JP2016171321A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (5)

1. 第１の半導体層と、
   前記第１の半導体層上に第１のゲート絶縁膜と、
   前記第１のゲート絶縁膜上に第１のゲート電極と、
   前記第１のゲート電極上及び前記第１のゲート絶縁膜と接する第２の半導体層と、
   前記第２の半導体層上に導電層と、
   前記第２の半導体層及び前記導電層を覆う第２のゲート絶縁膜と、
   前記第２のゲート絶縁膜を介して前記第２の半導体層の側面の少なくとも一部を覆う第２のゲート電極と、を有し、
   前記第２の半導体層の端部と前記導電層の端部が概略一致することを特徴とする半導体装置。
2. 第１の半導体層と、
   前記第１の半導体層上に一対の電極と、
   前記一対の電極上には開口部を有する層間膜と、
   前記開口部を介して前記第１の半導体層の上面に接する第１のゲート絶縁膜と、
   前記第１のゲート絶縁膜上に第１のゲート電極と、
   前記第１のゲート電極上及び前記第１のゲート絶縁膜と接する第２の半導体層と、
   前記第２の半導体層上に導電層と、
   前記第２の半導体層及び前記導電層を覆う第２のゲート絶縁膜と、
   前記第２のゲート絶縁膜を介して前記第２の半導体層の側面の少なくとも一部を覆う第２のゲート電極と、を有し、
   前記層間膜の上面、前記第１のゲート絶縁膜の上面、及び前記第１のゲート電極の上面が概略一致し、
   前記第２の半導体層の端部と前記導電層の端部が概略一致することを特徴とする半導体装置。
3. 第１の半導体層と、
   前記第１の半導体層上に第１のゲート絶縁膜と、
   前記第１のゲート絶縁膜上に第１のゲート電極と、
   前記第１のゲート電極上及び前記第１のゲート絶縁膜と接する第２の半導体層と、
   前記第２の半導体層上に導電層と、
   前記第１のゲート電極、前記第２の半導体層、及び前記導電層を覆う第２のゲート絶縁膜と、
   前記第２のゲート絶縁膜を介して前記第２の半導体層の側面の少なくとも一部を覆う第２のゲート電極と、を有し、
   前記第１のゲート電極の端部、前記第２の半導体層の端部、及び前記導電層の端部が概略一致することを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
   前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層は酸化物半導体層であることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項４において、
   前記酸化物半導体層はｃ軸配向性を有する結晶を有することを特徴とする半導体装置。