(TSA)을 포함한다. 표시 영역(DA)은 화소들(P'(1, 1) 내지 P'(m, n), 이하 P'), 화소들(P')에 스캔 신호들을 전달하는 스캔 라인들(S) 및 화소들(P')에 데이터 전압들을 전달하는 데이터 라인들(D)을 포함한다. 터치 감지 영역(TSA)은 압전 센서들(PS'-1 내지 PS'-q, q는 양의 정수) 및 압전 센서들(PS'-1 내지 PS'-q, 이하 PS')에 각각 연결된 센싱 라인들(Rx'1 내지 Rx'q, 이하 Rx')을 포함한다.
터치 구동부(300')는 센싱 라인들(Rx')로부터의 전압을 입력받고 각각의 압전 센서들(PS')에 대한 터치 입력의 여부 및 세기를 판단한다.
도 6a는 도 5의 디스플레이 패널 내 화소의 일 실시예를 설명하기 위한 도면이고, 도 6b는 도 5의 디스플레이 패널 내 압전 소자의 일 실시예를 설명하기 위한 도면이며, 도 7a는 도 6a의 화소를 III-III' 선을 따라 자른 단면도이고, 도 7b는 도 6b의 압전 소자를 IV-IV' 선을 따라 자른 단면도이다.
설명의 편의를 위해, 화소들(P') 중 화소(P'(m, n))에 대해서만 설명될 것이고, 압전 소자들(PS') 중 압전 소자(PS'-1)에 대해서만 설명될 것이다. 트랜지스터와 관련된 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극 및 반도체 패턴에 대해서만 설명될 것이므로 트랜지스터와의 연관성이 상대적으로 낮은 부분은 생략되었다.
화소(P'(m, n))는 화소 트랜지스터(PT)를 포함하고, 화소(P'(m, n))는 스캔 라인(Sm), 데이터 라인(Dn)과 연결된다.
화소 트랜지스터(PT)는 도 2를 참조하여 설명된 것과 같이 기판(BS) 위에 제공되는 게이트 전극(GE), 절연 패턴(IS), 액티브 패턴(ACT), 제1 전극(EL1) 및 제2 전극(EL2)을 포함한다.
압전 소자(PS'-1)는 기판(BS) 위에 제공되는 제1 터치 전극(TEL1'), 제1 터치 전극(TEL1') 위에 제공되는 압전 패턴(PP') 및 압전 패턴(PP') 위에 제공되는 제2 터치 전극(TEL2')을 포함한다. 제1 터치 전극(TEL1')은 센싱 라인(Rx'1)과 연결되었다. 실시예에 따라, 제1 터치 전극(TEL1') 중 일부의 위에 센싱 절연 패턴(SIS')이 제공될 수도 있다.
도 6a를 참조한 실시예에서는 액티브 패턴(ACT)이 데이터 라인(Dn)과 별도의 공정으로 형성되는 것처럼 도시되었으나, 이는 실시예에 불과하다. 금속층에 대한 패턴 형성을 하면서 액티브 패턴이 형성될 수도 있다.
도 8a 내지 도 11b는 도 1의 디스플레이 패널을 제작하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
이하에서, 도 1 내지 도 4를 추가적으로 참조하여 디스플레이 패널을 제작하는 방법이 설명될 것이다.
도 8a 및 도 8b를 참조하면, 기판(BS) 위에 게이트 전극(GE), 제1 터치 전극(TEL1) 및 센싱 게이트 전극(SGE)이 동시에 형성된다. 게이트 전극(GE), 제1 터치 전극(TEL1) 및 센싱 게이트 전극(SGE)이 동시에 형성되는 경우, 게이트 전극(GE), 제1 터치 전극(TEL1) 및 센싱 게이트 전극(SGE)을 이루는 물질은 실질적으로 동일할 수 있고, 예를 들어 도전성을 가지는 금속일 수 있다.
금속층 형성, 패턴된 감광층 형성, 금속층 식각 및 감광층 제거의 순차적 수행 또는 패턴된 감광층 형성, 금속층 형성 및 감광층과 그 위에 형성된 금속층 제거의 순차적 수행에 의해 게이트 전극(GE), 제1 터치 전극(TEL1) 및 센싱 게이트 전극(SGE)가 동시에 형성될 수 있다. 여기서, 패턴된 감광층 형성은 1개의 마스크를 사용하여 수행될 수 있다.
도 9a 및 도 9b를 참조하면, 절연 패턴(IS) 및 센싱 절연 패턴(SIS)이 동시에 형성된다. 게이트 전극(GE) 위에는 절연 패턴(IS)이 형성되고, 센싱 게이트 전극(SGE) 위에는 센싱 절연 패턴(SIS)이 형성되며, 제1 터치 전극(TEL1) 위에는 개구부(OPN)가 형성된다. 개구부(OPN)로 인해 제1 터치 전극(TEL1) 중 적어도 일부가 외부에 노출된다. 절연 패턴(IS) 및 센싱 절연 패턴(SIS)이 동시에 형성되는 경우, 절연 패턴(IS) 및 센싱 절연 패턴(SIS)을 이루는 물질은 실질적으로 동일할 수 있다.
절연 패턴(IS) 및 센싱 절연 패턴(SIS)은 절연층 형성, 패턴된 감광층 형성, 절연층 식각 및 감광층 제거의 순차적 수행에 의해 형성될 수 있다. 여기서, 패턴된 감광층 형성은 1개의 마스크를 사용하여 수행될 수 있다.
도 10a 및 도 10b을 참조하면, 액티브 패턴(ACT), 압전 패턴(PP) 및 센싱 액티브 패턴(SACT)이 동시에 형성된다. 절연 패턴(IS) 중 적어도 일부 위에는 액티브 패턴(ACT)이 형성되고, 개구부(OPN) 중 적어도 일부 위에는 압전 패턴(PP)이 형성되며, 센싱 절연 패턴(SIS) 중 적어도 일부 위에는 센싱 액티브 패턴(SACT)이 형성된다. 액티브 패턴(ACT), 압전 패턴(PP) 및 센싱 액티브 패턴(SACT)이 동시에 형성되는 경우, 액티브 패턴(ACT), 압전 패턴(PP) 및 센싱 액티브 패턴(SACT)을 이루는 물질은 실질적으로 동일할 수 있고, 예를 들어 압전성을 가지는 산화물 반도체일 수 있다. 여기서, 액티브 패턴(ACT), 압전 패턴(PP) 및 센싱 액티브 패턴(SACT)이 형성되는 것은 1개의 마스크를 사용하여 수행될 수 있다.
액티브 패턴(ACT), 압전 패턴(PP) 및 센싱 액티브 패턴(SACT)은 산화물층 형성, 패턴된 감광층 형성, 산화물층 식각 및 감광층 제거의 순차적 수행에 의해 형성될 수 있다. 액티브 패턴(ACT) 및 센싱 액티브 패턴(SACT) 중 일부는 도핑이 될 수 있다.
도 10a 및 도 10b을 참조하면, 액티브 패턴(ACT), 압전 패턴(PP) 및 센싱 액티브 패턴(SACT)이 1개의 마스크를 사용하여 형성될 수 있다. 즉, 액티브 패턴(ACT)과 압전 패턴(PP)이 동시에 형성되므로, 화소들(P) 내 압전 소자(PS)들이 포함되더라도 마스크의 수가 과도하게 증가하지 않는다.
도 11a 및 도 11b를 참조하면, 제1 전극(EL1), 제2 전극(EL2), 제2 터치 전극(TEL2), 제1 센싱 전극(SEL1) 및 제2 센싱 전극(SEL2)이 동시에 형성된다. 액티브 패턴(ACT) 위의 적어도 일부에는 제1 전극(EL1), 제2 전극(EL2)이 서로 겹치지 않도록 형성된다. 압전 패턴(PP) 위에는 제2 터치 전극(TEL2)이 형성된다. 센싱 액티브 패턴(SACT) 위의 적어도 일부에는 제1 센싱 전극(SEL1), 제2 센싱 전극(SEL2)이 서로 겹치지 않도록 형성된다. 제1 전극(EL1), 제2 전극(EL2), 제2 터치 전극(TEL2), 제1 센싱 전극(SEL1) 및 제2 센싱 전극(SEL2)이 동시에 형성되는 경우, 제1 전극(EL1), 제2 전극(EL2), 제2 터치 전극(TEL2), 제1 센싱 전극(SEL1) 및 제2 센싱 전극(SEL2)을 이루는 물질은 실질적으로 동일할 수 있고, 예를 들어 도전성을 가지는 금속일 수 있다. 제1 센싱 전극(SEL1)은 제2 터치 전극(TEL2)에 연결될 수 있다.
도 12a 내지 도 15b는 도 5의 디스플레이 패널을 제작하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
이하에서, 도 1 내지 도 7을 추가적으로 참조하여 디스플레이 패널을 제작하는 방법이 설명될 것이다.
도 12a 및 도 12b를 참조하면, 기판(BS) 위에 게이트 전극(GE) 및 제1 터치 전극(TEL1')이 동시에 형성된다. 게이트 전극(GE) 및 제1 터치 전극(TEL1')이 동시에 형성되는 경우, 게이트 전극(GE), 제1 터치 전극(TEL1')을 이루는 물질은 실질적으로 동일할 수 있고, 예를 들어 도전성을 가지는 금속일 수 있다. 도 8a 및 도 8b를 참조하여 설명된 것과 유사하게, 1개의 마스크를 사용하여 게이트 전극(GE) 및 제1 터치 전극(TEL1')이 동시에 형성될 수 있다.
도 13a 및 도 13b를 참조하면, 절연 패턴(IS) 및 센싱 절연 패턴(SIS')이 동시에 형성된다. 게이트 전극(GE) 위에는 절연 패턴(IS)이 형성되고, 제1 터치 전극(TEL1') 중 일부의 위에는 센싱 절연 패턴(SIS')이 형성되며, 제1 터치 전극(TEL1') 중 나머지 부분의 위에는 개구부(OPN')가 형성된다. 개구부(OPN')로 인해 제1 터치 전극(TEL1') 중 적어도 일부가 외부에 노출된다. 절연 패턴(IS) 및 센싱 절연 패턴(SIS')이 동시에 형성되는 경우, 절연 패턴(IS) 및 센싱 절연 패턴(SIS')을 이루는 물질은 실질적으로 동일할 수 있다. 도 9a 및 도 9b를 참조하여 설명된 것과 유사하게, 1개의 마스크를 사용하여 절연 패턴(IS) 및 센싱 절연 패턴(SIS')이 동시에 형성될 수 있다.
도 14a 및 도 14b를 참조하면, 액티브 패턴(ACT) 및 압전 패턴(PP')이 동시에 형성된다. 절연 패턴(IS) 중 적어도 일부 위에는 액티브 패턴(ACT)이 형성되고, 개구부(OPN') 중 적어도 일부 위에는 압전 패턴(PP')이 형성된다. 액티브 패턴(ACT) 및 압전 패턴(PP')이 동시에 형성되는 경우, 액티브 패턴(ACT) 및 압전 패턴(PP')을 이루는 물질은 실질적으로 동일할 수 있고, 예를 들어 압전성을 가지는 산화물 반도체일 수 있다.
액티브 패턴(ACT) 및 압전 패턴(PP')은 산화물층 형성, 패턴된 감광층 형성, 산화물층 식각 및 감광층 제거의 순차적 수행에 의해 형성될 수 있다. 도 10a 및 도 10b를 참조하여 설명된 것과 유사하게, 1개의 마스크를 사용하여 액티브 패턴(ACT) 및 압전 패턴(PP')이 동시에 형성될 수 있다. 액티브 패턴(ACT) 중 일부는 도핑이 될 수 있다.
도 14a 및 도 14b을 참조하면, 액티브 패턴(ACT) 및 압전 패턴(PP')이 1개의 마스크를 사용하여 형성될 수 있다. 즉, 액티브 패턴(ACT)과 압전 패턴(PP')이 동시에 형성되므로, 디스플레이 패널(100) 내 압전 소자(PS’)들이 포함되더라도 마스크의 수가 과도하게 증가하지 않는다.
도 15a 및 도 15b를 참조하면, 제1 전극(EL1), 제2 전극(EL2) 및 제2 터치 전극(TEL2')이 동시에 형성된다. 액티브 패턴(ACT) 위의 적어도 일부에는 제1 전극(EL1), 제2 전극(EL2)이 서로 겹치지 않도록 형성된다. 압전 패턴(PP') 위에는 제2 터치 전극(TEL2')이 형성된다. 제1 전극(EL1), 제2 전극(EL2) 및 제2 터치 전극(TEL2')이 동시에 형성되는 경우, 제1 전극(EL1), 제2 전극(EL2) 및 제2 터치 전극(TEL2')은 실질적으로 동일할 수 있고, 예를 들어 도전성을 가지는 금속일 수 있다.
금속층 형성, 패턴된 감광층 형성, 금속층 식각 및 감광층 제거의 순차적 수행 또는 패턴된 감광층 형성, 금속층 형성 및 감광층과 그 위에 형성된 금속층 제거의 순차적 수행에 의해 제1 전극(EL1), 제2 전극(EL2) 및 제2 터치 전극(TEL2')가 동시에 형성될 수 있다. 여기서, 패턴된 감광층 형성은 1개의 마스크를 사용하여 수행될 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
PT: 화소 트랜지스터 PS: 압전 소자
ST: 센싱 트랜지스터 PP: 압전 패턴
ACT: 액티브 패턴

Claims (13)

  1. 기판 위에 제공되고 스캔 라인과 연결되는 게이트 전극, 상기 게이트 전극 위에 제공되는 액티브 패턴, 상기 액티브 패턴 위에 제공되는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하고, 상기 제2 전극은 데이터 라인과 연결되는 화소 트랜지스터; 및
    상기 기판 위에 제공되는 제1 터치 전극 및 상기 제1 터치 전극 위에 제공되는 압전 패턴을 가지는 압전 소자를 포함하고,
    상기 게이트 전극과 상기 제1 터치 전극은 동일한 물질로 구성되고, 상기 액티브 패턴과 상기 압전 패턴은 동일한 물질로 구성되는 화소.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 압전 소자는 상기 압전 패턴 위에 제공되는 제2 터치 전극을 더 포함하고,
    상기 제1 전극과 상기 제2 터치 전극은 동일한 물질로 구성되는 화소.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 액티브 패턴은 산화물 반도체를 포함하는 화소.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 화소는 센싱 트랜지스터를 더 포함하고,
    상기 센싱 트랜지스터는,
    상기 기판 위에 제공되고 구동 라인과 연결되는 센싱 게이트 전극;
    상기 센싱 게이트 전극 위에 제공되는 센싱 액티브 패턴;
    상기 센싱 액티브 패턴 위에 제공되는 제1 센싱 전극; 및
    상기 센싱 액티브 패턴 위에 제공되고 센싱 라인과 연결되는 제2 센싱 전극을 더 포함하며,
    상기 제1 센싱 전극과 상기 제2 터치 전극은 연결되고,
    상기 게이트 전극과 상기 센싱 게이트 전극은 동일한 물질로 구성되고, 상기 액티브 패턴과 상기 센싱 액티브 패턴은 동일한 물질로 구성되고, 상기 제1 전극과 상기 제1 센싱 전극은 동일한 물질로 구성되는 화소.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 화소 트랜지스터는 상기 게이트 전극과 상기 액티브 패턴 사이에 제공되는 절연 패턴을 더 포함하고,
    상기 센싱 트랜지스터는 상기 센싱 게이트 전극과 상기 센싱 액티브 패턴 사이에 제공되는 센싱 절연 패턴을 더 포함하며,
    상기 절연 패턴과 상기 센싱 절연 패턴은 동일한 물질로 구성되는 화소.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 화소 근처에 사용자의 터치가 발생한 경우 상기 터치에 의해 상기 압전 패턴 및 상기 제1 센싱 전극의 전압 레벨이 변경되고,
    상기 구동 라인에 구동 신호가 공급되는 경우 상기 센싱 라인의 전압이 변하는 화소.
  7. 표시 영역 내에 제공된 화소들;
    상기 화소들에 스캔 신호들을 전달하는 스캔 라인들;
    상기 화소들에 데이터 전압들을 전달하는 데이터 라인들;
    상기 표시 영역 외곽 중 적어도 일부에 제공되는 압전 소자들; 및
    상기 압전 소자들과 연결되어 상기 압전 소자들로부터의 센싱 신호들을 수신하는 센싱 라인들을 포함하고,
    상기 화소들 중 적어도 하나는 화소 트랜지스터를 포함하며,
    상기 화소 트랜지스터는,
    기판 위에 제공되고 상기 스캔 라인들 중 하나와 연결되는 게이트 전극;
    상기 게이트 전극 위에 제공되는 액티브 패턴;
    상기 액티브 패턴 위에 제공되는 제1 전극; 및
    상기 액티브 패턴 위에 제공되고 상기 데이터 라인들 중 하나와 연결되는 제2 전극을 포함하고,
    상기 압전 소자들 중 제1 압전 소자는,
    상기 기판 위에 제공되는 제1 터치 전극; 및
    상기 제1 터치 전극 위에 제공되는 압전 패턴을 포함하며,
    상기 게이트 전극과 상기 제1 터치 전극은 동일한 물질로 구성되고, 상기 액티브 패턴과 상기 압전 패턴은 동일한 물질로 구성되는 디스플레이 패널.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 압전 소자 근처에 사용자의 터치가 발생한 경우 상기 터치에 의해 상기 압전 패턴 및 상기 제1 터치 전극의 전압 레벨이 변경되는 디스플레이 패널.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 제1 압전 소자는 상기 압전 패턴 위에 제공되는 제2 터치 전극을 더 포함하고,
    상기 제1 전극과 상기 제2 터치 전극은 동일한 물질로 구성되는 디스플레이 패널.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 압전 소자 근처에 사용자의 터치가 발생한 경우 상기 터치에 의해 상기 제1 터치 전극 및 상기 제2 터치 전극의 전압 레벨 차이가 변경되는 디스플레이 패널.
  11. 기판 위에 게이트 전극 및 제1 터치 전극을 동시에 형성하는 단계;
    상기 게이트 전극 위에 상기 제1 터치 전극 중 적어도 일부가 외부에 노출되도록 개구부가 형성된 절연 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 절연 패턴 위에 액티브 패턴을 형성하는 동시에 상기 개구부 위에 압전 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 디스플레이 패널의 제작 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 게이트 전극 및 제1 터치 전극을 동시에 형성하는 단계에서, 센싱 게이트 전극이 더 형성되고,
    상기 압전 패턴을 형성하는 단계에서, 상기 절연 패턴 위에 센싱 액티브 패턴이 더 형성되는 디스플레이 패널의 제작 방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 디스플레이 패널의 제작 방법은 상기 액티브 패턴 위에 제1 전극과 제2 전극을 형성하는 동시에 상기 압전 패턴 위에 제2 터치 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 디스플레이 패널의 제작 방법.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105700745A (zh) * 2016-01-08 2016-06-22 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、驱动方式、触摸屏、显示装置
CN105808029B (zh) * 2016-03-17 2019-01-15 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板、触摸屏及显示装置
CN105974637B (zh) * 2016-07-22 2019-03-12 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置及其触摸位置检测方法
CN107193419B (zh) * 2017-05-25 2020-03-10 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板及其使用方法、显示面板、显示装置
CN107221537B (zh) * 2017-06-30 2019-12-17 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板制作方法
CN111164774B (zh) * 2017-10-02 2024-02-09 阿尔卑斯阿尔派株式会社 输入装置
CN107861656A (zh) * 2017-11-08 2018-03-30 合肥鑫晟光电科技有限公司 触摸屏的制造方法、显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006048453A (ja) 2004-08-05 2006-02-16 Fujitsu Component Ltd タッチパネルおよびタッチパネルの製造方法
JP2015187701A (ja) 2013-12-02 2015-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置およびその作製方法
JP2015187850A (ja) 2014-03-07 2015-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 タッチセンサ、タッチパネル、及びタッチパネルの作製方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100964559B1 (ko) * 2003-04-25 2010-06-21 삼성전자주식회사 지문 인식장치
CN100466318C (zh) 2003-05-22 2009-03-04 富士通株式会社 压电元件及其制造方法、以及触摸面板装置
US8350817B2 (en) 2006-09-11 2013-01-08 Sharp Kabushiki Kaisha Display device provided with touch panel
US9262003B2 (en) * 2013-11-04 2016-02-16 Qualcomm Incorporated Piezoelectric force sensing array
KR102082425B1 (ko) * 2013-06-10 2020-02-28 삼성디스플레이 주식회사 평판표시장치
CN104808403B (zh) * 2015-05-08 2018-05-15 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置
US10067229B2 (en) * 2015-09-24 2018-09-04 Qualcomm Incorporated Receive-side beam forming for an ultrasonic image sensor

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006048453A (ja) 2004-08-05 2006-02-16 Fujitsu Component Ltd タッチパネルおよびタッチパネルの製造方法
JP2015187701A (ja) 2013-12-02 2015-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置およびその作製方法
JP2015187850A (ja) 2014-03-07 2015-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 タッチセンサ、タッチパネル、及びタッチパネルの作製方法

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