JP2015216367A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 酸化物半導体膜と、第１の導電膜と、第２の導電膜と、第３の導電膜と、第１の絶縁膜と、第２の絶縁膜と、第３の絶縁膜と、を有し、
   前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域と、第３の領域と、第４の領域と、第５の領域と、を有し、
   前記第１の領域は、前記第１の導電膜と前記酸化物半導体膜とが互いに接する領域を有し、
   前記第２の領域は、前記第１の絶縁膜と前記酸化物半導体膜とが互いに接する領域を有し、
   前記第３の領域は、前記第３の絶縁膜と前記酸化物半導体膜とが互いに接する領域を有し、
   前記第４の領域は、前記第２の絶縁膜と前記酸化物半導体膜とが互いに接する領域を有し、
   前記第５の領域は、前記第２の導電膜と前記酸化物半導体膜とが互いに接する領域を有し、
   前記第１の絶縁膜は、前記第１の導電膜上及び前記酸化物半導体膜上に設けられ、
   前記第２の絶縁膜は、前記第２の導電膜上及び前記酸化物半導体膜上に設けられ、
   前記第３の絶縁膜は、前記第１の絶縁膜上、前記第２の絶縁膜上及び前記酸化物半導体膜上に設けられ、
   前記第３の導電膜は、前記酸化物半導体膜と前記第３の絶縁膜を介して、重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
2. 酸化物半導体膜と、第１の導電膜と、第２の導電膜と、第３の導電膜と、第４の導電膜と、第１の絶縁膜と、第２の絶縁膜と、第３の絶縁膜と、第４の絶縁膜と、を有し、
   前記第４の絶縁膜は、前記第４の導電膜上に設けられ、
   前記酸化物半導体膜は、前記第４の絶縁膜上に設けられ、
   前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域と、第３の領域と、第４の領域と、第５の領域と、を有し、
   前記第１の領域は、前記第１の導電膜と前記酸化物半導体膜とが互いに接する領域を有し、
   前記第２の領域は、前記第１の絶縁膜と前記酸化物半導体膜とが互いに接する領域を有し、
   前記第３の領域は、前記第３の絶縁膜と前記酸化物半導体膜とが互いに接する領域を有し、
   前記第４の領域は、前記第２の絶縁膜と前記酸化物半導体膜とが互いに接する領域を有し、
   前記第５の領域は、前記第２の導電膜と前記酸化物半導体膜とが互いに接する領域を有し、
   前記第１の絶縁膜は、前記第１の導電膜上及び前記酸化物半導体膜上に設けられ、
   前記第２の絶縁膜は、前記第２の導電膜上及び前記酸化物半導体膜上に設けられ、
   前記第３の絶縁膜は、前記第１の絶縁膜上、前記第２の絶縁膜上及び前記酸化物半導体膜上に設けられ、
   前記第３の導電膜は、前記酸化物半導体膜と前記第３の絶縁膜を介して、重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜は、水素を有し、
   前記第２の領域は、前記第３の領域よりも、抵抗値が低い領域を有し、
   前記第４の領域は、前記第３の領域よりも、抵抗値が低い領域を有することを特徴とする半導体装置。
4. チャネル形成領域を有する、酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ソース電極と、
   前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ドレイン電極と、
   前記ソース電極の上面、及び前記チャネル形成領域側の側面と重なる領域を有する、第１の絶縁膜と、
   前記ドレイン電極の上面、及び前記チャネル形成領域側の側面と重なる領域を有する、第２の絶縁膜と、
   前記酸化物半導体膜、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜上に設けられた、第３の絶縁膜と、
   前記第３の絶縁膜上の、ゲート電極と、を有し、
   前記第１の絶縁膜は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
   前記第２の絶縁膜は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
   前記第３の絶縁膜は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
   前記ゲート電極は、前記第３の絶縁膜及び前記第１の絶縁膜を介して、前記ソース電極と重なる領域を有し、
   前記ゲート電極は、前記第３の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜を介して、前記ドレイン電極と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
5. 第１のゲート電極と、
   前記第１のゲート電極上の、第４の絶縁膜と、
   前記第４の絶縁膜上の、チャネル形成領域を有する、酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ソース電極と、
   前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ドレイン電極と、
   前記ソース電極の上面、及び前記チャネル形成領域側の側面と重なる領域を有する、第１の絶縁膜と、
   前記ドレイン電極の上面、及び前記チャネル形成領域側の側面と重なる領域を有する、第２の絶縁膜と、
   前記酸化物半導体膜、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜上に設けられた、第３の絶縁膜と、
   前記第３の絶縁膜上の、第２のゲート電極と、を有し、
   前記第１の絶縁膜は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
   前記第２の絶縁膜は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
   前記第３の絶縁膜は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
   前記第２のゲート電極は、前記第３の絶縁膜及び前記第１の絶縁膜を介して、前記ソース電極と重なる領域を有し、
   前記第２のゲート電極は、前記第３の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜を介して、前記ドレイン電極と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
   前記酸化物半導体膜は、第１の酸化物半導体膜と、前記第１の酸化物半導体膜上の、第２の酸化物半導体膜と、前記第２の酸化物半導体膜上の、第３の酸化物半導体膜と、を有することを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
   前記酸化物半導体膜は、第１の酸化物半導体膜と、前記第１の酸化物半導体膜上の、第２の酸化物半導体膜と、前記第２の酸化物半導体膜上の、第３の酸化物半導体膜と、を有し、
   前記第３の酸化物半導体膜は、前記第１の絶縁膜と前記第３の絶縁膜との間に設けられた領域を有し、かつ前記第２の絶縁膜と前記第３の絶縁膜との間に設けられた領域を有することを特徴とする半導体装置。
8. 酸化物半導体膜を形成する第１の工程と、
   前記酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の導電膜を形成する第２の工程と、
   前記酸化物半導体膜上、前記第１の導電膜上及び前記第２の導電膜上に第１の絶縁膜を形成する第３の工程と、
   前記酸化物半導体膜の一部が露出するように前記第１の絶縁膜を加工して、第２の絶縁膜及び第３の絶縁膜を形成する第４の工程と、
   前記酸化物半導体膜上、前記第２の絶縁膜上及び前記第３の絶縁膜上に第４の絶縁膜を形成する第５の工程と、
   前記第４の絶縁膜上に前記酸化物半導体膜と重なる領域を有する、第３の導電膜を形成する第６の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
9. 酸化物半導体膜を形成する第１の工程と、
   前記酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の導電膜を形成する第２の工程と、
   前記第１の導電膜の上面及び側面を酸化または窒化させて、第１の絶縁膜を形成し、かつ前記前記第２の導電膜の上面及び側面を酸化または窒化させて、第２の絶縁膜を形成する第３の工程と、
   前記酸化物半導体膜上、前記第１の絶縁膜上及び前記第２の絶縁膜上に第３の絶縁膜を形成する第４の工程と、
   前記第３の絶縁膜上に前記酸化物半導体膜と重なる領域を有する、第３の導電膜を形成する第５の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。