JP6534557B2 - 半導体装置 - Google Patents

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Description

本発明は、例えば、トランジスタ及び半導体装置、ならびにそれらの製造方法に関する。または、本発明は、例えば、表示装置、発光装置、照明装置、蓄電装置、記憶装置、プロセッサ、電子機器に関する。または、表示装置、液晶表示装置、発光装置、記憶装置、電子機器の製造方法に関する。または、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、記憶装置、電子機器の駆動方法に関する。
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。
なお、本明細書等において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指す。表示装置、発光装置、照明装置、電気光学装置、半導体回路及び電子機器は、半導体装置を有する場合がある。
近年は、酸化物半導体を用いたトランジスタが注目されている。酸化物半導体は、スパッタリング法などを用いて成膜できるため、大型の表示装置を構成するトランジスタの半導体に用いることができる。また、酸化物半導体を用いたトランジスタは、非晶質シリコンを用いたトランジスタの生産設備の一部を改良して利用することが可能であるため、設備投資を抑えられるメリットもある。
また、酸化物半導体を用いたトランジスタは、非導通状態において極めてリーク電流が小さいことが知られている。例えば、酸化物半導体を用いたトランジスタの低いリーク特性を応用した低消費電力のＣＰＵなどが開示されている（特許文献１参照。）。
特開２０１２−２５７１８７号公報
寄生容量の小さい半導体装置を提供することを課題の一とする。または、電気特性の良好な半導体装置を提供することを課題の一とする。または、電気特性の安定した半導体装置を提供することを課題の一とする。または、オフ時の電流の小さい半導体装置を提供することを課題の一とする。または、新規な半導体装置を提供することを課題の一とする。または、動作速度の速い半導体装置を提供することを課題の一とする。または、該半導体装置を有するモジュールを提供することを課題の一とする。または、該半導体装置、または該モジュールを有する電子機器を提供することを課題の一とする。
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
本発明の一態様は、酸化物半導体膜と、第１の導電膜と、第２の導電膜と、第３の導電膜と、第１の絶縁膜と、第２の絶縁膜と、第３の絶縁膜と、を有し、酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域と、第３の領域と、第４の領域と、第５の領域と、を有し、第１の領域は、第１の導電膜と酸化物半導体膜とが互いに接する領域を有し、第２の領域は、第１の絶縁膜と酸化物半導体膜とが互いに接する領域を有し、第３の領域は、第３の絶縁膜と酸化物半導体膜とが互いに接する領域を有し、第４の領域は、第２の絶縁膜と酸化物半導体膜とが互いに接する領域を有し、第５の領域は、第２の導電膜と酸化物半導体膜とが互いに接する領域を有し、第１の絶縁膜は、第１の導電膜上及び酸化物半導体膜上に設けられ、第２の絶縁膜は、第２の導電膜上及び酸化物半導体膜上に設けられ、第３の絶縁膜は、第１の絶縁膜上、第２の絶縁膜上及び酸化物半導体膜上に設けられ、第３の導電膜と酸化物半導体膜とは、第３の絶縁膜を介して、互いに重なる領域を有することを特徴とする半導体装置である。
また、本発明の他の一態様は、酸化物半導体膜と、第１の導電膜と、第２の導電膜と、第３の導電膜と、第４の導電膜と、第１の絶縁膜と、第２の絶縁膜と、第３の絶縁膜と、第４の絶縁膜と、を有し、第４の絶縁膜は、第４の導電膜上に設けられ、酸化物半導体膜は、第４の絶縁膜上に設けられ、酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域と、第３の領域と、第４の領域と、第５の領域と、を有し、第１の領域は、第１の導電膜と酸化物半導体膜とが互いに接する領域を有し、第２の領域は、第１の絶縁膜と酸化物半導体膜とが互いに接する領域を有し、第３の領域は、第３の絶縁膜と酸化物半導体膜とが互いに接する領域を有し、第４の領域は、第２の絶縁膜と酸化物半導体膜とが互いに接する領域を有し、第５の領域は、第２の導電膜と酸化物半導体膜とが互いに接する領域を有し、第１の絶縁膜は、第１の導電膜上及び酸化物半導体膜上に設けられ、第２の絶縁膜は、第２の導電膜上及び酸化物半導体膜上に設けられ、第３の絶縁膜は、第１の絶縁膜上、第２の絶縁膜上及び酸化物半導体膜上に設けられ、第３の導電膜と酸化物半導体膜とは、第３の絶縁膜を介して、互いに重なる領域を有することを特徴とする半導体装置である。
また、上記構成において、第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜は、水素を有し、第２の領域は、第３の領域よりも、抵抗値が低い領域を有し、第４の領域は、第３の領域よりも、抵抗値が低い領域を有してもよい。
また、上記構成において、酸化物半導体膜は、第１の酸化物半導体膜と、第２の酸化物半導体膜と、第３の酸化物半導体膜と、を有し、第１の酸化物半導体膜と、第２の酸化物半導体膜と、第３の酸化物半導体膜とが、互いに重なる領域を有してもよい。
また、本発明の他の一態様は、上記構成の半導体装置を含むことを特徴とする電子機器である。
また、本発明の他の一態様は、酸化物半導体膜を設ける第１の工程と、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の導電膜を設ける第２の工程と、酸化物半導体膜上、第１の導電膜上、及び第２の導電膜上に第１の絶縁膜を設ける第３の工程と、第１の絶縁膜を酸化物半導体膜の一部を露出させるように加工し、第２の絶縁膜及び第３の絶縁膜を設ける第４の工程と、酸化物半導体膜上、第２の絶縁膜上及び第３の絶縁膜上に第４の絶縁膜を設ける第５の工程と、第４の絶縁膜上に酸化物半導体膜と互いに重なる第３の導電膜を設ける第６の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
また、本発明の他の一態様は、酸化物半導体膜を設ける第１の工程と、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の導電膜を設ける第２の工程と、第１の導電膜及び第２の導電膜を酸化または窒化させて、第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜を設ける第３の工程と、酸化物半導体膜上、第１の絶縁膜上及び第２の絶縁膜上に第３の絶縁膜を設ける第４の工程と、第３の絶縁膜上に酸化物半導体膜と互いに重なる第３の導電膜を設ける第５の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
なお、本発明の一態様に係る半導体装置において、酸化物半導体膜を他の半導体膜に置き換えても構わない。
寄生容量の小さい半導体装置を提供することができる。または、電気特性の良好な半導体装置を提供することができる。または、電気特性の安定した半導体装置を提供することができる。または、オフ時の電流の小さい半導体装置を提供することができる。または、新規な半導体装置を提供することができる。または、動作速度の速い半導体装置を提供することができる。または、該半導体装置を有するモジュールを提供することができる。または、該半導体装置、または該モジュールを有する電子機器を提供することができる。
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
トランジスタの上面図及び断面図。 ＣＡＡＣ−ＯＳの断面におけるＣｓ補正高分解能ＴＥＭ像、およびＣＡＡＣ−ＯＳの断面模式図。 ＣＡＡＣ−ＯＳの平面におけるＣｓ補正高分解能ＴＥＭ像。 ＣＡＡＣ−ＯＳおよび単結晶酸化物半導体のＸＲＤによる構造解析を説明する図。 ＣＡＡＣ−ＯＳの電子回折パターンを示す図。 Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物の電子照射による結晶部の変化を示す図。 トランジスタの一部を示す断面図及びバンド構造を示す図。 トランジスタの断面図。 トランジスタの作製方法を示す断面図。 トランジスタの作製方法を示す断面図。 トランジスタの上面図及び断面図。 トランジスタの断面図。 トランジスタの作製方法を示す断面図。 トランジスタの作製方法を示す断面図。 トランジスタの上面図及び断面図。 トランジスタの断面図。 トランジスタの作製方法を示す断面図。 表示装置の一態様を示す上面図。 表示装置の一態様を示す断面図。 表示装置の一態様を示す断面図。 表示装置を説明するブロック図及び回路図。 表示モジュールを説明する図。 電子機器を説明する図。
本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、その形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、図面を用いて発明の構成を説明するにあたり、同じものを指す符号は異なる図面間でも共通して用いる。なお、同様のものを指す際にはハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
なお、図において、大きさ、膜（層）の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。
なお、本明細書において、例えば、物体の形状を「径」、「粒径」、「大きさ」、「サイズ」、「幅」などで規定する場合、物体が収まる最小の立方体における一辺の長さ、または物体の一断面における円相当径と読み替えてもよい。物体の一断面における円相当径とは、物体の一断面と等しい面積となる正円の直径をいう。
なお、電圧は、ある電位と、基準の電位（例えば接地電位（ＧＮＤ）またはソース電位）との電位差のことを示す場合が多い。よって、電圧を電位と言い換えることが可能である。
なお、第１、第２として付される序数詞は便宜的に用いるものであり、工程順または積層順を示すものではない。そのため、例えば、「第１の」を「第２の」又は「第３の」などと適宜置き換えて説明することができる。また、本明細書等に記載されている序数詞と、本発明の一態様を特定するために用いられる序数詞は一致しない場合がある。
なお、「半導体（または半導体膜）」と表記した場合でも、例えば、導電性が十分低い場合は「絶縁体（または絶縁膜）」としての特性を有する場合がある。また、「半導体」と「絶縁体」は境界が曖昧であり、厳密に区別できない場合がある。したがって、本明細書に記載の「半導体」は、「絶縁体」と言い換えることができる場合がある。同様に、本明細書に記載の「絶縁体」は、「半導体」と言い換えることができる場合がある。
また、「半導体（または半導体膜）」と表記した場合でも、例えば、導電性が十分高い場合は「導電体（または導電膜）」としての特性を有する場合がある。また、「半導体」と「導電体」は境界が曖昧であり、厳密に区別できない場合がある。したがって、本明細書に記載の「半導体」は、「導電体」と言い換えることができる場合がある。同様に、本明細書に記載の「導電体」は、「半導体」と言い換えることができる場合がある。
なお、半導体の不純物とは、例えば、半導体を構成する主成分以外をいう。例えば、濃度が０．１原子％未満の元素は不純物である。不純物が含まれることにより、例えば、半導体のＤＯＳ（Ｄｅｎｓｉｔｙ ｏｆ Ｓｔａｔｅ）が形成されることや、キャリア移動度が低下することや、結晶性が低下することなどが起こる場合がある。半導体が酸化物半導体である場合、半導体の特性を変化させる不純物としては、例えば、第１族元素、第２族元素、第１４族元素、第１５族元素、主成分以外の遷移金属などがあり、特に、例えば、水素（水にも含まれる）、リチウム、ナトリウム、シリコン、ホウ素、リン、炭素、窒素などがある。酸化物半導体の場合、例えば水素などの不純物の混入によって酸素欠損を形成する場合がある。また、半導体がシリコンである場合、半導体の特性を変化させる不純物としては、例えば、酸素、水素を除く第１族元素、第２族元素、第１３族元素、第１５族元素などがある。
なお、本明細書において、Ａが濃度Ｂの領域を有する、と記載する場合、例えば、Ａのある領域における深さ方向全体が濃度Ｂである場合、Ａのある領域における深さ方向の平均値が濃度Ｂである場合、Ａのある領域における深さ方向の中央値が濃度Ｂである場合、Ａのある領域における深さ方向の最大値が濃度Ｂである場合、Ａのある領域における深さ方向の最小値が濃度Ｂである場合、Ａのある領域における深さ方向の収束値が濃度Ｂである場合、測定上Ａそのものの確からしい値の得られる領域が濃度Ｂである場合などを含む。
なお、本明細書において、Ａが大きさＢ、長さＢ、厚さＢ、幅Ｂまたは距離Ｂの領域を有する、と記載する場合、例えば、Ａのある領域における全体が大きさＢ、長さＢ、厚さＢ、幅Ｂまたは距離Ｂである場合、Ａのある領域における平均値が大きさＢ、長さＢ、厚さＢ、幅Ｂまたは距離Ｂである場合、Ａのある領域における中央値が大きさＢ、長さＢ、厚さＢ、幅Ｂまたは距離Ｂである場合、Ａのある領域における最大値が大きさＢ、長さＢ、厚さＢ、幅Ｂまたは距離Ｂである場合、Ａのある領域における最小値が大きさＢ、長さＢ、厚さＢ、幅Ｂまたは距離Ｂである場合、Ａのある領域における収束値が大きさＢ、長さＢ、厚さＢ、幅Ｂまたは距離Ｂである場合、測定上Ａそのものの確からしい値の得られる領域が大きさＢ、長さＢ、厚さＢ、幅Ｂまたは距離Ｂである場合などを含む。
なお、チャネル長とは、例えば、トランジスタの上面図において、半導体（またはトランジスタがオン状態のときに半導体の中で電流の流れる部分）とゲート電極とが互いに重なる領域、またはチャネルが形成される領域における、ソース（ソース領域またはソース電極）とドレイン（ドレイン領域またはドレイン電極）との間の距離をいう。なお、一つのトランジスタにおいて、チャネル長が全ての領域で同じ値をとるとは限らない。即ち、一つのトランジスタのチャネル長は、一つの値に定まらない場合がある。そのため、本明細書では、チャネル長は、チャネルの形成される領域における、いずれか一の値、最大値、最小値または平均値とする。
チャネル幅とは、例えば、半導体（またはトランジスタがオン状態のときに半導体の中で電流の流れる部分）とゲート電極とが互いに重なる領域、またはチャネルが形成される領域における、ソースとドレインとが向かい合っている部分の長さをいう。なお、一つのトランジスタにおいて、チャネル幅がすべての領域で同じ値をとるとは限らない。即ち、一つのトランジスタのチャネル幅は、一つの値に定まらない場合がある。そのため、本明細書では、チャネル幅は、チャネルの形成される領域における、いずれか一の値、最大値、最小値または平均値とする。
なお、トランジスタの構造によっては、実際にチャネルの形成される領域におけるチャネル幅（以下、実効的なチャネル幅と呼ぶ。）と、トランジスタの上面図において示されるチャネル幅（以下、見かけ上のチャネル幅と呼ぶ。）と、が異なる場合がある。例えば、立体的な構造を有するトランジスタでは、実効的なチャネル幅が、トランジスタの上面図において示される見かけ上のチャネル幅よりも大きくなり、その影響が無視できなくなる場合がある。例えば、微細かつ立体的な構造を有するトランジスタでは、半導体の上面に形成されるチャネル領域の割合に対して、半導体の側面に形成されるチャネル領域の割合が大きくなる場合がある。その場合は、上面図において示される見かけ上のチャネル幅よりも、実際にチャネルの形成される実効的なチャネル幅の方が大きくなる。
ところで、立体的な構造を有するトランジスタにおいては、実効的なチャネル幅の、実測による見積もりが困難となる場合がある。例えば、設計値から実効的なチャネル幅を見積もるためには、半導体の形状が既知という仮定が必要である。したがって、半導体の形状が正確にわからない場合には、実効的なチャネル幅を正確に測定することは困難である。
そこで、本明細書では、トランジスタの上面図において、半導体とゲート電極とが互いに重なる領域における、ソースとドレインとが向かい合っている部分の長さである見かけ上のチャネル幅を、「囲い込みチャネル幅（ＳＣＷ：Ｓｕｒｒｏｕｎｄｅｄ Ｃｈａｎｎｅｌ Ｗｉｄｔｈ）」と呼ぶ場合がある。また、本明細書では、単にチャネル幅と記載した場合には、囲い込みチャネル幅または見かけ上のチャネル幅を指す場合がある。または、本明細書では、単にチャネル幅と記載した場合には、実効的なチャネル幅を指す場合がある。なお、チャネル長、チャネル幅、実効的なチャネル幅、見かけ上のチャネル幅、囲い込みチャネル幅などは、断面ＴＥＭ像などを取得して、その画像を解析することなどによって、値を決定することができる。
なお、トランジスタの電界効果移動度や、チャネル幅当たりの電流値などを計算して求める場合、囲い込みチャネル幅を用いて計算する場合がある。その場合には、実効的なチャネル幅を用いて計算する場合とは異なる値をとる場合がある。
なお、本明細書において、ＡがＢより迫り出した形状を有すると記載する場合、上面図または断面図において、Ａの少なくとも一端が、Ｂの少なくとも一端よりも外側にある形状を有することを示す場合がある。したがって、ＡがＢより迫り出した形状を有すると記載されている場合、例えば上面図において、Ａの一端が、Ｂの一端よりも外側にある形状を有すると読み替えることができる。
なお、本明細書において、「平行」とは、二つの直線が−１０°以上１０°以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、−５°以上５°以下の場合も含まれる。また、「略平行」とは、二つの直線が−３０°以上３０°以下の角度で配置されている状態をいう。また、「垂直」とは、二つの直線が８０°以上１００°以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、８５°以上９５°以下の場合も含まれる。また、「略垂直」とは、二つの直線が６０°以上１２０°以下の角度で配置されている状態をいう。
また、本明細書において、結晶が三方晶または菱面体晶である場合、六方晶系として表す。
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様である半導体装置、及びその作製方法について図面を参照して説明する。半導体装置の一例としてトランジスタを用いて説明する。
＜トランジスタ構造１＞
図１（Ａ）、図１（Ｂ）及び図１（Ｃ）は、本発明の一態様に係るトランジスタ１５０の上面図及び断面図である。図１（Ａ）は上面図である。図１（Ｂ）及び図１（Ｃ）は、図１（Ａ）に示す一点鎖線Ａ１−Ａ２、及び一点鎖線Ｂ１−Ｂ２に対応する断面図である。なお、図１（Ａ）の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。
図１（Ｂ）において、トランジスタ１５０は、基板１００上の絶縁膜１０１と、絶縁膜１０１上の導電膜１０４と、導電膜１０４上の絶縁膜１０２と、絶縁膜１０２上の半導体膜１０６と、半導体膜１０６の上面及び側面と接する領域を有する導電膜１１６ａ及び導電膜１１６ｂと、導電膜１１６ａの上面及び側面と接する、半導体膜１０６上の絶縁膜１１０ａと、導電膜１１６ｂの上面及び側面と接する、半導体膜１０６上の絶縁膜１１０ｂと、絶縁膜１１０ａ上、絶縁膜１１０ｂ上、及び半導体膜１０６上の絶縁膜１１２と、絶縁膜１１２上の導電膜１１４と、を有する。なお、導電膜１１４と半導体膜１０６とは互いに重なる領域を有している。
なお、トランジスタ１５０は、絶縁膜１０１を有さなくても構わない場合がある。
トランジスタ１５０において、絶縁膜１０１は下地絶縁膜としての機能を有する。また、導電膜１０４はゲート電極としての機能を有する。また、絶縁膜１０２はゲート絶縁膜としての機能を有する。また、導電膜１１６ａ及び導電膜１１６ｂは、ソース電極及びドレイン電極としての機能を有する。また、絶縁膜１１２はゲート絶縁膜としての機能を有する。また、導電膜１１４はゲート電極としての機能を有する。したがって、導電膜１０４または導電膜１１４に印加する電位によって、トランジスタ１５０の動作を制御することができる。即ち、導電膜１０４または導電膜１１４に印加する電位によって、導電膜１１６ａと導電膜１１６ｂとの間の導通・非導通を制御することができる。
また、トランジスタ１５０の半導体膜１０６は、導電膜１１６ａと半導体膜１０６とが互いに接する領域と、絶縁膜１１０ａと半導体膜１０６とが互いに接する領域と、絶縁膜１１２と半導体膜１０６とが互いに接する領域と、絶縁膜１１０ｂと半導体膜１０６とが互いに接する領域と、導電膜１１６ｂと半導体膜１０６とが互いに接する領域と、を有する。トランジスタ１５０は、導電膜１１４と導電膜１１６ａとの間、導電膜１１４と導電膜１１６ｂとの間に、それぞれ絶縁膜１１０ａ、絶縁膜１１０ｂ及び絶縁膜１１２を有することで、絶縁膜の膜厚の合計が大きくなり、結果としてトランジスタ１５０の動作に係る寄生容量を小さくすることができる。
図１（Ｂ）に示すように、半導体膜１０６の側面は、導電膜１１６ａ及び導電膜１１６ｂと接する。また、ゲート電極としての機能を有する導電膜１１４の電界によって、半導体膜１０６を電気的に取り囲むことができる。ゲート電極の電界によって、半導体膜を電気的に取り囲むトランジスタの構造を、ｓｕｒｒｏｕｎｄｅｄ ｃｈａｎｎｅｌ（ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ）構造とよぶ。そのため、半導体膜１０６の全体（バルク）にチャネルが形成される場合がある。ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造では、トランジスタのソース−ドレイン間に大電流を流すことができ、導通時の電流（オン電流）を大きくすることができる。また、半導体膜１０６が、導電膜１１４の電界によって取り囲まれていることから、非導通時の電流（オフ電流）を小さくすることができる。
なお、トランジスタ１５０を、水素などの不純物及び酸素をブロックする機能を有する絶縁膜で囲うことによって、トランジスタ１５０の電気特性を安定にすることができる。例えば、絶縁膜１０１として、水素などの不純物及び酸素をブロックする機能を有する絶縁膜を用いればよい。
水素などの不純物及び酸素をブロックする機能を有する絶縁膜としては、例えば、ホウ素、炭素、窒素、酸素、フッ素、マグネシウム、アルミニウム、シリコン、リン、塩素、アルゴン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、ネオジム、ハフニウムまたはタンタルを含む絶縁膜を、単層で、または積層で用いればよい。
例えば、絶縁膜１０１としては、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウムまたは酸化タンタルを用いればよい。なお、絶縁膜１０１は、酸化アルミニウムまたは窒化シリコンを有することが好ましい。例えば、絶縁膜１０１が酸化アルミニウムまたは窒化シリコンを有することで、半導体膜１０６に水素などの不純物が混入することを抑制することができる。また、たとえば、絶縁膜１０１が酸化アルミニウムまたは窒化シリコンを有することで、酸素の外方拡散を低減することができる。
絶縁膜１０１は、基板１００からの不純物の拡散を防止する役割を有してもよい。
導電膜１０４としては、例えば、ホウ素、窒素、酸素、フッ素、シリコン、リン、アルミニウム、チタン、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ガリウム、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、ルテニウム、銀、インジウム、スズ、タンタル及びタングステンを一種以上含む導電膜を、単層で、または積層で用いればよい。例えば、合金膜や化合物膜であってもよく、アルミニウムを含む導電膜、銅及びチタンを含む導電膜、銅及びマンガンを含む導電膜、インジウム、スズ及び酸素を含む導電膜、またはチタン及び窒素を含む導電膜などを用いてもよい。
導電膜１０４は、トランジスタ１５０の第２のゲート電極（バックゲート電極ともいう。）としての機能を有する。例えば、導電膜１０４に、ソース電極よりも低い電圧または高い電圧を印加し、トランジスタ１５０のしきい値電圧をプラス方向またはマイナス方向へ変動させてもよい。例えば、トランジスタ１５０のしきい値電圧をプラス方向に変動させることで、ゲート電圧が０Ｖであってもトランジスタ１５０が非導通状態（オフ状態）となる、ノーマリーオフが実現できる場合がある。なお、導電膜１０４に印加する電圧は、可変であってもよいし、固定であってもよい。
絶縁膜１０２としては、例えば、ホウ素、炭素、窒素、酸素、フッ素、マグネシウム、アルミニウム、シリコン、リン、塩素、アルゴン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、ネオジム、ハフニウムまたはタンタルを含む絶縁膜を、単層で、または積層で用いればよい。例えば、絶縁膜１０２としては、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウムまたは酸化タンタルを用いればよい。本実施の形態では、絶縁膜１０２として基板１００側から絶縁膜１０２ａ、絶縁膜１０２ｂを設ける。絶縁膜１０２ａは、絶縁膜１０１のような基板１００からの不純物の拡散を防止する役割を有してもよい。また、半導体膜１０６が酸化物半導体膜である場合、絶縁膜１０２ｂは、半導体膜１０６に酸素を供給する役割を担うことができる。
導電膜１１６ａ及び導電膜１１６ｂとしては、例えば、ホウ素、窒素、酸素、フッ素、シリコン、リン、アルミニウム、チタン、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ガリウム、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、ルテニウム、銀、インジウム、スズ、タンタル及びタングステンを一種以上含む導電膜を、単層で、または積層で用いればよい。例えば、合金膜や化合物膜であってもよく、アルミニウムを含む導電膜、銅及びチタンを含む導電膜、銅及びマンガンを含む導電膜、インジウム、スズ及び酸素を含む導電膜、またはチタン及び窒素を含む導電膜などを用いてもよい。
絶縁膜１１０ａ及び絶縁膜１１０ｂとしては、例えば、ホウ素、炭素、窒素、酸素、フッ素、マグネシウム、アルミニウム、シリコン、リン、塩素、アルゴン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、ネオジム、ハフニウムまたはタンタルを含む絶縁膜を、単層で、または積層で用いればよい。例えば、絶縁膜１１０ａ及び絶縁膜１１０ｂとしては、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウムまたは酸化タンタルを用いればよい。
絶縁膜１１２としては、絶縁膜１１０ａ及び絶縁膜１１０ｂの説明を援用することができる。
導電膜１１４としては、導電膜１０４の説明を援用することができる。
半導体膜１０６としては、酸化物半導体膜を用いることが好ましい。ただし、シリコン（歪シリコン含む）、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、炭化シリコン、ガリウムヒ素、アルミニウムガリウムヒ素、インジウムリン、窒化ガリウムまたは有機半導体膜などを用いても構わない場合がある。
＜酸化物半導体の構造＞
以下では、酸化物半導体の構造について説明する。
酸化物半導体は、単結晶酸化物半導体と、それ以外の非単結晶酸化物半導体とに分けられる。非単結晶酸化物半導体としては、ＣＡＡＣ−ＯＳ（Ｃ Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、多結晶酸化物半導体、ｎｃ−ＯＳ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、擬似非晶質酸化物半導体（ａ−ｌｉｋｅ ＯＳ：ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｌｉｋｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、非晶質酸化物半導体などがある。
また別の観点では、酸化物半導体は、非晶質酸化物半導体と、それ以外の結晶性酸化物半導体とに分けられる。結晶性酸化物半導体としては、単結晶酸化物半導体、ＣＡＡＣ−ＯＳ、多結晶酸化物半導体、ｎｃ−ＯＳなどがある。
非晶質構造の定義としては、一般に、準安定状態で固定化していないこと、等方的であって不均質構造を持たないことなどが知られている。また、結合角度が柔軟であり、短距離秩序性は有するが、長距離秩序性を有さない構造と言い換えることもできる。
逆の見方をすると、本質的に安定な酸化物半導体の場合、完全な非晶質（ｃｏｍｐｌｅｔｅｌｙ ａｍｏｒｐｈｏｕｓ）酸化物半導体と呼ぶことはできない。また、等方的でない（例えば、微小な領域において周期構造を有する）酸化物半導体を、完全な非晶質酸化物半導体と呼ぶことはできない。ただし、ａ−ｌｉｋｅ ＯＳは、微小な領域において周期構造を有するものの、鬆（ボイドともいう。）を有し、不安定な構造である。そのため、物性的には非晶質酸化物半導体に近いといえる。
＜ＣＡＡＣ−ＯＳ＞
まずは、ＣＡＡＣ−ＯＳについて説明する。
ＣＡＡＣ−ＯＳは、ｃ軸配向した複数の結晶部（ペレットともいう。）を有する酸化物半導体の一つである。
透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）によって、ＣＡＡＣ−ＯＳの明視野像と回折パターンとの複合解析像（高分解能ＴＥＭ像ともいう。）を観察すると、複数のペレットを確認することができる。一方、高分解能ＴＥＭ像ではペレット同士の境界、即ち結晶粒界（グレインバウンダリーともいう。）を明確に確認することができない。そのため、ＣＡＡＣ−ＯＳは、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。
以下では、ＴＥＭによって観察したＣＡＡＣ−ＯＳについて説明する。図２（Ａ）に、試料面と略平行な方向から観察したＣＡＡＣ−ＯＳの断面の高分解能ＴＥＭ像を示す。高分解能ＴＥＭ像の観察には、球面収差補正（Ｓｐｈｅｒｉｃａｌ Ａｂｅｒｒａｔｉｏｎ Ｃｏｒｒｅｃｔｏｒ）機能を用いた。球面収差補正機能を用いた高分解能ＴＥＭ像を、特にＣｓ補正高分解能ＴＥＭ像と呼ぶ。Ｃｓ補正高分解能ＴＥＭ像の取得は、例えば、日本電子株式会社製原子分解能分析電子顕微鏡ＪＥＭ−ＡＲＭ２００Ｆなどによって行うことができる。
図２（Ａ）の領域（１）を拡大したＣｓ補正高分解能ＴＥＭ像を図２（Ｂ）に示す。図２（Ｂ）より、ペレットにおいて、金属原子が層状に配列していることを確認できる。金属原子の各層の配列は、ＣＡＡＣ−ＯＳの膜を形成する面（被形成面ともいう。）または上面の凹凸を反映しており、ＣＡＡＣ−ＯＳの被形成面または上面と平行となる。
図２（Ｂ）に示すように、ＣＡＡＣ−ＯＳは特徴的な原子配列を有する。図２（Ｃ）は、特徴的な原子配列を、補助線で示したものである。図２（Ｂ）および図２（Ｃ）より、ペレット一つの大きさは１ｎｍ以上のものや、３ｎｍ以上のものがあり、ペレットとペレットとの傾きにより生じる隙間の大きさは０．８ｎｍ程度であることがわかる。したがって、ペレットを、ナノ結晶（ｎｃ：ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌ）と呼ぶこともできる。また、ＣＡＡＣ−ＯＳを、ＣＡＮＣ（Ｃ−Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｓ）を有する酸化物半導体と呼ぶこともできる。
ここで、Ｃｓ補正高分解能ＴＥＭ像をもとに、基板５１２０上のＣＡＡＣ−ＯＳのペレット５１００の配置を模式的に示すと、レンガまたはブロックが積み重なったような構造となる（図２（Ｄ）参照。）。図２（Ｃ）で観察されたペレットとペレットとの間で傾きが生じている箇所は、図２（Ｄ）に示す領域５１６１に相当する。
また、図３（Ａ）に、試料面と略垂直な方向から観察したＣＡＡＣ−ＯＳの平面のＣｓ補正高分解能ＴＥＭ像を示す。図３（Ａ）の領域（１）、領域（２）および領域（３）を拡大したＣｓ補正高分解能ＴＥＭ像を、それぞれ図３（Ｂ）、図３（Ｃ）および図３（Ｄ）に示す。図３（Ｂ）、図３（Ｃ）および図３（Ｄ）より、ペレットは、金属原子が三角形状、四角形状または六角形状に配列していることを確認できる。しかしながら、異なるペレット間で、金属原子の配列に規則性は見られない。
次に、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−Ｒａｙ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）によって解析したＣＡＡＣ−ＯＳについて説明する。例えば、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を有するＣＡＡＣ−ＯＳに対し、ｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法による構造解析を行うと、図４（Ａ）に示すように回折角（２θ）が３１°近傍にピークが現れる場合がある。このピークは、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の（００９）面に帰属されることから、ＣＡＡＣ−ＯＳの結晶がｃ軸配向性を有し、ｃ軸が被形成面または上面に略垂直な方向を向いていることが確認できる。
なお、ＣＡＡＣ−ＯＳのｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法による構造解析では、２θが３１°近傍のピークの他に、２θが３６°近傍にもピークが現れる場合がある。２θが３６°近傍のピークは、ＣＡＡＣ−ＯＳ中の一部に、ｃ軸配向性を有さない結晶が含まれることを示している。より好ましいＣＡＡＣ−ＯＳは、ｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法による構造解析では、２θが３１°近傍にピークを示し、２θが３６°近傍にピークを示さない。
一方、ＣＡＡＣ−ＯＳに対し、ｃ軸に略垂直な方向からＸ線を入射させるｉｎ−ｐｌａｎｅ法による構造解析を行うと、２θが５６°近傍にピークが現れる。このピークは、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の（１１０）面に帰属される。ＣＡＡＣ−ＯＳの場合は、２θを５６°近傍に固定し、試料面の法線ベクトルを軸（φ軸）として試料を回転させながら分析（φスキャン）を行っても、図４（Ｂ）に示すように明瞭なピークは現れない。これに対し、ＩｎＧａＺｎＯ４の単結晶酸化物半導体であれば、２θを５６°近傍に固定してφスキャンした場合、図４（Ｃ）に示すように（１１０）面と等価な結晶面に帰属されるピークが６本観察される。したがって、ＸＲＤを用いた構造解析から、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ａ軸およびｂ軸の配向が不規則であることが確認できる。
次に、電子回折によって解析したＣＡＡＣ−ＯＳについて説明する。例えば、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を有するＣＡＡＣ−ＯＳに対し、試料面に平行にプローブ径が３００ｎｍの電子線を入射させると、図５（Ａ）に示すような回折パターン（制限視野透過電子回折パターンともいう。）が現れる場合がある。この回折パターンには、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の（００９）面に起因するスポットが含まれる。したがって、電子回折によっても、ＣＡＡＣ−ＯＳに含まれるペレットがｃ軸配向性を有し、ｃ軸が被形成面または上面に略垂直な方向を向いていることがわかる。一方、同じ試料に対し、試料面に垂直にプローブ径が３００ｎｍの電子線を入射させたときの回折パターンを図５（Ｂ）に示す。図５（Ｂ）より、リング状の回折パターンが確認される。したがって、電子回折によっても、ＣＡＡＣ−ＯＳに含まれるペレットのａ軸およびｂ軸は配向性を有さないことがわかる。なお、図５（Ｂ）における第１リングは、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の（０１０）面および（１００）面などに起因すると考えられる。また、図５（Ｂ）における第２リングは（１１０）面などに起因すると考えられる。
上述したように、ＣＡＡＣ−ＯＳは結晶性の高い酸化物半導体である。酸化物半導体の結晶性は不純物の混入や欠陥の生成などによって低下する場合があるため、逆の見方をするとＣＡＡＣ−ＯＳは不純物や欠陥（酸素欠損など）の少ない酸化物半導体ともいえる。
なお、不純物は、酸化物半導体の主成分以外の元素で、水素、炭素、シリコン、遷移金属元素などがある。例えば、シリコンなどの、酸化物半導体を構成する金属元素よりも酸素との結合力の強い元素は、酸化物半導体から酸素を奪うことで酸化物半導体の原子配列を乱し、結晶性を低下させる要因となる。また、鉄やニッケルなどの重金属、アルゴン、二酸化炭素などは、原子半径（または分子半径）が大きいため、酸化物半導体の原子配列を乱し、結晶性を低下させる要因となる。
酸化物半導体が不純物や欠陥を有する場合、光や熱などによって特性が変動する場合がある。例えば、酸化物半導体に含まれる不純物は、キャリアトラップとなる場合や、キャリア発生源となる場合がある。また、酸化物半導体中の酸素欠損は、キャリアトラップとなる場合や、水素を捕獲することによってキャリア発生源となる場合がある。
不純物および酸素欠損の少ないＣＡＡＣ−ＯＳは、キャリア密度の低い酸化物半導体である。具体的には、８×１０１１／ｃｍ３未満、好ましくは１×１０１１／ｃｍ３未満、さらに好ましくは１×１０１０／ｃｍ３未満であり、１×１０−９／ｃｍ３以上のキャリア密度の酸化物半導体とすることができる。そのような酸化物半導体を、高純度真性または実質的に高純度真性な酸化物半導体と呼ぶ。ＣＡＡＣ−ＯＳは、不純物濃度が低く、欠陥準位密度が低い。即ち、安定な特性を有する酸化物半導体であるといえる。
＜ｎｃ−ＯＳ＞
次に、ｎｃ−ＯＳについて説明する。
ｎｃ−ＯＳは、高分解能ＴＥＭ像において、結晶部を確認することのできる領域と、明確な結晶部を確認することのできない領域と、を有する。ｎｃ−ＯＳに含まれる結晶部は、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、または１ｎｍ以上３ｎｍ以下の大きさであることが多い。なお、結晶部の大きさが１０ｎｍより大きく１００ｎｍ以下である酸化物半導体を微結晶酸化物半導体と呼ぶことがある。ｎｃ−ＯＳは、例えば、高分解能ＴＥＭ像では、結晶粒界を明確に確認できない場合がある。なお、ナノ結晶は、ＣＡＡＣ−ＯＳにおけるペレットと起源を同じくする可能性がある。そのため、以下ではｎｃ−ＯＳの結晶部をペレットと呼ぶ場合がある。
ｎｃ−ＯＳは、微小な領域（例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の領域、特に１ｎｍ以上３ｎｍ以下の領域）において原子配列に周期性を有する。また、ｎｃ−ＯＳは、異なるペレット間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。したがって、ｎｃ−ＯＳは、分析方法によっては、ａ−ｌｉｋｅ ＯＳや非晶質酸化物半導体と区別が付かない場合がある。例えば、ｎｃ−ＯＳに対し、ペレットよりも大きい径のＸ線を用いた場合、ｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法による解析では、結晶面を示すピークは検出されない。また、ｎｃ−ＯＳに対し、ペレットよりも大きいプローブ径（例えば５０ｎｍ以上）の電子線を用いる電子回折を行うと、ハローパターンのような回折パターンが観測される。一方、ｎｃ−ＯＳに対し、ペレットの大きさと近いかペレットより小さいプローブ径の電子線を用いるナノビーム電子回折を行うと、スポットが観測される。また、ｎｃ−ＯＳに対しナノビーム電子回折を行うと、円を描くように（リング状に）輝度の高い領域が観測される場合がある。さらに、リング状の領域内に複数のスポットが観測される場合がある。
このように、ペレット（ナノ結晶）間では結晶方位が規則性を有さないことから、ｎｃ−ＯＳを、ＲＡＮＣ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｌｉｇｎｅｄ ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｓ）を有する酸化物半導体、またはＮＡＮＣ（Ｎｏｎ−Ａｌｉｇｎｅｄ ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｓ）を有する酸化物半導体と呼ぶこともできる。
ｎｃ−ＯＳは、非晶質酸化物半導体よりも規則性の高い酸化物半導体である。そのため、ｎｃ−ＯＳは、ａ−ｌｉｋｅ ＯＳや非晶質酸化物半導体よりも欠陥準位密度が低くなる。ただし、ｎｃ−ＯＳは、異なるペレット間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、ｎｃ−ＯＳは、ＣＡＡＣ−ＯＳと比べて欠陥準位密度が高くなる。
＜ａ−ｌｉｋｅ ＯＳ＞
ａ−ｌｉｋｅ ＯＳは、ｎｃ−ＯＳと非晶質酸化物半導体との間の構造を有する酸化物半導体である。
ａ−ｌｉｋｅ ＯＳは、高分解能ＴＥＭ像において鬆が観察される場合がある。また、高分解能ＴＥＭ像において、明確に結晶部を確認することのできる領域と、結晶部を確認することのできない領域と、を有する。
鬆を有するため、ａ−ｌｉｋｅ ＯＳは、不安定な構造である。以下では、ａ−ｌｉｋｅ ＯＳが、ＣＡＡＣ−ＯＳおよびｎｃ−ＯＳと比べて不安定な構造であることを示すため、電子照射による構造の変化を示す。
電子照射を行う試料として、ａ−ｌｉｋｅ ＯＳ（試料Ａと表記する。）、ｎｃ−ＯＳ（試料Ｂと表記する。）およびＣＡＡＣ−ＯＳ（試料Ｃと表記する。）を準備する。いずれの試料もＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物である。
まず、各試料の高分解能断面ＴＥＭ像を取得する。高分解能断面ＴＥＭ像により、各試料は、いずれも結晶部を有することがわかる。
なお、どの部分を一つの結晶部と見なすかの判定は、以下のように行えばよい。例えば、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の単位格子は、Ｉｎ−Ｏ層を３層有し、またＧａ−Ｚｎ−Ｏ層を６層有する、計９層がｃ軸方向に層状に重なった構造を有することが知られている。これらの近接する層同士の間隔は、（００９）面の格子面間隔（ｄ値ともいう。）と同程度であり、結晶構造解析からその値は０．２９ｎｍと求められている。したがって、格子縞の間隔が０．２８ｎｍ以上０．３０ｎｍ以下である箇所を、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶部と見なすことができる。なお、格子縞は、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶のａ−ｂ面に対応する。
図６は、各試料の結晶部（２２箇所から４５箇所）の平均の大きさを調査した例である。ただし、上述した格子縞の長さを結晶部の大きさとしている。図６より、ａ−ｌｉｋｅ ＯＳは、電子の累積照射量に応じて結晶部が大きくなっていくことがわかる。具体的には、図６中に（１）で示すように、ＴＥＭによる観察初期においては１．２ｎｍ程度の大きさだった結晶部（初期核ともいう。）が、累積照射量が４．２×１０８ｅ−／ｎｍ２においては２．６ｎｍ程度の大きさまで成長していることがわかる。一方、ｎｃ−ＯＳおよびＣＡＡＣ−ＯＳは、電子照射開始時から電子の累積照射量が４．２×１０８ｅ−／ｎｍ２までの範囲で、結晶部の大きさに変化が見られないことがわかる。具体的には、図６中の（２）および（３）で示すように、電子の累積照射量によらず、ｎｃ−ＯＳおよびＣＡＡＣ−ＯＳの結晶部の大きさは、それぞれ１．４ｎｍ程度および２．１ｎｍ程度であることがわかる。
このように、ａ−ｌｉｋｅ ＯＳは、電子照射によって結晶部の成長が見られる場合がある。一方、ｎｃ−ＯＳおよびＣＡＡＣ−ＯＳは、電子照射による結晶部の成長がほとんど見られないことがわかる。即ち、ａ−ｌｉｋｅ ＯＳは、ｎｃ−ＯＳおよびＣＡＡＣ−ＯＳと比べて、不安定な構造であることがわかる。
また、鬆を有するため、ａ−ｌｉｋｅ ＯＳは、ｎｃ−ＯＳおよびＣＡＡＣ−ＯＳと比べて密度の低い構造である。具体的には、ａ−ｌｉｋｅ ＯＳの密度は、同じ組成の単結晶の密度の７８．６％以上９２．３％未満となる。また、ｎｃ−ＯＳの密度およびＣＡＡＣ−ＯＳの密度は、同じ組成の単結晶の密度の９２．３％以上１００％未満となる。単結晶の密度の７８％未満となる酸化物半導体は、成膜すること自体が困難である。
例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］を満たす酸化物半導体において、菱面体晶構造を有する単結晶ＩｎＧａＺｎＯ４の密度は６．３５７ｇ／ｃｍ３となる。よって、例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］を満たす酸化物半導体において、ａ−ｌｉｋｅ ＯＳの密度は５．０ｇ／ｃｍ３以上５．９ｇ／ｃｍ３未満となる。また、例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］を満たす酸化物半導体において、ｎｃ−ＯＳの密度およびＣＡＡＣ−ＯＳの密度は５．９ｇ／ｃｍ３以上６．３ｇ／ｃｍ３未満となる。
なお、同じ組成の単結晶が存在しない場合がある。その場合、任意の割合で組成の異なる単結晶を組み合わせることにより、所望の組成における単結晶に相当する密度を見積もることができる。所望の組成の単結晶に相当する密度は、組成の異なる単結晶を組み合わせる割合に対して、加重平均を用いて見積もればよい。ただし、密度は、可能な限り少ない種類の単結晶を組み合わせて見積もることが好ましい。
以上のように、酸化物半導体は、様々な構造をとり、それぞれが様々な特性を有する。なお、酸化物半導体は、例えば、非晶質酸化物半導体、ａ−ｌｉｋｅ ＯＳ、ｎｃ−ＯＳ、ＣＡＡＣ−ＯＳのうち、二種以上を有する積層膜であってもよい。
図７（Ａ）は、トランジスタ１５０の一部を拡大した断面図である。図７（Ａ）では、半導体膜１０６が、半導体膜１０６ａ、半導体膜１０６ｂ及び半導体膜１０６ｃが、この順に積層した積層膜である場合を示す。なお、図７（Ｂ）に示すように積層膜を島状に加工する際、積層膜の下の絶縁膜１０２が若干過度にエッチングされてもよい。
半導体膜１０６ａ、半導体膜１０６ｂ、半導体膜１０６ｃなどに適用可能な半導体について説明する。
半導体膜１０６ｂは、例えば、インジウムを含む酸化物半導体である。半導体膜１０６ｂは、例えば、インジウムを含むと、キャリア移動度（電子移動度）が高くなる。また、半導体膜１０６ｂは、元素Ｍを含むと好ましい。元素Ｍは、好ましくは、アルミニウム、ガリウム、イットリウムまたはスズなどとする。そのほかの元素Ｍに適用可能な元素としては、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステンなどがある。ただし、元素Ｍとして、前述の元素を複数組み合わせても構わない場合がある。元素Ｍは、例えば、酸素との結合エネルギーが高い元素である。例えば、酸素との結合エネルギーがインジウムよりも高い元素である。または、元素Ｍは、例えば、酸化物半導体のエネルギーギャップを大きくする機能を有する元素である。また、半導体膜１０６ｂは、亜鉛を含むと好ましい。また、酸化物半導体は、亜鉛を含むと結晶化しやすくなる場合がある。
ただし、半導体膜１０６ｂは、インジウムを含む酸化物半導体に限定されない。半導体膜１０６ｂは、例えば、亜鉛スズ酸化物、ガリウムスズ酸化物、酸化ガリウムなどの、インジウムを含まず、亜鉛を含む酸化物半導体、ガリウムを含む酸化物半導体、スズを含む酸化物半導体などであっても構わない。
半導体膜１０６ｂは、例えば、エネルギーギャップが大きい酸化物を用いる。半導体膜１０６ｂのエネルギーギャップは、例えば、２．５ｅＶ以上４．２ｅＶ以下、好ましくは２．８ｅＶ以上３．８ｅＶ以下、さらに好ましくは３ｅＶ以上３．５ｅＶ以下とする。
例えば、半導体膜１０６ａ及び半導体膜１０６ｃは、半導体膜１０６ｂを構成する酸素以外の元素一種以上、または二種以上から構成される酸化物半導体である。半導体膜１０６ｂを構成する酸素以外の元素一種以上、または二種以上から半導体膜１０６ａ及び半導体膜１０６ｃが構成されるため、半導体膜１０６ａと半導体膜１０６ｂとの界面、及び半導体膜１０６ｂと半導体膜１０６ｃとの界面において、界面準位が形成されにくい。
半導体膜１０６ａ、半導体膜１０６ｂ及び半導体膜１０６ｃが、インジウムを含む場合について説明する。なお、半導体膜１０６ａがＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物のとき、Ｉｎ及びＭの和を１００ａｔｏｍｉｃ％としたとき、好ましくはＩｎが５０ａｔｏｍｉｃ％以下、Ｍが５０ａｔｏｍｉｃ％以上、さらに好ましくはＩｎが２５ａｔｏｍｉｃ％以下、Ｍが７５ａｔｏｍｉｃ％以上とする。また、半導体膜１０６ｂがＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物のとき、Ｉｎ及びＭの和を１００ａｔｏｍｉｃ％としたとき、好ましくはＩｎが２５ａｔｏｍｉｃ％以上、Ｍが７５ａｔｏｍｉｃ％以下、さらに好ましくはＩｎが３４ａｔｏｍｉｃ％以上、Ｍが６６ａｔｏｍｉｃ％以下とする。また、半導体膜１０６ｃがＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物のとき、Ｉｎ及びＭの和を１００ａｔｏｍｉｃ％としたとき、好ましくはＩｎが５０ａｔｏｍｉｃ％以下、Ｍが５０ａｔｏｍｉｃ％以上、さらに好ましくはＩｎが２５ａｔｏｍｉｃ％以下、Ｍが７５ａｔｏｍｉｃ％以上とする。なお、半導体膜１０６ｃは、半導体膜１０６ａと同種の酸化物を用いても構わない。
半導体膜１０６ｂは、半導体膜１０６ａ及び半導体膜１０６ｃよりも電子親和力の大きい酸化物を用いる。例えば、半導体膜１０６ｂとして、半導体膜１０６ａ及び半導体膜１０６ｃよりも電子親和力の０．０７ｅＶ以上１．３ｅＶ以下、好ましくは０．１ｅＶ以上０．７ｅＶ以下、さらに好ましくは０．１５ｅＶ以上０．４ｅＶ以下大きい酸化物を用いる。なお、電子親和力は、真空準位と伝導帯下端のエネルギーとの差である。
なお、インジウムガリウム酸化物は、小さい電子親和力と、高い酸素ブロック性を有する。そのため、半導体膜１０６ｃがインジウムガリウム酸化物を含むと好ましい。ガリウム原子の割合［Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）］は、例えば、７０％以上、好ましくは８０％以上、さらに好ましくは９０％以上とする。
ただし、半導体膜１０６ａまたは／及び半導体膜１０６ｃが、酸化ガリウムであっても構わない。例えば、半導体膜１０６ｃとして、酸化ガリウムを用いると導電膜１１６ａまたは導電膜１１６ｂと導電膜１１４との間に生じるリーク電流を低減することができる。即ち、トランジスタ１５０のオフ電流を小さくすることができる。
このとき、導電膜１１４から半導体膜１０６にゲート電圧を印加すると、半導体膜１０６ａ、半導体膜１０６ｂ、半導体膜１０６ｃのうち、電子親和力の大きい半導体膜１０６ｂにチャネルが形成される。
図７（Ａ）に示す一点鎖線Ｅ１−Ｅ２に対応するバンド構造を図７（Ｃ）に示す。図７（Ｃ）には、真空準位（ｖａｃｕｕｍ ｌｅｖｅｌと表記。）、各層の伝導帯下端のエネルギー（Ｅｃと表記。）及び価電子帯上端のエネルギー（Ｅｖと表記。）を示す。
ここで、半導体膜１０６ａと半導体膜１０６ｂとの間には、半導体膜１０６ａと半導体膜１０６ｂとの混合領域を有する場合がある。また、半導体膜１０６ｂと半導体膜１０６ｃとの間には、半導体膜１０６ｂと半導体膜１０６ｃとの混合領域を有する場合がある。混合領域は、界面準位密度が低くなる。そのため、半導体膜１０６ａ、半導体膜１０６ｂ及び半導体膜１０６ｃの積層体は、それぞれの界面近傍において、エネルギーが連続的に変化する（連続接合ともいう。）バンド構造となる。
このとき、電子は、半導体膜１０６ａ中及び半導体膜１０６ｃ中ではなく、半導体膜１０６ｂ中を主として移動する。つまり、半導体膜１０６ｂに電子が埋め込まれる。したがって、半導体膜１０６ａ及び半導体膜１０６ｂの界面における界面準位密度、半導体膜１０６ｂと半導体膜１０６ｃとの界面における界面準位密度を低くすることによって、半導体膜１０６ｂ中で電子の移動が阻害されることが少なく、チャネル抵抗が小さいためトランジスタ１５０のオン電流を高くすることができる。
なお、トランジスタ１５０がｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造を有する場合、半導体膜１０６ｂの全体にチャネルが形成される。したがって、半導体膜１０６ｂが厚いほどチャネル領域は大きくなる。即ち、半導体膜１０６ｂが厚いほど、トランジスタ１５０のオン電流を高くすることができる。例えば、１０ｎｍ以上、好ましくは４０ｎｍ以上、さらに好ましくは６０ｎｍ以上、より好ましくは１００ｎｍ以上の厚さの領域を有する半導体膜１０６ｂとすればよい。ただし、トランジスタ１５０を有する半導体装置の生産性が低下する場合があるため、例えば、３００ｎｍ以下、好ましくは２００ｎｍ以下、さらに好ましくは１５０ｎｍ以下の厚さの領域を有する半導体膜１０６ｂとすればよい。
また、トランジスタ１５０のオン電流を高くするためには、半導体膜１０６ｃの厚さは小さいほど好ましい。例えば、１０ｎｍ未満、好ましくは５ｎｍ以下、さらに好ましくは３ｎｍ以下の領域を有する半導体膜１０６ｃとすればよい。一方、半導体膜１０６ｃは、チャネルの形成される半導体膜１０６ｂへ、隣接する絶縁膜を構成する酸素以外の元素（水素、シリコンなど）が入り込まないようブロックする機能を有する。そのため、半導体膜１０６ｃは、ある程度の厚さを有することが好ましい。例えば、０．３ｎｍ以上、好ましくは１ｎｍ以上、さらに好ましくは２ｎｍ以上の厚さの領域を有する半導体膜１０６ｃとすればよい。また、半導体膜１０６ｃは、絶縁膜１０２などから放出される酸素の外方拡散を抑制するために、酸素をブロックする性質を有すると好ましい。
また、信頼性を高くするためには、半導体膜１０６ａは厚く、半導体膜１０６ｃは薄いことが好ましい。例えば、１０ｎｍ以上、好ましくは２０ｎｍ以上、さらに好ましくは４０ｎｍ以上、より好ましくは６０ｎｍ以上の厚さの領域を有する半導体膜１０６ａとすればよい。半導体膜１０６ａの厚さを、厚くすることで、隣接する絶縁膜と半導体膜１０６ａとの界面からチャネルの形成される半導体膜１０６ｂまでの距離を離すことができる。ただし、トランジスタ１５０を有する半導体装置の生産性が低下する場合があるため、例えば、２００ｎｍ以下、好ましくは１２０ｎｍ以下、さらに好ましくは８０ｎｍ以下の厚さの領域を有する半導体膜１０６ａとすればよい。
例えば、酸化物半導体中のシリコンは、キャリアトラップやキャリア発生源となる場合がある。したがって、半導体膜１０６ｂのシリコン濃度は低いほど好ましい。例えば、半導体膜１０６ｂと半導体膜１０６ａとの間に、例えば、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）において、１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、好ましくは５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、さらに好ましくは２×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満のシリコン濃度となる領域を有する。また、半導体膜１０６ｂと半導体膜１０６ｃとの間に、ＳＩＭＳにおいて、１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、好ましくは５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、さらに好ましくは２×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満のシリコン濃度となる領域を有する。
また、半導体膜１０６ｂの水素濃度を低減するために、半導体膜１０６ａ及び半導体膜１０６ｃの水素濃度を低減すると好ましい。半導体膜１０６ａ及び半導体膜１０６ｃは、ＳＩＭＳにおいて、２×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、より好ましくは１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、さらに好ましくは５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の水素濃度となる領域を有する。また、半導体膜１０６ｂの窒素濃度を低減するために、半導体膜１０６ａ及び半導体膜１０６ｃの窒素濃度を低減すると好ましい。半導体膜１０６ａ及び半導体膜１０６ｃは、ＳＩＭＳにおいて、５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、好ましくは５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、より好ましくは１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、さらに好ましくは５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の窒素濃度となる領域を有する。
なお、酸化物半導体に銅が混入すると、電子トラップを生成する場合がある。電子トラップは、トランジスタのしきい値電圧をプラス方向へ変動させる場合がある。したがって、半導体膜１０６ｂの表面または内部における銅濃度は低いほど好ましい。例えば、半導体膜１０６ｂは、銅濃度が１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、または１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下となる領域を有すると好ましい。
なお、酸化物半導体をチャネルとするトランジスタに安定した電気特性を付与するためには、酸化物半導体中の不純物濃度を低減し、酸化物半導体を真性または実質的に真性にすることが有効である。ここで、実質的に真性とは、酸化物半導体のキャリア密度が、１×１０１７／ｃｍ３以下、好ましくは１×１０１５／ｃｍ３以下、さらに好ましくは１×１０１３／ｃｍ３以下、より好ましくは１×１０１１／ｃｍ３以下、特に好ましくは１×１０１０／ｃｍ３以下であり、１×１０−９／ｃｍ３以上であることを指す。
上述の３層構造は一例である。例えば、半導体膜１０６ａまたは半導体膜１０６ｃのない２層構造としても構わない。または、半導体膜１０６ａの上もしくは下、または半導体膜１０６ｃ上もしくは下に、半導体膜１０６ａ、半導体膜１０６ｂ及び半導体膜１０６ｃとして例示した半導体のいずれか一を有する４層構造としても構わない。または、半導体膜１０６ａの上、半導体膜１０６ａの下、半導体膜１０６ｃの上、半導体膜１０６ｃの下のいずれか二箇所以上に、半導体膜１０６ａ、半導体膜１０６ｂ及び半導体膜１０６ｃとして例示した半導体のいずれか一を有するｎ層構造（ｎは５以上の整数）としても構わない。
基板１００としては、例えば、絶縁体基板、半導体基板または導電体基板を用いればよい。絶縁体基板としては、例えば、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、安定化ジルコニア基板（イットリア安定化ジルコニア基板など）、樹脂基板などがある。また、半導体基板としては、例えば、シリコン、ゲルマニウムなどの単体半導体基板、または炭化シリコン、シリコンゲルマニウム、ヒ化ガリウム、リン化インジウム、酸化亜鉛、酸化ガリウムを材料とした化合物半導体基板などがある。さらには、前述の半導体基板内部に絶縁体領域を有する半導体基板、例えばＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板などがある。導電体基板としては、黒鉛基板、金属基板、合金基板、導電性樹脂基板などがある。または、金属の窒化物を有する基板、金属の酸化物を有する基板などがある。さらには、絶縁体基板に導電体または半導体が設けられた基板、半導体基板に導電体または絶縁体が設けられた基板、導電体基板に半導体または絶縁体が設けられた基板などがある。または、これらの基板に素子が設けられたものを用いてもよい。基板に設けられる素子としては、容量素子、抵抗素子、スイッチ素子、発光素子、記憶素子などがある。
また、基板１００として、可撓性基板を用いてもよい。なお、可撓性基板上にトランジスタを設ける方法としては、非可撓性の基板上にトランジスタを作製した後、トランジスタを剥離し、可撓性基板である基板１００に転置する方法もある。その場合には、非可撓性基板とトランジスタとの間に剥離層を設けるとよい。なお、基板１００として、繊維を編みこんだシート、フィルムまたは箔などを用いてもよい。また、基板１００が伸縮性を有してもよい。また、基板１００は、折り曲げや引っ張りをやめた際に、元の形状に戻る性質を有してもよい。または、元の形状に戻らない性質を有してもよい。基板１００は、例えば、５μｍ以上７００μｍ以下、好ましくは１０μｍ以上５００μｍ以下、さらに好ましくは１５μｍ以上３００μｍ以下の厚さとなる領域を有する。基板１００を薄くすると、トランジスタ１５０を有する半導体装置を軽量化することができる。また、基板１００を薄くすることで、ガラスなどを用いた場合にも伸縮性を有する場合や、折り曲げや引っ張りをやめた際に、元の形状に戻る性質を有する場合がある。そのため、落下などによって基板１００上の半導体装置に加わる衝撃などを緩和することができる。即ち、丈夫な半導体装置を提供することができる。
可撓性基板である基板１００としては、例えば、金属、合金、樹脂もしくはガラス、またはそれらの繊維などを用いることができる。可撓性基板である基板１００は、線膨張率が低いほど環境による変形が抑制されて好ましい。可撓性基板である基板１００としては、例えば、線膨張率が１×１０−３／Ｋ以下、５×１０−５／Ｋ以下、または１×１０−５／Ｋ以下である材質を用いればよい。樹脂としては、例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミドなど）、ポリイミド、ポリカーボネート、アクリルなどがある。特に、アラミドは、線膨張率が低いため、可撓性基板である基板１００として好適である。
なお、トランジスタ１５０は、図８（Ａ）または図８（Ｂ）に示す断面図の構造であっても構わない。図８（Ａ）は、導電膜１１４が導電膜１０４と電気的に接続している点が図１（Ｂ）に示した構造と異なる。また、図８（Ｂ）は、導電膜１０４及び絶縁膜１０２を設けない点が図１（Ｂ）と異なる。
＜トランジスタ構造１の作製方法＞
以下では、図１に示したトランジスタ１５０の作製方法について説明する。
まず、基板１００を準備する。
次に、絶縁膜１０１を成膜する。絶縁膜１０１の成膜は、スパッタリング法、化学気相成長（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ：Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法またはパルスレーザ堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などを用いて行うことができる。
なお、ＣＶＤ法は、プラズマを利用するプラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ ＣＶＤ）法、熱を利用する熱ＣＶＤ（ＴＣＶＤ：Ｔｈｅｒｍａｌ ＣＶＤ）法、光を利用する光ＣＶＤ（Ｐｈｏｔｏ ＣＶＤ）法などに分類できる。さらに用いる原料ガスによって金属ＣＶＤ（ＭＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ ＣＶＤ）法、有機金属ＣＶＤ（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ ＣＶＤ）法に分けることができる。
プラズマＣＶＤ法は、比較的低温で高品質の膜が得られる。また、熱ＣＶＤ法は、プラズマを用いないため、被処理物へのプラズマダメージを小さくすることが可能な成膜方法である。例えば、半導体装置に含まれる配線、電極、素子（トランジスタ、容量素子など）などは、プラズマから電荷を受け取ることでチャージアップする場合がある。このとき、蓄積した電荷によって、半導体装置に含まれる配線、電極、素子などが破壊される場合がある。一方、プラズマを用いない熱ＣＶＤ法の場合、こういったプラズマダメージが生じないため、半導体装置の歩留まりを高くすることができる。また、熱ＣＶＤ法では、成膜中のプラズマダメージが生じないため、欠陥の少ない膜が得られる。
また、ＡＬＤ法も、被処理物へのプラズマダメージを小さくすることが可能な成膜方法である。また、ＡＬＤ法も、成膜中のプラズマダメージが生じないため、欠陥の少ない膜が得られる。
ＣＶＤ法及びＡＬＤ法は、ターゲットなどから放出される粒子が堆積する成膜方法とは異なり、被処理物の表面における反応により膜が形成される成膜方法である。したがって、被処理物の形状の影響を受けにくく、良好な段差被覆性を有する成膜方法である。特に、ＡＬＤ法は、優れた段差被覆性と、優れた厚さの均一性を有するため、アスペクト比の高い開口部の表面を被覆する場合などに好適である。ただし、ＡＬＤ法は、比較的成膜速度が遅いため、成膜速度の速いＣＶＤ法などの他の成膜方法と組み合わせて用いることが好ましい場合もある。
ＣＶＤ法及びＡＬＤ法は、原料ガスの流量比によって、得られる膜の組成を制御することができる。例えば、ＣＶＤ法及びＡＬＤ法では、原料ガスの流量比によって、任意の組成の膜を成膜することができる。また、例えば、ＣＶＤ法及びＡＬＤ法では、成膜しながら原料ガスの流量比を変化させることによって、組成が連続的に変化した膜を成膜することができる。原料ガスの流量比を変化させながら成膜する場合、複数の成膜室を用いて成膜する場合と比べて、搬送や圧力調整に掛かる時間の分、成膜に掛かる時間を短くすることができる。したがって、半導体装置の生産性を高めることができる場合がある。
次に、導電膜を成膜する。導電膜の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法またはＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いて行うことができる。
次に、導電膜をフォトリソグラフィ法などによって加工し、導電膜１０４を形成する（図９（Ａ）参照）。
なお、フォトリソグラフィ法では、まず、フォトマスクを介してレジストを露光する。次に、露光された領域を、現像液を用いて除去または残存させてレジストマスクを形成する。次に、当該レジストマスクを介してエッチング処理することで導電膜、半導体膜または絶縁膜などを所望の形状に加工することができる。例えば、ＫｒＦエキシマレーザ光、ＡｒＦエキシマレーザ光、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光などを用いて、レジストを露光することでレジストマスクを形成すればよい。また、基板と投影レンズとの間に液体（例えば水）を満たして露光する、液浸技術を用いてもよい。また、前述した光に代えて、電子ビームやイオンビームを用いてもよい。なお、電子ビームやイオンビームを用いる場合には、フォトマスクは不要となる。なお、レジストマスクの除去には、アッシングなどのドライエッチング処理または／及びウェットエッチング処理を用いることができる。
次に、絶縁膜１０２ａ及び絶縁膜１０２ｂを成膜する（図９（Ｂ）参照）。絶縁膜１０２ａ及び絶縁膜１０２ｂの成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法またはＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いて行うことができる。なお、絶縁膜１０２ａ及び絶縁膜１０２ｂをまとめて絶縁膜１０２ともいう。
次に、絶縁膜１０２に酸素を添加する処理を行っても構わない。酸素を添加する処理としては、例えば、イオン注入法、プラズマ処理法などがある。なお、絶縁膜１０２に添加された酸素は、過剰酸素となる。
次に、半導体膜を成膜する。半導体膜の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法またはＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いて行うことができる。
次に、半導体膜に酸素を添加する処理を行っても構わない。酸素を添加する処理としては、例えば、イオン注入法、プラズマ処理法などがある。なお、半導体膜に添加された酸素は、過剰酸素となる。なお、半導体膜が積層膜である場合、図１（Ａ）の半導体膜１０６となる半導体に対応する層に酸素を添加する処理を行うと好ましい。
次に、第１の加熱処理を行うと好ましい。第１の加熱処理は、１５０℃以上基板の歪み点未満、好ましくは２００℃以上４８０℃以下、さらに好ましくは３００℃以上４８０℃以下で行えばよい。第１の加熱処理は、不活性ガス雰囲気、または酸化性ガスを１０ｐｐｍ以上、１％以上もしくは１０％以上含む雰囲気で行う。第１の加熱処理は減圧状態で行ってもよい。または、第１の加熱処理は、不活性ガス雰囲気で加熱処理した後に、脱離した酸素を補うために酸化性ガスを１０ｐｐｍ以上、１％以上または１０％以上含む雰囲気で加熱処理を行ってもよい。第１の加熱処理によって、半導体膜の結晶性を高めることや、水素や水などの不純物を除去することなどができる。
次に、半導体膜をフォトリソグラフィ法などによって加工し、半導体膜１０６を形成する（図９（Ｃ）参照）。
次に、導電膜を成膜する。導電膜の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法またはＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いて行うことができる。
次に、導電膜をフォトリソグラフィ法などによって加工し、導電膜１１６ａ及び導電膜１１６ｂを形成する（図１０（Ａ）参照）。
次に、絶縁膜を成膜する。絶縁膜の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法またはＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いて行うことができる。
次に、絶縁膜をフォトリソグラフィ法などによって加工し、絶縁膜１１０ａ及び絶縁膜１１０ｂを形成する（図１０（Ｂ）参照）。
次に、絶縁膜を成膜する。絶縁膜の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法またはＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いて行うことができる。
次に、絶縁膜をフォトリソグラフィ法などによって加工し、絶縁膜１１２を形成する。
次に、導電膜を成膜する。導電膜の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法またはＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いて行うことができる。
次に、導電膜をフォトリソグラフィ法などによって加工し、導電膜１１４を形成する。
なお、導電膜１１４を形成した後に絶縁膜を成膜してもよい。絶縁膜の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法またはＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いて行うことができる。また、該絶縁膜の成膜より後のタイミングにおいて第２の加熱処理を行っても構わない。第２の加熱処理を行うことで、絶縁膜１０２などに含まれる過剰酸素が半導体膜１０６まで移動するため、半導体膜１０６の欠陥（酸素欠損）を低減することができる。なお、第２の加熱処理は、絶縁膜１０２中の過剰酸素（酸素）が半導体膜１０６まで拡散する温度で行えばよい。例えば、第１の加熱処理についての記載を参照しても構わない。または、第２の加熱処理は、第１の加熱処理よりも低い温度が好ましい。第１の加熱処理と第２の加熱処理の温度差は、２０℃以上１５０℃以下、好ましくは４０℃以上１００℃以下とする。これにより、絶縁膜１０２から余分に過剰酸素（酸素）が放出することを抑えることができる。なお、第２の加熱処理は、同等の加熱処理を各層の成膜時の加熱によって兼ねることができる場合、行わなくてもよい場合がある。
以上のようにして、図１に示したトランジスタ１５０を作製することができる。
トランジスタ１５０は、絶縁膜１１０ａ及び絶縁膜１１０ｂを設けることにより、導電膜１１４と導電膜１１６ａとの間、及び導電膜１１４と導電膜１１６ｂとの間の寄生容量を小さくすることができる。また、寄生容量を削減することにより、当該半導体装置の動作速度を向上させることができる。また、半導体膜１０６の大部分と、導電膜１１６ａまたは導電膜１１６ｂとを接触させることにより、寄生抵抗を低減することができる、また、寄生抵抗を低減することにより、オン電流を大きくすることができる。
＜トランジスタ構造２＞
以下では、図１などに示したトランジスタ１５０とは、異なる構造を有するトランジスタ２５０について説明する。図１１（Ａ）、図１１（Ｂ）及び図１１（Ｃ）は、本発明の一態様に係るトランジスタ２５０の上面図及び断面図である。図１１（Ａ）は上面図である。図１１（Ｂ）及び図１１（Ｃ）は、図１１（Ａ）に示す一点鎖線Ａ１−Ａ２、及び一点鎖線Ｂ１−Ｂ２に対応する断面図である。なお、図１１（Ａ）の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。
図１１（Ｂ）において、トランジスタ２５０は、基板１００上の絶縁膜１０１と、絶縁膜１０１上の導電膜１０４と、導電膜１０４上の絶縁膜１０２と、絶縁膜１０２上の半導体膜１０６と、半導体膜１０６の上面及び側面と接する領域を有する導電膜１１６ａ及び導電膜１１６ｂと、導電膜１１６ａの上面及び側面と接する、半導体膜１０６上の絶縁膜２１０ａと、導電膜１１６ｂの上面及び側面と接する、半導体膜１０６上の絶縁膜２１０ｂと、絶縁膜２１０ａ上、絶縁膜２１０ｂ上、及び半導体膜１０６上の絶縁膜１１２と、絶縁膜１１２上の導電膜１１４と、を有する。なお、導電膜１１４と半導体膜１０６とは、互いに重なる領域を有している。また、半導体膜１０６は、低抵抗領域２０８ａ、低抵抗領域２０８ｂ、及びチャネル形成領域２０８ｃを有する。
なお、トランジスタ２５０は、絶縁膜１０１を有さなくても構わない場合がある。
トランジスタ２５０において、絶縁膜１０１は下地絶縁膜としての機能を有する。また、導電膜１０４はゲート電極としての機能を有する。また、絶縁膜１０２はゲート絶縁膜としての機能を有する。また、導電膜１１６ａ及び導電膜１１６ｂは、ソース電極及びドレイン電極としての機能を有する。また、絶縁膜１１２はゲート絶縁膜としての機能を有する。また、導電膜１１４はゲート電極としての機能を有する。したがって、導電膜１０４または導電膜１１４に印加する電位によって、半導体膜１０６の抵抗を制御することができる。即ち、導電膜１０４または導電膜１１４に印加する電位によって、導電膜１１６ａと導電膜１１６ｂとの間の導通・非導通を制御することができる。
また、トランジスタ２５０の半導体膜１０６は、導電膜１１６ａと半導体膜１０６とが互いに接する領域と、絶縁膜２１０ａと半導体膜１０６とが互いに接する領域と、絶縁膜１１２と半導体膜１０６とが互いに接する領域と、絶縁膜２１０ｂと半導体膜１０６とが互いに接する領域と、導電膜１１６ｂと半導体膜１０６とが互いに接する領域と、を有する。
なお、絶縁膜２１０ａ及び絶縁膜２１０ｂが窒化シリコン、窒化酸化シリコンなどの窒化物絶縁膜である場合、窒化物絶縁膜に含まれる水素を、半導体膜１０６に移動させることができる。この結果、半導体膜１０６より抵抗値が低い領域である低抵抗領域２０８ａ及び低抵抗領域２０８ｂを形成することができる。
このとき、導電膜１１６ａと、低抵抗領域２０８ａとはエネルギー障壁が十分小さいためオーミック接触となる。また、導電膜１１６ｂと、低抵抗領域２０８ｂとはエネルギー障壁が十分小さいためオーミック接触となる。したがって、導電膜１１６ａ及び導電膜１１６ｂと、低抵抗領域２０８ａ及び低抵抗領域２０８ｂを含む半導体膜１０６との間で電子の授受がスムーズに行われる。
以上に示したように、導電膜１１６ａ及び導電膜１１６ｂと、半導体膜１０６との間で電子の授受がスムーズに行われ、かつ前述したチャネル抵抗の小さい半導体装置は優れたスイッチング特性を有する。
トランジスタ２５０は、導電膜１１４と導電膜１１６ａとの間、導電膜１１４と導電膜１１６ｂとの間に、それぞれ絶縁膜２１０ａ、絶縁膜２１０ｂ及び絶縁膜１１２を有することで、寄生容量を小さくすることができる。
なお、トランジスタ２５０は、図１２（Ａ）または図１２（Ｂ）に示す断面図の構造であっても構わない。図１２（Ａ）は、導電膜１１４が導電膜１０４と電気的に接続している点が図１１（Ｂ）に示した構造と異なる。また、図１２（Ｂ）は、導電膜１０４及び絶縁膜１０２を設けない点が図１１（Ｂ）と異なる。
＜トランジスタ構造２の作製方法＞
以下では、図１１に示したトランジスタ２５０の作製方法について説明する。
まず、基板１００を準備する。次に、絶縁膜１０１を成膜する。次に、導電膜を成膜する。次に、導電膜をフォトリソグラフィ法などによって加工し、導電膜１０４を形成する。次に、絶縁膜１０２ａ及び絶縁膜１０２ｂを成膜する。次に、半導体膜を成膜する。次に、半導体膜をフォトリソグラフィ法などによって加工し、半導体膜１０６を形成する。次に、導電膜を成膜する。次に、導電膜をフォトリソグラフィ法などによって加工し、導電膜１１６ａ及び導電膜１１６ｂを形成する（図１３（Ａ）参照）。ここまでの工程は、トランジスタ構造１の作製方法の図９（Ａ）乃至図１０（Ａ）の説明を援用することができる。
次に、絶縁膜２１０を成膜する。絶縁膜２１０の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法またはＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いて行うことができる。なお、絶縁膜２１０は窒化物絶縁膜であり、窒化物絶縁膜に含まれる水素を、半導体膜１０６に移動させることができる。この結果、半導体膜１０６に低抵抗領域２０８が形成される（図１３（Ｂ）参照）。
次に、絶縁膜２１０をフォトリソグラフィ法などによって加工し、絶縁膜２１０ａ及び絶縁膜２１０ｂを形成する（図１３（Ｃ）参照）。
次に、絶縁膜を成膜する。絶縁膜の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法またはＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いて行うことができる。
次に、絶縁膜をフォトリソグラフィ法などによって加工し、絶縁膜１１２を形成する（図１４（Ａ）参照）。
次に、第２の加熱処理を行う。第２の加熱処理を行うことで、絶縁膜１０２などに含まれる過剰酸素が半導体膜１０６まで移動するため、半導体膜１０６の欠陥（酸素欠損）を低減することができる。つまり、低抵抗領域２０８の絶縁膜２１０ａ及び絶縁膜２１０ｂと接さない領域に絶縁膜１０２などに含まれる過剰酸素が移動し、チャネル形成領域２０８ｃが形成される。また、低抵抗領域２０８の絶縁膜２１０ａ及び絶縁膜２１０ｂと接する領域は、絶縁膜２１０ａ及び絶縁膜２１０ｂに含まれる水素が半導体膜１０６に移動しているため、低抵抗領域２０８ａ及び低抵抗領域２０８ｂが形成される。なお、第２の加熱処理は、絶縁膜１０２中の過剰酸素（酸素）が半導体膜１０６まで拡散する温度で行えばよい。例えば、第１の加熱処理についての記載を参照しても構わない。または、第２の加熱処理は、第１の加熱処理よりも低い温度が好ましい。第１の加熱処理と第２の加熱処理の温度差は、２０℃以上１５０℃以下、好ましくは４０℃以上１００℃以下とする。これにより、絶縁膜１０２から余分に過剰酸素（酸素）が放出することを抑えることができる。なお、第２の加熱処理は、同等の加熱処理を各層の成膜時の加熱によって兼ねることができる場合、行わなくてもよい場合がある。
次に、導電膜を成膜する。導電膜の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法またはＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いて行うことができる。
次に、導電膜をフォトリソグラフィ法などによって加工し、導電膜１１４を形成する。
以上のようにして、図１１に示したトランジスタ２５０を作製することができる。
トランジスタ２５０は、窒化物絶縁膜である絶縁膜２１０ａ及び絶縁膜２１０ｂを設けることにより、低抵抗領域２０８ａ及び低抵抗領域２０８ｂを形成することができ、導電膜１１６ａと低抵抗領域２０８ａと、及び導電膜１１６ｂと低抵抗領域２０８ｂとはエネルギー障壁が十分小さいためオーミック接触となる。したがって、導電膜１１６ａ及び導電膜１１６ｂと、低抵抗領域２０８ａ及び低抵抗領域２０８ｂを含む半導体膜１０６との間で電子の授受がスムーズに行われ、かつチャネル抵抗が小さいため優れたスイッチング特性を有することができる。
また、絶縁膜２１０ａ及び絶縁膜２１０ｂを設けることにより、導電膜１１４と導電膜１１６ａとの間、及び導電膜１１４と導電膜１１６ｂとの間の寄生容量を小さくすることができる。また、寄生容量を削減することにより、当該半導体装置の動作速度を向上させることができる。また、半導体膜１０６の大部分と、導電膜１１６ａまたは導電膜１１６ｂとを接触させることにより、寄生抵抗を低減することができる、また、寄生抵抗を低減することにより、オン電流を大きくすることができる。
＜トランジスタ構造３＞
以下では、先に示したトランジスタとは、異なる構造を有するトランジスタ３５０について説明する。図１５（Ａ）、図１５（Ｂ）及び図１５（Ｃ）は、本発明の一態様に係るトランジスタ３５０の上面図及び断面図である。図１５（Ａ）は上面図である。図１５（Ｂ）及び図１５（Ｃ）は、図１５（Ａ）に示す一点鎖線Ａ１−Ａ２、及び一点鎖線Ｂ１−Ｂ２に対応する断面図である。なお、図１５（Ａ）の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。
図１５（Ｂ）において、トランジスタ３５０は、基板１００上の絶縁膜１０１と、絶縁膜１０１上の導電膜１０４と、導電膜１０４上の絶縁膜１０２と、絶縁膜１０２上の半導体膜１０６と、半導体膜１０６の上面及び側面と接する領域を有する導電膜１１６ａ及び導電膜１１６ｂと、導電膜１１６ａの上面及び側面と接する、半導体膜１０６上の絶縁膜３１０ａと、導電膜１１６ｂの上面及び側面と接する、半導体膜１０６上の絶縁膜３１０ｂと、絶縁膜３１０ａ上、絶縁膜３１０ｂ上、及び半導体膜１０６上の絶縁膜１１２と、絶縁膜１１２上の導電膜１１４と、を有する。なお、導電膜１１４と半導体膜１０６とは、互いに重なる領域を有している。
なお、トランジスタ３５０は、絶縁膜１０１を有さなくても構わない場合がある。
トランジスタ３５０において、絶縁膜１０１は下地絶縁膜としての機能を有する。また、導電膜１０４はゲート電極としての機能を有する。また、絶縁膜１０２はゲート絶縁膜としての機能を有する。また、導電膜１１６ａ及び導電膜１１６ｂは、ソース電極及びドレイン電極としての機能を有する。また、絶縁膜１１２はゲート絶縁膜としての機能を有する。また、導電膜１１４はゲート電極としての機能を有する。したがって、導電膜１０４または導電膜１１４に印加する電位によって、半導体膜１０６の抵抗を制御することができる。即ち、導電膜１０４または導電膜１１４に印加する電位によって、導電膜１１６ａと導電膜１１６ｂとの間の導通・非導通を制御することができる。
また、トランジスタ３５０の半導体膜１０６は、導電膜１１６ａと半導体膜１０６とが互いに接する領域と、絶縁膜３１０ａと半導体膜１０６とが互いに接する領域と、絶縁膜１１２と半導体膜１０６とが互いに接する領域と、絶縁膜３１０ｂと半導体膜１０６とが互いに接する領域と、導電膜１１６ｂと半導体膜１０６とが互いに接する領域と、を有する。
絶縁膜３１０ａ及び絶縁膜３１０ｂは、導電膜１１６ａ及び導電膜１１６ｂの表面を酸化または窒化させて形成する。導電膜１１６ａ及び導電膜１１６ｂとしては、例えば、ポリシリコン、マグネシウム、アルミニウム、バナジウム、クロム、イットリウム、ジルコニウム、ニオブ、ネオジム、ハフニウム及びタンタルを一種以上含む導電膜を、単層で、または積層で用いればよい。
トランジスタ３５０は、導電膜１１４と導電膜１１６ａとの間、導電膜１１４と導電膜１１６ｂとの間に、それぞれ絶縁膜３１０ａ、絶縁膜３１０ｂ及び絶縁膜１１２を有することで、寄生容量を小さくすることができる。
なお、トランジスタ３５０は、図１６（Ａ）または図１６（Ｂ）に示す断面図の構造であっても構わない。図１６（Ａ）は、導電膜１１４が導電膜１０４と電気的に接続している点が図１５（Ｂ）に示した構造と異なる。また、図１６（Ｂ）は、導電膜１０４及び絶縁膜１０２を設けない点が図１５（Ｂ）と異なる。
＜トランジスタ構造３の作製方法＞
以下では、図１５に示したトランジスタ３５０の作製方法について説明する。
まず、基板１００を準備する。次に、絶縁膜１０１を成膜する。次に、導電膜を成膜する。次に、導電膜をフォトリソグラフィ法などによって加工し、導電膜１０４を形成する。次に、絶縁膜１０２ａ及び絶縁膜１０２ｂを成膜する。次に、半導体膜を成膜する。次に、半導体膜をフォトリソグラフィ法などによって加工し、半導体膜１０６を形成する。次に、導電膜を成膜する。次に、導電膜をフォトリソグラフィ法などによって加工し、導電膜１１６ａ及び導電膜１１６ｂを形成する（図１７（Ａ）参照）。ここまでの工程は、トランジスタ構造１の作製方法の図９（Ａ）乃至図１０（Ａ）の説明を援用することができる。
次に、導電膜１１６ａ及び導電膜１１６ｂの表面を酸化または窒化させて絶縁膜３１０ａ及び絶縁膜３１０ｂを形成する（図１７（Ｂ）参照）。導電膜１１６ａ及び導電膜１１６ｂの表面を酸化または窒化させる方法としては、例えば、熱酸化（または熱窒化）、プラズマ酸化（またはプラズマ窒化）、及び酸素イオン注入（または窒素イオン注入）などを用いることができる。
次に、絶縁膜を成膜する。絶縁膜の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法またはＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いて行うことができる。
次に、絶縁膜をフォトリソグラフィ法などによって加工し、絶縁膜１１２を形成する（図１７（Ｃ）参照）。
次に、導電膜を成膜する。導電膜の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法またはＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いて行うことができる。
次に、導電膜をフォトリソグラフィ法などによって加工し、導電膜１１４を形成する。
なお、導電膜１１４を形成した後に絶縁膜を成膜してもよい。絶縁膜の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法またはＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いて行うことができる。また、該絶縁膜の成膜より後のタイミングにおいて第２の加熱処理を行っても構わない。第２の加熱処理を行うことで、絶縁膜１０２などに含まれる過剰酸素が半導体膜１０６まで移動するため、半導体膜１０６の欠陥（酸素欠損）を低減することができる。なお、第２の加熱処理は、絶縁膜１０２中の過剰酸素（酸素）が半導体膜１０６まで拡散する温度で行えばよい。例えば、第１の加熱処理についての記載を参照しても構わない。または、第２の加熱処理は、第１の加熱処理よりも低い温度が好ましい。第１の加熱処理と第２の加熱処理の温度差は、２０℃以上１５０℃以下、好ましくは４０℃以上１００℃以下とする。これにより、絶縁膜１０２から余分に過剰酸素（酸素）が放出することを抑えることができる。なお、第２の加熱処理は、同等の加熱処理を各層の成膜時の加熱によって兼ねることができる場合、行わなくてもよい場合がある。
以上のようにして、図１５に示したトランジスタ３５０を作製することができる。
トランジスタ３５０は、絶縁膜３１０ａ及び絶縁膜３１０ｂを設けることにより、導電膜１１４と導電膜１１６ａとの間、及び導電膜１１４と導電膜１１６ｂとの間の寄生容量を小さくすることができる。また、寄生容量を削減することにより、当該半導体装置の動作速度を向上させることができる。また、半導体膜１０６の大部分と、導電膜１１６ａまたは導電膜１１６ｂとを接触させることにより、寄生抵抗を低減することができる、また、寄生抵抗を低減することにより、オン電流を大きくすることができる。
なお、本実施の形態に示す構成及び方法などは、他の実施の形態に示す構成及び方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
（実施の形態２）
本実施の形態においては、先の実施の形態で例示したトランジスタを有する表示装置の一例について、図１８乃至図２０を用いて以下説明を行う。
図１８は、表示装置の一例を示す上面図である。図１８に示す表示装置７００は、第１の基板７０１上に設けられた画素部７０２と、第１の基板７０１に設けられたソースドライバ回路部７０４及びゲートドライバ回路部７０６と、画素部７０２、ソースドライバ回路部７０４、及びゲートドライバ回路部７０６を囲むように配置されるシール材７１２と、第１の基板７０１に対向するように設けられる第２の基板７０５と、を有する。なお、第１の基板７０１と第２の基板７０５は、シール材７１２によって封止されている。すなわち、画素部７０２、ソースドライバ回路部７０４、及びゲートドライバ回路部７０６は、第１の基板７０１とシール材７１２と第２の基板７０５によって封止されている。なお、図１８には図示しないが、第１の基板７０１と第２の基板７０５の間には表示素子が設けられる。
また、表示装置７００は、第１の基板７０１上のシール材７１２によって囲まれている領域とは異なる領域に、画素部７０２、ソースドライバ回路部７０４、及びゲートドライバ回路部７０６と電気的に接続されるＦＰＣ端子部７０８（ＦＰＣ：Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）が設けられる。また、ＦＰＣ端子部７０８には、ＦＰＣ７１６が接続され、ＦＰＣ７１６によって画素部７０２、ソースドライバ回路部７０４、及びゲートドライバ回路部７０６に各種信号等が供給される。また、画素部７０２、ソースドライバ回路部７０４、ゲートドライバ回路部７０６、及びＦＰＣ端子部７０８には、信号線７１０が各々接続されている。ＦＰＣ７１６により供給される各種信号等は、信号線７１０を介して、画素部７０２、ソースドライバ回路部７０４、ゲートドライバ回路部７０６、及びＦＰＣ端子部７０８に与えられる。
また、表示装置７００にゲートドライバ回路部７０６を複数設けてもよい。また、表示装置７００としては、ソースドライバ回路部７０４、及びゲートドライバ回路部７０６を画素部７０２と同じ第１の基板７０１に形成している例を示しているが、この構成に限定されない。例えば、ゲートドライバ回路部７０６のみを第１の基板７０１に形成しても良い、またはソースドライバ回路部７０４のみを第１の基板７０１に形成しても良い。この場合、ソースドライバ回路またはゲートドライバ回路等が形成された基板（例えば、単結晶半導体膜、多結晶半導体膜で形成された駆動回路基板）を、第１の基板７０１に実装する構成としても良い。なお、別途形成した駆動回路基板の接続方法は、特に限定されるものではなく、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方法、ワイヤボンディング方法などを用いることができる。
また、表示装置７００が有する画素部７０２、ソースドライバ回路部７０４及びゲートドライバ回路部７０６は、複数のトランジスタを有しており、本発明の一態様の半導体装置であるトランジスタを適用することができる。
また、表示装置７００は、様々な素子を有することが出来る。該素子の一例としては、液晶素子、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子（有機物及び無機物を含むＥＬ素子、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子）、ＬＥＤ（白色ＬＥＤ、赤色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ、青色ＬＥＤなど）、トランジスタ（電流に応じて発光するトランジスタ）、電子放出素子、電子インク、電気泳動素子、グレーティングライトバルブ（ＧＬＶ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、ＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム）を用いた表示素子、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、ＤＭＳ（デジタル・マイクロ・シャッター）、ＭＩＲＡＳＯＬ（登録商標）、ＩＭＯＤ（インターフェアレンス・モジュレーション）素子、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子、光干渉方式のＭＥＭＳ表示素子、エレクトロウェッティング素子、圧電セラミックディスプレイ、カーボンナノチューブを用いた表示素子などの少なくとも一つを有している。これらの他にも、電気的または磁気的作用により、コントラスト、輝度、反射率、透過率などが変化する表示媒体を有していても良い。ＥＬ素子を用いた表示装置の一例としては、ＥＬディスプレイなどがある。電子放出素子を用いた表示装置の一例としては、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）又はＳＥＤ方式平面型ディスプレイ（ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ）などがある。液晶素子を用いた表示装置の一例としては、液晶ディスプレイ（透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレイ）などがある。電子インク又は電気泳動素子を用いた表示装置の一例としては、電子ペーパーなどがある。なお、半透過型液晶ディスプレイや反射型液晶ディスプレイを実現する場合には、画素電極の一部、または、全部が、反射電極としての機能を有するようにすればよい。例えば、画素電極の一部、または、全部が、アルミニウム、銀、などを有するようにすればよい。さらに、その場合、反射電極の下に、ＳＲＡＭなどの記憶回路を設けることも可能である。これにより、さらに、消費電力を低減することができる。
なお、表示装置７００における表示方式は、プログレッシブ方式やインターレース方式等を用いることができる。また、カラー表示する際に画素で制御する色要素としては、ＲＧＢ（Ｒは赤、Ｇは緑、Ｂは青を表す）の三色に限定されない。例えば、Ｒの画素とＧの画素とＢの画素とＷ（白）の画素の四画素から構成されてもよい。または、ペンタイル配列のように、ＲＧＢのうちの２色分で一つの色要素を構成し、色要素よって、異なる２色を選択して構成してもよい。またはＲＧＢに、イエロー、シアン、マゼンタ等を一色以上追加してもよい。なお、色要素のドット毎にその表示領域の大きさが異なっていてもよい。ただし、開示する発明はカラー表示の表示装置に限定されるものではなく、モノクロ表示の表示装置に適用することもできる。
また、バックライト（有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子、ＬＥＤ、蛍光灯など）に白色光（Ｗ）を用いて表示装置をフルカラー表示させるために、着色層（カラーフィルタともいう。）を用いてもよい。着色層は、例えば、レッド（Ｒ）、グリーン（Ｇ）、ブルー（Ｂ）、イエロー（Ｙ）などを適宜組み合わせて用いることができる。着色層を用いることで、着色層を用いない場合と比べて色の再現性を高くすることができる。このとき、着色層を有する領域と、着色層を有さない領域と、を配置することによって、着色層を有さない領域における白色光を直接表示に利用しても構わない。一部に着色層を有さない領域を配置することで、明るい表示の際に、着色層による輝度の低下を少なくでき、消費電力を２割から３割程度低減できる場合がある。ただし、有機ＥＬ素子や無機ＥＬ素子などの自発光素子を用いてフルカラー表示する場合、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙ、ホワイト（Ｗ）を、それぞれの発光色を有する素子から発光させても構わない。自発光素子を用いることで、着色層を用いた場合よりも、さらに消費電力を低減できる場合がある。
本実施の形態においては、表示素子として液晶素子及びＥＬ素子を用いる構成について、図１９及び図２０を用いて説明する。なお、図１９は、図１８に示す一点鎖線Ｑ−Ｒにおける断面図であり、表示素子として液晶素子を用いた構成である。また、図２０は、図１８に示す一点鎖線Ｑ−Ｒにおける断面図であり、表示素子としてＥＬ素子を用いた構成である。
まず、図１９及び図２０に示す共通部分について最初に説明し、次に異なる部分について以下説明する。
＜表示装置の共通部分に関する説明＞
図１９及び図２０に示す表示装置７００は、引き回し配線部７１１と、画素部７０２と、ソースドライバ回路部７０４と、ＦＰＣ端子部７０８と、を有する。また、引き回し配線部７１１は、信号線７１０を有する。また、画素部７０２は、トランジスタ７５０及び容量素子７９０を有する。また、ソースドライバ回路部７０４は、トランジスタ７５２を有する。
トランジスタ７５０及びトランジスタ７５２は、先に示すトランジスタを用いることができる。
本実施の形態で用いるトランジスタは、高純度化し、酸素欠損の形成を抑制した酸化物半導体膜を有する。該トランジスタは、オフ状態における電流値（オフ電流値）を低くすることができる。よって、画像信号等の電気信号の保持時間を長くすることができ、電源オン状態では書き込み間隔も長く設定できる。よって、リフレッシュ動作の頻度を少なくすることができるため、消費電力を抑制する効果を奏する。
また、本実施の形態で用いるトランジスタは、比較的高い電界効果移動度が得られるため、高速駆動が可能である。例えば、このような高速駆動が可能なトランジスタを液晶表示装置に用いることで、画素部のスイッチングトランジスタと、駆動回路部に使用するドライバトランジスタを同一基板上に形成することができる。すなわち、別途駆動回路として、シリコンウェハ等により形成された半導体装置を用いる必要がないため、半導体装置の部品点数を削減することができる。また、画素部においても、高速駆動が可能なトランジスタを用いることで、高画質な画像を提供することができる。
容量素子７９０は、一対の電極間に誘電体を有する構造である。より詳しくは、容量素子７９０の一方の電極としては、トランジスタ７５０のゲート電極として機能する導電膜と同一工程で形成された導電膜を用い、容量素子７９０の他方の電極としては、トランジスタ７５０のソース電極及びドレイン電極として機能する導電膜を用いる。また、一対の電極間に挟持される誘電体としては、トランジスタ７５０のゲート絶縁膜として機能する絶縁膜を用いる。
また、図１９及び図２０において、トランジスタ７５０、トランジスタ７５２、及び容量素子７９０上に、絶縁膜７６４、絶縁膜７６６、及び平坦化絶縁膜７７０が設けられている。
絶縁膜７６４、絶縁膜７６６としては、それぞれ先の実施の形態に示す絶縁膜１１０ａ、絶縁膜１１０ｂ、絶縁膜１１２と、同様の材料及び作製方法により形成することができる。また、平坦化絶縁膜７７０としては、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリイミドアミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂等の耐熱性を有する有機材料を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、平坦化絶縁膜７７０を形成してもよい。また、平坦化絶縁膜７７０を設けない構成としてもよい。
また、信号線７１０は、トランジスタ７５０、トランジスタ７５２のソース電極及びドレイン電極として機能する導電膜と同じ工程で形成される。なお、信号線７１０は、トランジスタ７５０、トランジスタ７５２のソース電極及びドレイン電極と異なる工程で形成された導電膜、例えばゲート電極として機能する導電膜としてもよい。信号線７１０として、例えば、銅元素を含む材料を用いた場合、配線抵抗に起因する信号遅延等が少なく、大画面での表示が可能となる。
また、ＦＰＣ端子部７０８は、接続電極７６０、異方性導電膜７８０、及びＦＰＣ７１６を有する。なお、接続電極７６０は、トランジスタ７５０、トランジスタ７５２のソース電極及びドレイン電極として機能する導電膜と同じ工程で形成される。また、接続電極７６０は、ＦＰＣ７１６が有する端子と異方性導電膜７８０を介して、電気的に接続される。
また、第１の基板７０１及び第２の基板７０５としては、例えばガラス基板を用いることができる。また、第１の基板７０１及び第２の基板７０５として、可撓性を有する基板を用いてもよい。該可撓性を有する基板としては、例えばプラスチック基板等が挙げられる。
また、第１の基板７０１と第２の基板７０５の間には、構造体７７８が設けられる。構造体７７８は、絶縁膜を選択的にエッチングすることで得られる柱状のスペーサであり、第１の基板７０１と第２の基板７０５の間の距離（セルギャップ）を制御するために設けられる。なお、構造体７７８として、球状のスペーサを用いていても良い。また、本実施の形態においては、構造体７７８を第１の基板７０１側に設ける構成について例示したが、これに限定されない。例えば、第２の基板７０５側に構造体７７８を設ける構成、または第１の基板７０１及び第２の基板７０５双方に構造体７７８を設ける構成としてもよい。
また、第２の基板７０５側には、ブラックマトリクスとして機能する遮光膜７３８と、カラーフィルタとして機能する着色膜７３６と、遮光膜７３８及び着色膜７３６に接する絶縁膜７３４が設けられる。
＜表示素子として液晶素子を用いる表示装置の構成例＞
図１９に示す表示装置７００は、液晶素子７７５を有する。液晶素子７７５は、導電膜７７２、導電膜７７４、及び液晶層７７６を有する。導電膜７７４は、第２の基板７０５側に設けられ、対向電極としての機能を有する。図１９に示す表示装置７００は、導電膜７７２と導電膜７７４に印加される電圧によって、液晶層７７６の配向状態が変わることによって光の透過、非透過が制御され画像を表示することができる。
また、導電膜７７２は、トランジスタ７５０が有するソース電極及びドレイン電極として機能する導電膜に接続される。導電膜７７２は、平坦化絶縁膜７７０上に形成され画素電極、すなわち表示素子の一方の電極として機能する。また、導電膜７７２は、反射電極としての機能を有する。図１９に示す表示装置７００は、外光を利用し導電膜７７２で光を反射して着色膜７３６を介して表示する、所謂反射型のカラー液晶表示装置である。
導電膜７７２としては、可視光において透光性のある導電膜、または可視光において反射性のある導電膜を用いることができる。可視光において透光性のある導電膜としては、例えば、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）の中から選ばれた一種を含む材料を用いるとよい。可視光において反射性のある導電膜としては、例えば、アルミニウム、または銀を含む材料を用いるとよい。本実施の形態においては、導電膜７７２として、可視光において、反射性のある導電膜を用いる。
また、導電膜７７２として、可視光において反射性のある導電膜を用いる場合、該導電膜を積層構造としてもよい。例えば、下層に膜厚１００ｎｍのアルミニウム膜を形成し、上層に厚さ３０ｎｍの銀合金膜（例えば、銀、パラジウム、及び銅を含む合金膜）を形成する。上述の構造とすることで、以下の優れた効果を奏する。
（１）下地膜と導電膜７７２との密着性を向上させることができる。（２）薬液によってアルミニウム膜と、銀合金膜とを一括してエッチングすることが可能である。（３）導電膜７７２の断面形状を良好な形状（例えば、テーパー形状）とすることができる。（３）の理由としては、アルミニウム膜は、銀合金膜よりも薬液によるエッチング速度が遅い、または上層の銀合金膜のエッチング後、下層のアルミニウム膜が露出した場合に、銀合金膜よりも卑な金属、別言するとイオン化傾向の高い金属であるアルミニウムから電子を引き抜くため、銀合金膜のエッチングが抑制され、下層のアルミニウム膜のエッチングの進行が速くなるためである。
また、図１９に示す表示装置７００においては、画素部７０２の平坦化絶縁膜７７０の一部に凹凸が設けられている。該凹凸は、例えば、平坦化絶縁膜７７０を有機樹脂膜等で形成し、該有機樹脂膜の表面に凹凸を設けることで形成することができる。また、反射電極として機能する導電膜７７２は、上記凹凸に沿って形成される。したがって、外光が導電膜７７２に入射した場合において、導電膜７７２の表面で光を乱反射することが可能となり、視認性を向上させることができる。
なお、図１９に示す表示装置７００は、反射型のカラー液晶表示装置について例示したが、これに限定されない、例えば、導電膜７７２を可視光において、透光性のある導電膜を用いることで透過型のカラー液晶表示装置としてもよい。透過型のカラー液晶表示装置の場合、平坦化絶縁膜７７０に設けられる凹凸については、設けない構成としてもよい。
なお、図１９において図示しないが、導電膜７７２、導電膜７７４の液晶層７７６と接する側に、それぞれ配向膜を設ける構成としてもよい。また、図１９において図示しないが、偏光部材、位相差部材、反射防止部材などの光学部材（光学基板）などは適宜設けてもよい。例えば、偏光基板及び位相差基板による円偏光を用いてもよい。また、光源としてバックライト、サイドライトなどを用いてもよい。
表示素子として液晶素子を用いる場合、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。これらの液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す。
また、横電界方式を採用する場合、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転位する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善するために数重量％以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を用いて液晶層に用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が短く、光学的等方性であるため、配向処理が不要であり、かつ、視野角依存性が小さい。また配向膜を設けなくてもよいのでラビング処理も不要となるため、ラビング処理によって引き起こされる静電破壊を防止することができ、作製工程中の液晶表示装置の不良や破損を軽減することができる。
また、表示素子として液晶素子を用いる場合、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モードなどを用いることができる。
また、ノーマリーブラック型の液晶表示装置、例えば垂直配向（ＶＡ）モードを採用した透過型の液晶表示装置としてもよい。垂直配向モードとしては、いくつか挙げられるが、例えば、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｂｃｅｄ Ｓｕｐｅｒ Ｖｉｅｗ）モードなどを用いることができる。
＜表示素子として発光素子を用いる表示装置＞
図２０に示す表示装置７００は、発光素子７８２を有する。発光素子７８２は、導電膜７８４、ＥＬ層７８６、及び導電膜７８８を有する。図２０に示す表示装置７００は、発光素子７８２が有するＥＬ層７８６が発光することによって、画像を表示することができる。
また、導電膜７８４は、トランジスタ７５０が有するソース電極及びドレイン電極として機能する導電膜に接続される。導電膜７８４は、平坦化絶縁膜７７０上に形成され画素電極、すなわち表示素子の一方の電極として機能する。導電膜７８４としては、可視光において透光性のある導電膜、または可視光において反射性のある導電膜を用いることができる。可視光において透光性のある導電膜としては、例えば、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）の中から選ばれた一種を含む材料を用いるとよい。可視光において反射性のある導電膜としては、例えば、アルミニウム、または銀を含む材料を用いるとよい。
また、図２０に示す表示装置７００には、平坦化絶縁膜７７０及び導電膜７８４上に絶縁膜７３０が設けられる。絶縁膜７３０は、導電膜７８４の一部を覆う。なお、発光素子７８２はトップエミッション構造である。したがって、導電膜７８８は透光性を有し、ＥＬ層７８６が発する光を透過する。なお、本実施の形態においては、トップエミッション構造について、例示するが、これに限定されない。例えば、導電膜７８４側に光を射出するボトムエミッション構造や、導電膜７８４及び導電膜７８８の双方に光を射出するデュアルエミッション構造にも適用することができる。
また、発光素子７８２と重なる位置に、着色膜７３６が設けられ、絶縁膜７３０と重なる位置、引き回し配線部７１１、及びソースドライバ回路部７０４に遮光膜７３８が設けられている。また、着色膜７３６及び遮光膜７３８は、絶縁膜７３４で覆われている。また、発光素子７８２と絶縁膜７３４の間は封止膜７３２で充填されている。なお、図２０に示す表示装置７００においては、着色膜７３６を設ける構成について例示したが、これに限定されない。例えば、ＥＬ層７８６を塗り分けにより形成する場合においては、着色膜７３６を設けない構成としてもよい。
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置を有する表示装置について、図２１を用いて説明を行う。
図２１（Ａ）に示す表示装置は、表示素子の画素を有する領域（以下、画素部５０２という）と、画素部５０２の外側に配置され、画素を駆動するための回路を有する回路部（以下、駆動回路部５０４という）と、素子の保護機能を有する回路（以下、保護回路５０６という）と、端子部５０７と、を有する。なお、保護回路５０６は、設けない構成としてもよい。
駆動回路部５０４の一部、または全部は、画素部５０２と同一基板上に形成されていることが望ましい。これにより、部品数や端子数を減らすことが出来る。駆動回路部５０４の一部、または全部が、画素部５０２と同一基板上に形成されていない場合には、駆動回路部５０４の一部、または全部は、ＣＯＧやＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）によって、実装することができる。
画素部５０２は、Ｘ行（Ｘは２以上の自然数）Ｙ列（Ｙは２以上の自然数）に配置された複数の表示素子を駆動するための回路（以下、画素回路５０１という）を有し、駆動回路部５０４は、画素を選択する信号（走査信号）を出力する回路（以下、ゲートドライバ５０４ａという）、画素の表示素子を駆動するための信号（データ信号）を供給するための回路（以下、ソースドライバ５０４ｂ）などの駆動回路を有する。
ゲートドライバ５０４ａは、シフトレジスタ等を有する。ゲートドライバ５０４ａは、端子部５０７を介して、シフトレジスタを駆動するための信号が入力され、信号を出力する。例えば、ゲートドライバ５０４ａは、スタートパルス信号、クロック信号等が入力され、パルス信号を出力する。ゲートドライバ５０４ａは、走査信号が与えられる配線（以下、走査線ＧＬ＿１乃至ＧＬ＿Ｘという）の電位を制御する機能を有する。なお、ゲートドライバ５０４ａを複数設け、複数のゲートドライバ５０４ａにより、走査線ＧＬ＿１乃至ＧＬ＿Ｘを分割して制御してもよい。または、ゲートドライバ５０４ａは、初期化信号を供給することができる機能を有する。ただし、これに限定されず、ゲートドライバ５０４ａは、別の信号を供給することも可能である。
ソースドライバ５０４ｂは、シフトレジスタ等を有する。ソースドライバ５０４ｂは、端子部５０７を介して、シフトレジスタを駆動するための信号の他、データ信号の元となる信号（画像信号）が入力される。ソースドライバ５０４ｂは、画像信号を元に画素回路５０１に書き込むデータ信号を生成する機能を有する。また、ソースドライバ５０４ｂは、スタートパルス、クロック信号等が入力されて得られるパルス信号に従って、データ信号の出力を制御する機能を有する。また、ソースドライバ５０４ｂは、データ信号が与えられる配線（以下、データ線ＤＬ＿１乃至ＤＬ＿Ｙという）の電位を制御する機能を有する。または、ソースドライバ５０４ｂは、初期化信号を供給することができる機能を有する。ただし、これに限定されず、ソースドライバ５０４ｂは、別の信号を供給することも可能である。
ソースドライバ５０４ｂは、例えば複数のアナログスイッチなどを用いて構成される。ソースドライバ５０４ｂは、複数のアナログスイッチを順次オン状態にすることにより、画像信号を時分割した信号をデータ信号として出力できる。また、シフトレジスタなどを用いてソースドライバ５０４ｂを構成してもよい。
複数の画素回路５０１のそれぞれは、走査信号が与えられる複数の走査線ＧＬの一つを介してパルス信号が入力され、データ信号が与えられる複数のデータ線ＤＬの一つを介してデータ信号が入力される。また、複数の画素回路５０１のそれぞれは、ゲートドライバ５０４ａによりデータ信号のデータの書き込み及び保持が制御される。例えば、ｍ行ｎ列目の画素回路５０１は、走査線ＧＬ＿ｍ（ｍはＸ以下の自然数）を介してゲートドライバ５０４ａからパルス信号が入力され、走査線ＧＬ＿ｍの電位に応じてデータ線ＤＬ＿ｎ（ｎはＹ以下の自然数）を介してソースドライバ５０４ｂからデータ信号が入力される。
図２１（Ａ）に示す保護回路５０６は、例えば、ゲートドライバ５０４ａと画素回路５０１の間の配線である走査線ＧＬに接続される。または、保護回路５０６は、ソースドライバ５０４ｂと画素回路５０１の間の配線であるデータ線ＤＬに接続される。または、保護回路５０６は、ゲートドライバ５０４ａと端子部５０７との間の配線に接続することができる。または、保護回路５０６は、ソースドライバ５０４ｂと端子部５０７との間の配線に接続することができる。なお、端子部５０７は、外部の回路から表示装置に電源及び制御信号、及び画像信号を入力するための端子が設けられた部分をいう。
保護回路５０６は、自身が接続する配線に一定の範囲外の電位が与えられたときに、該配線と別の配線とを導通状態にする回路である。
図２１（Ａ）に示すように、画素部５０２と駆動回路部５０４にそれぞれ保護回路５０６を設けることにより、ＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｓｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ：静電気放電）などにより発生する過電流に対する表示装置の耐性を高めることができる。ただし、保護回路５０６の構成はこれに限定されず、例えば、ゲートドライバ５０４ａに保護回路５０６を接続した構成、またはソースドライバ５０４ｂに保護回路５０６を接続した構成とすることもできる。あるいは、端子部５０７に保護回路５０６を接続した構成とすることもできる。
また、図２１（Ａ）においては、ゲートドライバ５０４ａとソースドライバ５０４ｂによって駆動回路部５０４を形成している例を示しているが、この構成に限定されない。例えば、ゲートドライバ５０４ａのみを形成し、別途用意されたソースドライバ回路が形成された基板（例えば、単結晶半導体膜、多結晶半導体膜で形成された駆動回路基板）を実装する構成としても良い。
また、図２１（Ａ）に示す複数の画素回路５０１は、例えば、図２１（Ｂ）に示す構成とすることができる。
図２１（Ｂ）に示す画素回路５０１は、液晶素子５７０と、トランジスタ５５０と、容量素子５６０と、を有する。トランジスタ５５０に先の実施の形態に示すトランジスタを適用することができる。
液晶素子５７０の一対の電極の一方の電位は、画素回路５０１の仕様に応じて適宜設定される。液晶素子５７０は、書き込まれるデータにより配向状態が設定される。なお、複数の画素回路５０１のそれぞれが有する液晶素子５７０の一対の電極の一方に共通の電位（コモン電位）を与えてもよい。また、各行の画素回路５０１の液晶素子５７０の一対の電極の一方に異なる電位を与えてもよい。
例えば、液晶素子５７０を備える表示装置の駆動方法としては、ＴＮモード、ＳＴＮモード、ＶＡモード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＭＶＡモード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＩＰＳモード、ＦＦＳモード、又はＴＢＡ（Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ Ｂｅｎｄ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードなどを用いてもよい。また、表示装置の駆動方法としては、上述した駆動方法の他、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＰＤＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＰＮＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｎｅｔｗｏｒｋ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ゲストホストモードなどがある。ただし、これに限定されず、液晶素子及びその駆動方式として様々なものを用いることができる。
ｍ行ｎ列目の画素回路５０１において、トランジスタ５５０のソース電極またはドレイン電極の一方は、データ線ＤＬ＿ｎに電気的に接続され、他方は液晶素子５７０の一対の電極の他方に電気的に接続される。また、トランジスタ５５０のゲート電極は、走査線ＧＬ＿ｍに電気的に接続される。トランジスタ５５０は、オン状態またはオフ状態になることにより、データ信号のデータの書き込みを制御する機能を有する。
容量素子５６０の一対の電極の一方は、電位が供給される配線（以下、電位供給線ＶＬ）に電気的に接続され、他方は、液晶素子５７０の一対の電極の他方に電気的に接続される。なお、電位供給線ＶＬの電位の値は、画素回路５０１の仕様に応じて適宜設定される。容量素子５６０は、書き込まれたデータを保持する保持容量としての機能を有する。
例えば、図２１（Ｂ）の画素回路５０１を有する表示装置では、例えば、図２１（Ａ）に示すゲートドライバ５０４ａにより各行の画素回路５０１を順次選択し、トランジスタ５５０をオン状態にしてデータ信号のデータを書き込む。
データが書き込まれた画素回路５０１は、トランジスタ５５０がオフ状態になることで保持状態になる。これを行毎に順次行うことにより、画像を表示できる。
また、図２１（Ａ）に示す複数の画素回路５０１は、例えば、図２１（Ｃ）に示す構成とすることができる。
また、図２１（Ｃ）に示す画素回路５０１は、トランジスタ５５２、トランジスタ５５４と、容量素子５６２と、発光素子５７２と、を有する。トランジスタ５５２及びトランジスタ５５４のいずれか一方または双方に先の実施の形態に示すトランジスタを適用することができる。
トランジスタ５５２のソース電極及びドレイン電極の一方は、データ信号が与えられる配線（以下、信号線ＤＬ＿ｎという）に電気的に接続される。さらに、トランジスタ５５２のゲート電極は、ゲート信号が与えられる配線（以下、走査線ＧＬ＿ｍという）に電気的に接続される。
トランジスタ５５２は、オン状態またはオフ状態になることにより、データ信号のデータの書き込みを制御する機能を有する。
容量素子５６２の一対の電極の一方は、電位が与えられる配線（以下、電位供給線ＶＬ＿ａという）に電気的に接続され、他方は、トランジスタ５５２のソース電極及びドレイン電極の他方に電気的に接続される。
容量素子５６２は、書き込まれたデータを保持する保持容量としての機能を有する。
トランジスタ５５４のソース電極及びドレイン電極の一方は、電位供給線ＶＬ＿ａに電気的に接続される。さらに、トランジスタ５５４のゲート電極は、トランジスタ５５２のソース電極及びドレイン電極の他方に電気的に接続される。
発光素子５７２のアノード及びカソードの一方は、電位供給線ＶＬ＿ｂに電気的に接続され、他方は、トランジスタ５５４のソース電極及びドレイン電極の他方に電気的に接続される。
発光素子５７２としては、例えば有機エレクトロルミネセンス素子（有機ＥＬ素子ともいう）などを用いることができる。ただし、発光素子５７２としては、これに限定されず、無機材料からなる無機ＥＬ素子を用いても良い。
なお、電位供給線ＶＬ＿ａ及び電位供給線ＶＬ＿ｂの一方には、高電源電位ＶＤＤが与えられ、他方には、低電源電位ＶＳＳが与えられる。
図２１（Ｃ）の画素回路５０１を有する表示装置では、例えば、図２１（Ａ）に示すゲートドライバ５０４ａにより各行の画素回路５０１を順次選択し、トランジスタ５５２をオン状態にしてデータ信号のデータを書き込む。
データが書き込まれた画素回路５０１は、トランジスタ５５２がオフ状態になることで保持状態になる。さらに、書き込まれたデータ信号の電位に応じてトランジスタ５５４のソース電極とドレイン電極の間に流れる電流量が制御され、発光素子５７２は、流れる電流量に応じた輝度で発光する。これを行毎に順次行うことにより、画像を表示できる。
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置を有する表示モジュール及び電子機器について、図２２及び図２３を用いて説明を行う。
図２２に示す表示モジュール８０００は、上部カバー８００１と下部カバー８００２との間に、ＦＰＣ８００３に接続されたタッチパネル８００４、ＦＰＣ８００５に接続された表示パネル８００６、バックライトユニット８００７、フレーム８００９、プリント基板８０１０、バッテリー８０１１を有する。
本発明の一態様の半導体装置は、例えば、表示パネル８００６に用いることができる。
上部カバー８００１及び下部カバー８００２は、タッチパネル８００４及び表示パネル８００６のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。
タッチパネル８００４は、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチパネルを表示パネル８００６に重畳して用いることができる。また、表示パネル８００６の対向基板（封止基板）に、タッチパネル機能を持たせるようにすることも可能である。また、表示パネル８００６の各画素内に光センサを設け、光学式のタッチパネルとすることも可能である。
バックライトユニット８００７は、光源８００８を有する。なお、図２２において、バックライトユニット８００７上に光源８００８を配置する構成について例示したが、これに限定さない。例えば、バックライトユニット８００７の端部に光源８００８を配置し、さらに光拡散板を用いる構成としてもよい。なお、有機ＥＬ素子等の自発光型の発光素子を用いる場合、または反射型パネル等の場合においては、バックライトユニット８００７を設けない構成としてもよい。
フレーム８００９は、表示パネル８００６の保護機能の他、プリント基板８０１０の動作により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。またフレーム８００９は、放熱板としての機能を有していてもよい。
プリント基板８０１０は、電源回路、ビデオ信号及びクロック信号を出力するための信号処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であっても良いし、別途設けたバッテリー８０１１による電源であってもよい。バッテリー８０１１は、商用電源を用いる場合には、省略可能である。
また、表示モジュール８０００は、偏光板、位相差板、プリズムシートなどの部材を追加して設けてもよい。
図２３（Ａ）乃至図２３（Ｇ）は、電子機器を示す図である。これらの電子機器は、筐体９０００、表示部９００１、スピーカー９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９００８、等を有することができる。
図２３（Ａ）乃至図２３（Ｇ）に示す電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信または受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。なお、図２３（Ａ）乃至図２３（Ｇ）に示す電子機器が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機能を有することができる。また、図２３（Ａ）乃至図２３（Ｇ）には図示していないが、電子機器は、複数の表示部を有する構成としてもよい。また、該電子機器にカメラ等を設け、静止画を撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を記録媒体（外部またはカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有していてもよい。
図２３（Ａ）乃至図２３（Ｇ）に示す電子機器の詳細について、以下説明を行う。
図２３（Ａ）は、携帯情報端末９１００を示す斜視図である。携帯情報端末９１００が有する表示部９００１は、可撓性を有する。そのため、湾曲した筐体９０００の湾曲面に沿って表示部９００１を組み込むことが可能である。また、表示部９００１はタッチセンサを備え、指やスタイラスなどで画面に触れることで操作することができる。例えば、表示部９００１に表示されたアイコンに触れることで、アプリケーションを起動することができる。
図２３（Ｂ）は、携帯情報端末９１０１を示す斜視図である。携帯情報端末９１０１は、例えば電話機、手帳又は情報閲覧装置等から選ばれた一つ又は複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末９１０１は、スピーカー９００３、接続端子９００６、センサ９００７等を省略して図示しているが、図２３（Ａ）に示す携帯情報端末９１００と同様の位置に設けることができる。また、携帯情報端末９１０１は、文字や画像情報をその複数の面に表示することができる。例えば、３つの操作ボタン９０５０（操作アイコンまたは単にアイコンともいう）を表示部９００１の一の面に表示することができる。また、破線の矩形で示す情報９０５１を表示部９００１の他の面に表示することができる。なお、情報９０５１の一例としては、電子メールやＳＮＳ（ソーシャル・ネットワーキング・サービス）や電話などの着信を知らせる表示、電子メールやＳＮＳなどの題名、電子メールやＳＮＳなどの送信者名、日時、時刻、バッテリーの残量、アンテナ受信の強度などがある。または、情報９０５１が表示されている位置に、情報９０５１の代わりに、操作ボタン９０５０などを表示してもよい。
図２３（Ｃ）は、携帯情報端末９１０２を示す斜視図である。携帯情報端末９１０２は、表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、情報９０５３、情報９０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば、携帯情報端末９１０２の使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１０２を収納した状態で、その表示（ここでは情報９０５３）を確認することができる。具体的には、着信した電話の発信者の電話番号又は氏名等を、携帯情報端末９１０２の上方から観察できる位置に表示する。使用者は、携帯情報端末９１０２をポケットから取り出すことなく、表示を確認し、電話を受けるか否かを判断できる。
図２３（Ｄ）は、腕時計型の携帯情報端末９２００を示す斜視図である。携帯情報端末９２００は、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲームなどの種々のアプリケーションを実行することができる。また、表示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。また、携帯情報端末９２００は、通信規格された近距離無線通信を実行することが可能である。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子９００６を有し、他の情報端末とコネクターを介して直接データのやりとりを行うことができる。また接続端子９００６を介して充電を行うこともできる。なお、充電動作は接続端子９００６を介さずに無線給電により行ってもよい。
図２３（Ｅ）（Ｆ）（Ｇ）は、折り畳み可能な携帯情報端末９２０１を示す斜視図である。また、図２３（Ｅ）が携帯情報端末９２０１を展開した状態の斜視図であり、図２３（Ｆ）が携帯情報端末９２０１を展開した状態または折り畳んだ状態の一方から他方に変化する途中の状態の斜視図であり、図２３（Ｇ）が携帯情報端末９２０１を折り畳んだ状態の斜視図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００に支持されている。ヒンジ９０５５を介して２つの筐体９０００間を屈曲させることにより、携帯情報端末９２０１を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。例えば、携帯情報端末９２０１は、曲率半径１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる。
本実施の形態において述べた電子機器は、何らかの情報を表示するための表示部を有することを特徴とする。ただし、本発明の一態様の半導体装置は、表示部を有さない電子機器にも適用することができる。また、本実施の形態において述べた電子機器の表示部においては、可撓性を有し、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる構成、または折り畳み可能な表示部の構成について例示したが、これに限定されず、可撓性を有さず、平面部に表示を行う構成としてもよい。
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。
１００ 基板
１０１ 絶縁膜
１０２ 絶縁膜
１０２ａ 絶縁膜
１０２ｂ 絶縁膜
１０４ 導電膜
１０６ 半導体膜
１０６ａ 半導体膜
１０６ｂ 半導体膜
１０６ｃ 半導体膜
１１０ａ 絶縁膜
１１０ｂ 絶縁膜
１１２ 絶縁膜
１１４ 導電膜
１１６ａ 導電膜
１１６ｂ 導電膜
１５０ トランジスタ
２０８ 低抵抗領域
２０８ａ 低抵抗領域
２０８ｂ 低抵抗領域
２０８ｃ チャネル形成領域
２１０ 絶縁膜
２１０ａ 絶縁膜
２１０ｂ 絶縁膜
２５０ トランジスタ
３１０ａ 絶縁膜
３１０ｂ 絶縁膜
３５０ トランジスタ
５０１ 画素回路
５０２ 画素部
５０４ 駆動回路部
５０４ａ ゲートドライバ
５０４ｂ ソースドライバ
５０６ 保護回路
５０７ 端子部
５５０ トランジスタ
５５２ トランジスタ
５５４ トランジスタ
５６０ 容量素子
５６２ 容量素子
５７０ 液晶素子
５７２ 発光素子
７００ 表示装置
７０１ 基板
７０２ 画素部
７０４ ソースドライバ回路部
７０５ 基板
７０６ ゲートドライバ回路部
７０８ ＦＰＣ端子部
７１０ 信号線
７１１ 配線部
７１２ シール材
７１６ ＦＰＣ
７３０ 絶縁膜
７３２ 封止膜
７３４ 絶縁膜
７３６ 着色膜
７３８ 遮光膜
７５０ トランジスタ
７５２ トランジスタ
７６０ 接続電極
７６４ 絶縁膜
７６６ 絶縁膜
７７０ 平坦化絶縁膜
７７２ 導電膜
７７４ 導電膜
７７５ 液晶素子
７７６ 液晶層
７７８ 構造体
７８０ 異方性導電膜
７８２ 発光素子
７８４ 導電膜
７８６ ＥＬ層
７８８ 導電膜
７９０ 容量素子
５１００ ペレット
５１２０ 基板
５１６１ 領域
８０００ 表示モジュール
８００１ 上部カバー
８００２ 下部カバー
８００３ ＦＰＣ
８００４ タッチパネル
８００５ ＦＰＣ
８００６ 表示パネル
８００７ バックライトユニット
８００８ 光源
８００９ フレーム
８０１０ プリント基板
８０１１ バッテリー
９０００ 筐体
９００１ 表示部
９００３ スピーカー
９００５ 操作キー
９００６ 接続端子
９００７ センサ
９００８ マイクロフォン
９０５０ 操作ボタン
９０５１ 情報
９０５２ 情報
９０５３ 情報
９０５４ 情報
９０５５ ヒンジ
９１００ 携帯情報端末
９１０１ 携帯情報端末
９１０２ 携帯情報端末
９２００ 携帯情報端末
９２０１ 携帯情報端末

Claims (7)

  1. 酸化物半導体膜と、第１の導電膜と、第２の導電膜と、第３の導電膜と、第１の絶縁膜と、第２の絶縁膜と、第３の絶縁膜と、を有し、
    前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域と、第３の領域と、第４の領域と、第５の領域と、を有し、
    前記第１の領域は、前記第１の導電膜と前記酸化物半導体膜とが互いに接する領域を有し、
    前記第２の領域は、前記第１の絶縁膜と前記酸化物半導体膜とが互いに接する領域を有し、
    前記第３の領域は、前記第３の絶縁膜と前記酸化物半導体膜とが互いに接する領域を有し、
    前記第４の領域は、前記第２の絶縁膜と前記酸化物半導体膜とが互いに接する領域を有し、
    前記第５の領域は、前記第２の導電膜と前記酸化物半導体膜とが互いに接する領域を有し、
    前記第１の絶縁膜は、前記第１の導電膜上及び前記酸化物半導体膜上に設けられ、
    前記第２の絶縁膜は、前記第２の導電膜上及び前記酸化物半導体膜上に設けられ、
    前記第３の絶縁膜は、前記第１の絶縁膜上、前記第２の絶縁膜上及び前記酸化物半導体膜上に設けられ、
    前記第３の導電膜は、前記酸化物半導体膜と前記第３の絶縁膜を介して、重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
  2. 酸化物半導体膜と、第１の導電膜と、第２の導電膜と、第３の導電膜と、第４の導電膜と、第１の絶縁膜と、第２の絶縁膜と、第３の絶縁膜と、第４の絶縁膜と、を有し、
    前記第４の絶縁膜は、前記第４の導電膜上に設けられ、
    前記酸化物半導体膜は、前記第４の絶縁膜上に設けられ、
    前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域と、第３の領域と、第４の領域と、第５の領域と、を有し、
    前記第１の領域は、前記第１の導電膜と前記酸化物半導体膜とが互いに接する領域を有し、
    前記第２の領域は、前記第１の絶縁膜と前記酸化物半導体膜とが互いに接する領域を有し、
    前記第３の領域は、前記第３の絶縁膜と前記酸化物半導体膜とが互いに接する領域を有し、
    前記第４の領域は、前記第２の絶縁膜と前記酸化物半導体膜とが互いに接する領域を有し、
    前記第５の領域は、前記第２の導電膜と前記酸化物半導体膜とが互いに接する領域を有し、
    前記第１の絶縁膜は、前記第１の導電膜上及び前記酸化物半導体膜上に設けられ、
    前記第２の絶縁膜は、前記第２の導電膜上及び前記酸化物半導体膜上に設けられ、
    前記第３の絶縁膜は、前記第１の絶縁膜上、前記第２の絶縁膜上及び前記酸化物半導体膜上に設けられ、
    前記第３の導電膜は、前記酸化物半導体膜と前記第３の絶縁膜を介して、重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
  3. 請求項１または請求項２において、
    前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜は、水素を有し、
    前記第２の領域は、前記第３の領域よりも、抵抗値が低い領域を有し、
    前記第４の領域は、前記第３の領域よりも、抵抗値が低い領域を有することを特徴とする半導体装置。
  4. チャネル形成領域を有する、酸化物半導体膜と、
    前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ソース電極と、
    前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ドレイン電極と、
    前記ソース電極の上面、及び前記チャネル形成領域側の側面と重なる領域を有する、第１の絶縁膜と、
    前記ドレイン電極の上面、及び前記チャネル形成領域側の側面と重なる領域を有する、第２の絶縁膜と、
    前記酸化物半導体膜、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜上に設けられた、第３の絶縁膜と、
    前記第３の絶縁膜上の、ゲート電極と、を有し、
    前記第１の絶縁膜は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
    前記第２の絶縁膜は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
    前記第３の絶縁膜は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
    前記ゲート電極は、前記第３の絶縁膜及び前記第１の絶縁膜を介して、前記ソース電極と重なる領域を有し、
    前記ゲート電極は、前記第３の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜を介して、前記ドレイン電極と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
  5. 第１のゲート電極と、
    前記第１のゲート電極上の、第４の絶縁膜と、
    前記第４の絶縁膜上の、チャネル形成領域を有する、酸化物半導体膜と、
    前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ソース電極と、
    前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ドレイン電極と、
    前記ソース電極の上面、及び前記チャネル形成領域側の側面と重なる領域を有する、第１の絶縁膜と、
    前記ドレイン電極の上面、及び前記チャネル形成領域側の側面と重なる領域を有する、第２の絶縁膜と、
    前記酸化物半導体膜、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜上に設けられた、第３の絶縁膜と、
    前記第３の絶縁膜上の、第２のゲート電極と、を有し、
    前記第１の絶縁膜は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
    前記第２の絶縁膜は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
    前記第３の絶縁膜は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
    前記第２のゲート電極は、前記第３の絶縁膜及び前記第１の絶縁膜を介して、前記ソース電極と重なる領域を有し、
    前記第２のゲート電極は、前記第３の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜を介して、前記ドレイン電極と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
  6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
    前記酸化物半導体膜は、第１の酸化物半導体膜と、前記第１の酸化物半導体膜上の、第２の酸化物半導体膜と、前記第２の酸化物半導体膜上の、第３の酸化物半導体膜と、を有することを特徴とする半導体装置。
  7. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
    前記酸化物半導体膜は、第１の酸化物半導体膜と、前記第１の酸化物半導体膜上の、第２の酸化物半導体膜と、前記第２の酸化物半導体膜上の、第３の酸化物半導体膜と、を有し、
    前記第３の酸化物半導体膜は、前記第１の絶縁膜と前記第３の絶縁膜との間に設けられた領域を有し、かつ前記第２の絶縁膜と前記第３の絶縁膜との間に設けられた領域を有することを特徴とする半導体装置。
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