JP2020102649A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明
の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物(コンポジション・
オブ・マター)に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明
の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、照明装
置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として
挙げることができる。
全般を指す。トランジスタ、半導体回路は半導体装置の一態様である。また、記憶装置、
表示装置、電子機器は、半導体装置を有する場合がある。
。
するトランジスタ(以下、OSトランジスタ)と、チャネル形成領域にシリコンを有する
トランジスタ(以下、Siトランジスタ)を組み合わせた構成が提案されている(例えば
、特許文献2、3参照)。
、その電荷を除去するためには、高い電圧が必要であり、そのための回路も必要である。
さらに、電荷の注入、または除去のためには比較的長い時間を要し、書き込みまたは消去
の高速化が容易ではないという問題もある。
に小さくし、集積度を向上させるという課題がある。
を目的の一つとする。または、高集積化された半導体装置を提供することを目的の一つと
する。または、実質的に書き込み回数にも制限が無い半導体装置を提供することを目的の
一つとする。または、低消費電力の半導体装置を提供することを目的の一つとする。また
は、信頼性の高い半導体装置を提供することを目的の一つとする。または、データの保持
能力の高い半導体装置を提供することを目的の一つとする。または、データの書き込みま
たは読み出しが高速な半導体装置を提供することを目的の一つとする。または、新規な半
導体装置などを提供することを目的の一つとする。または、その駆動方法を提供すること
を目的の一つとする。
態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
のゲート絶縁膜上に第1のゲート電極と、第1のゲート電極上に第2の半導体層と、第2
の半導体層上に導電層と、第2の半導体層及び導電層を覆う第2のゲート絶縁膜と、第2
のゲート絶縁膜を介して第2の半導体層の側面の少なくとも一部を覆う第2のゲート電極
と、を有し、第2の半導体層の端部と導電層の端部が概略一致することを特徴とする半導
体装置である。
対の電極上には開口部を有する層間膜と、開口部を介して第1の半導体層の上面に接する
第1のゲート絶縁膜と、第1のゲート絶縁膜上に第1のゲート電極と、第1のゲート電極
上に第2の半導体層と、第2の半導体層上に導電層と、第2の半導体層及び導電層を覆う
第2のゲート絶縁膜と、第2のゲート絶縁膜を介して第2の半導体層の側面の少なくとも
一部を覆う第2のゲート電極と、を有し、層間膜の上面、第1のゲート絶縁膜の上面、及
び第1のゲート電極の上面が概略一致し、第2の半導体層の端部と導電層の端部が概略一
致することを特徴とする半導体装置である。
膜と、第1のゲート絶縁膜上に第1のゲート電極と、第1のゲート電極上に第2の半導体
層と、第2の半導体層上に導電層と、第1のゲート電極、第2の半導体層、及び導電層を
覆う第2のゲート絶縁膜と、第2のゲート絶縁膜を介して第2の半導体層の側面の少なく
とも一部を覆う第2のゲート電極と、を有し、第1のゲート電極の端部、第2の半導体層
の端部、及び導電層の端部が概略一致することを特徴とする半導体装置である。
膜と、第1のゲート絶縁膜上に第1のゲート電極と、第1のゲート電極上に第2の半導体
層と、第2の半導体層上に導電層と、第2の半導体層及び導電層を覆う第2のゲート絶縁
膜と、第2のゲート絶縁膜を介して第2の半導体層の側面の少なくとも一部を覆う第2の
ゲート電極と、を有し、第1のゲート電極、第2の半導体層、及び導電層が互いに重畳す
る記憶装置の駆動方法であって、導電層と第1のゲート電極を第2の半導体層を介して導
通させることで、記憶装置にデータを書き込み、導電層と第1のゲート電極を非導通にし
た後、導電層の電位を変化させ、導電層と第1のゲート電極の間にある第2の半導体層を
誘電体とする容量結合によりデータを読み出すことを特徴とする駆動方法である。
きる。または、実質的に書き込み回数にも制限が無い半導体装置を提供することができる
。または、低消費電力の半導体装置を提供することができる。または、信頼性の高い半導
体装置を提供することができる。または、高集積化された半導体装置を提供することがで
きる。または、データの保持能力の高い半導体装置を提供することができる。または、デ
ータの書き込みまたは読み出しが高速な半導体装置を提供することができる。または、新
規な半導体装置などを提供することができる。
他の効果の存在を妨げるものではない。なお他の効果は、以下の記載で述べる、本項目で
言及していない効果である。本項目で言及していない効果は、当業者であれば明細書また
は図面等の記載から導き出せるものであり、これらの記載から適宜抽出することができる
。なお、本発明の一態様は、上記列挙した効果、および/または他の効果のうち、少なく
とも一つの効果を有するものである。従って本発明の一態様は、場合によっては、上記列
挙した効果を有さない場合もある。
る態様で実施することが可能であり、趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態
および詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明
は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
同を避けるために付したものである。従って、構成要素の数を限定するものではない。ま
た、構成要素の順序を限定するものではない。また例えば、本明細書等の実施の形態の一
において「第1」に言及された構成要素が、他の実施の形態、または特許請求の範囲にお
いて「第2」に言及された構成要素とすることもありうる。また例えば、本明細書等の実
施の形態の一において「第1」に言及された構成要素を、他の実施の形態、または特許請
求の範囲において省略することもありうる。
は同時に形成される要素等には同一の符号を付す場合があり、その繰り返しの説明は省略
する場合がある。
本実施の形態では、記憶装置としての機能を有する半導体装置の一例を、図面を用いて説
明する。
の保持が可能で、かつ、実質的に書き込み回数にも制限が無い半導体装置(記憶装置)の
回路図である。
2のトランジスタ120を有する。第1のトランジスタ110のゲート電極は、第2のト
ランジスタ120のソース電極またはドレイン電極の一方に接続されている。第1のトラ
ンジスタ110のソース電極またはドレイン電極の一方は、第1の配線101に接続され
ている。第1のトランジスタ110のソース電極またはドレイン電極の他方は、第2の配
線102に接続されている。第2のトランジスタ120のソース電極またはドレイン電極
の他方は、第3の配線103に接続されている。第2のトランジスタ120のゲート電極
は、第4の配線104に接続されている。
々な電界効果型トランジスタを用いることができる。また、第2のトランジスタ120に
は、オフ電流が極めて小さいトランジスタを用いることができる。たとえば、OSトラン
ジスタが好適である。
3の配線103からFGにキャリアをチャージし、図1(B)では第2のトランジスタ1
20をオフすることで第2のトランジスタ120を容量として用いることを簡易的に示し
ている。
採用する場合や、回路動作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わることが
ある。このため、本明細書においては、「ソース」や「ドレイン」の用語は、入れ替えて
用いることができるものとする。
る半導体装置の回路図の例である。
モリセルアレイと、ドライバ130と、ドライバ140と、ドライバ150と、ドライバ
160と、ドライバ130と電気的に接続された複数の第1の配線101と、ドライバ1
40と電気的に接続された複数の第2の配線102と、ドライバ150と電気的に接続さ
れた複数の第3の配線103と、ドライバ160と電気的に接続された複数の第4の配線
104と、を有する。
2、第3の配線103、及び第4の配線104が電気的に接続される。これにより、各メ
モリセル100をドライバ130、ドライバ140、ドライバ150、及びドライバ16
0を用いて、メモリセルの動作を制御することができる。
選択し、ドライバ130とドライバ140がそれぞれ任意の第1の配線101と第2の配
線102に等電圧を印加し、ドライバ150が任意の第3の配線103に当該等電圧より
低い電圧を印加する。
の状態で、ドライバ130が第3の配線103に読み出しに適した電位を出力する。
バ150、及びドライバ160からそれぞれ一本ずつ配線が電気的に接続されているが、
開示する発明はこれに限定されない。いずれか一、または複数の駆動回路から複数本の配
線がメモリセル100に電気的に接続されていても良い。また、いずれか一、または複数
のメモリセル100に、いずれか一の駆動回路の配線が電気的に接続されないような構成
としても良い。
1で説明した半導体装置の断面図である。なお、以下の説明において、図1の半導体装置
及び図2の半導体装置における共通する要素は同一の符号を用いている。また、半導体装
置における要素同士の大きさの関係は図2(A)、図2(B)、及び図2(C)に示した
ものに限定して解釈されるものではない。
相当する。なお、図2(A)の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示
している。また、一点鎖線A1−A2方向をチャネル長方向と呼称する場合がある。
1−B2方向をチャネル幅方向と呼称する場合がある。
半導体層203、第1の酸化物半導体層203上に導電層205a及び導電層205b、
導電層205a及び導電層205b上に第1の層間絶縁膜204、第1の層間絶縁膜20
4の開口部に形成され、第1の酸化物半導体層203の上面に接する第1のゲート絶縁膜
206、第1のゲート絶縁膜206上に第1のゲート電極207、第1のゲート電極20
7上に第2の酸化物半導体層208、第2の酸化物半導体層208上に導電層209、導
電層209上に第2のゲート絶縁膜210、第2のゲート絶縁膜210を介して第2の酸
化物半導体層208の側面の少なくとも一部を覆う第2のゲート電極211、第2のゲー
ト絶縁膜210及び第2のゲート電極211上に第2の層間絶縁膜212、第2の層間絶
縁膜212上に配線213a及び配線213b、配線213a及び配線213b上に第3
の層間絶縁膜214、第3の層間絶縁膜214上に配線215a及び配線215b、を有
する。
、及び第2の層間絶縁膜212の開口部を介して、導電層205a及び導電層205bに
それぞれ接する。また、配線215aは第2のゲート絶縁膜210、第2の層間絶縁膜2
12、及び第3の層間絶縁膜214の開口部を介して、導電層209に接する。また、配
線215bは第2の層間絶縁膜212及び第3の層間絶縁膜214の開口部を介して、第
2のゲート電極211に接する。
として機能する領域が、第1の層間絶縁膜204などによって形成される開口部を埋める
ように自己整合(self align)的に形成されるので、SA s−channe
l FET(Self Align s−channel FET)、トレンチゲートs
−channel FET(Trench gate s−channel FET)、
または、TGSA FET(Trench Gate Self Align)と呼ぶこ
ともできる。
0のソース電極またはドレイン電極の一方を兼ねている。さらに、第1の酸化物半導体層
203、第1のゲート電極207、第2の酸化物半導体層208、及び第2のトランジス
タ120のソース電極またはドレイン電極の他方として機能する導電層209が積層され
るため、高集積化した半導体装置を実現することができる。
グ工程により作製するため、図2(B)に示すように両者の端部が概略一致する構成とな
っている。
に取り囲むように第1のゲート電極207が形成されているため、第1の酸化物半導体層
203に対しては垂直方向からのゲート電界に加えて、側面方向からのゲート電界が印加
される。すなわち、第1の酸化物半導体層203の全体的にゲート電界が印加させること
となり、電流は第1の酸化物半導体層203全体に流れるようになり、さらにオン電流を
大きくすることができる。
基板であってもよい。この場合、第1のゲート電極207、導電層205a、及び導電層
205bの少なくとも一つは、上記の他のデバイスと電気的に接続されていてもよい。
化物半導体層203に酸素を供給する役割を担うことができる。したがって、絶縁膜20
2は酸素を含む絶縁膜であることが好ましく、化学量論組成よりも多い酸素を含む絶縁膜
であることがより好ましい。また、上述のように基板201が他のデバイスが形成された
基板である場合、絶縁膜202は、層間絶縁膜としての機能も有する。その場合は、表面
が平坦になるようにCMP(Chemical Mechanical Polishi
ng)法等で平坦化処理を行うことが好ましい。
して垂直方向にc軸配向する結晶層を有することが好ましい。
0nm以下、好ましくは3nm以上60nm以下とする。
Zn=1:1:1、5:5:6、または3:1:2(原子数比)などのIn−Ga−Zn
酸化物などを用いることができる。また、第1の酸化物半導体層203及び第2の酸化物
半導体層208は同じ材料で形成してもよく、又は、異なる材料で形成してもよい。なお
、第1の酸化物半導体層203及び第2の酸化物半導体層208は酸化物半導体層の積層
であってもよい。
には、酸化物半導体層中の不純物濃度を低減し、酸化物半導体層を真性または実質的に真
性にすることが有効である。ここで、実質的に真性とは、酸化物半導体層のキャリア密度
が、1×1017/cm3未満であること、好ましくは1×1015/cm3未満である
こと、さらに好ましくは1×1013/cm3未満、最も好ましくは1×108/cm3
未満1×10−9/cm3以上であることを指す。
素は不純物となる。例えば、水素及び窒素はドナー準位の形成に寄与し、キャリア密度を
増大させてしまう。また、シリコンは酸化物半導体層中で不純物準位の形成に寄与する。
当該不純物準位はトラップとなり、トランジスタの電気特性を劣化させることがある。し
たがって、第1の酸化物半導体層203及び第2の酸化物半導体層208の界面において
不純物濃度を低減させることが好ましい。
y Ion Mass Spectrometry)分析において、例えば、酸化物半導
体層のある深さにおいて、または、酸化物半導体層のある領域において、シリコン濃度を
1×1019atoms/cm3未満、好ましくは5×1018atoms/cm3未満
、さらに好ましくは1×1018atoms/cm3未満とする部分を有していることが
好ましい。また、水素濃度は、例えば、酸化物半導体層のある深さにおいて、または、酸
化物半導体層のある領域において、2×1020atoms/cm3以下、好ましくは5
×1019atoms/cm3以下、より好ましくは1×1019atoms/cm3以
下、さらに好ましくは5×1018atoms/cm3以下とする部分を有していること
が好ましい。また、窒素濃度は、例えば、酸化物半導体層のある深さにおいて、または、
酸化物半導体層のある領域において、5×1019atoms/cm3未満、好ましくは
5×1018atoms/cm3以下、より好ましくは1×1018atoms/cm3
以下、さらに好ましくは5×1017atoms/cm3以下とする部分を有しているこ
とが好ましい。
半導体層の結晶性を低下させることがある。酸化物半導体層の結晶性を低下させないため
には、例えば、酸化物半導体層のある深さにおいて、または、酸化物半導体層のある領域
において、シリコン濃度を1×1019atoms/cm3未満、好ましくは5×101
8atoms/cm3未満、さらに好ましくは1×1018atoms/cm3未満とす
る部分を有していればよい。また、例えば、酸化物半導体層のある深さにおいて、または
、酸化物半導体層のある領域において、炭素濃度を1×1019atoms/cm3未満
、好ましくは5×1018atoms/cm3未満、さらに好ましくは1×1018at
oms/cm3未満とする部分を有していればよい。
スタのオフ電流は極めて小さい。例えば、ソースとドレインとの間の電圧を0.1V、5
V、または、10V程度とした場合に、トランジスタのチャネル幅で規格化したオフ電流
を数yA/μm乃至数zA/μmにまで低減することが可能となる。
しい。例えば、Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、Wなどを用いることができる。上
記材料において、特に酸素と結合しやすいTiや、後のプロセス温度が比較的高くできる
ことなどから、融点の高いWを用いることがより好ましい。なお、酸素と結合しやすい導
電材料には、酸素が拡散しやすい材料も含まれる。
が、酸素と結合しやすい導電材料側に拡散する現象が起こる。当該現象は、温度が高いほ
ど顕著に起こる。トランジスタの作製工程には加熱工程があることから、上記現象により
、酸化物半導体層のソース電極層またはドレイン電極層と接触した近傍の領域に酸素欠損
が発生し、膜中に僅かに含まれる水素と当該酸素欠損が結合することにより当該領域はn
型化する。したがって、n型化した当該領域はトランジスタのソースまたはドレインとし
て作用させることができる。
型化した領域がトランジスタのチャネル長方向に延在してしまうことがある。この場合、
トランジスタの電気特性には、しきい値電圧のシフトやゲート電圧でオンオフの制御が困
難な場合(導通状態)が現れる。そのため、チャネル長が極短いトランジスタを形成する
場合は、ソース電極層及びドレイン電極層に酸素と結合しやすい導電材料を用いることが
必ずしも好ましいとはいえない。
結合しにくい導電材料を用いることもできる。当該導電材料としては、例えば、窒化タン
タル、窒化チタン、金、白金、パラジウムまたはルテニウムを含む材料などを用いること
ができる。なお、当該導電材料と前述した酸素と結合しやすい導電材料を積層してもよい
。
マグネシウム、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸
化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、
酸化ネオジム、酸化ハフニウム及び酸化タンタルを一種以上含む絶縁膜を用いることがで
きる。また、第1のゲート絶縁膜206及び第2のゲート絶縁膜210は同じ材料で形成
してもよく、又は、異なる材料で形成してもよい。なお、第1のゲート絶縁膜206及び
第2のゲート絶縁膜210は上記材料の積層であってもよい。
i、Cu、Y、Zr、Mo、Ru、Ag、Ta及びWなどの導電膜を用いることができる
。また、第1のゲート電極207及び第2のゲート電極211は同じ材料で形成してもよ
く、又は、異なる材料で形成してもよい。なお、第1のゲート電極207及び第2のゲー
ト電極211は、上記材料の積層であってもよいし、窒素を含んだ導電膜を用いてもよい
。
リコン又は酸化アルミニウムなどの酸化物を用いることができる。また、酸化シリコン又
は酸化アルミニウム上に窒化シリコン、窒化アルミニウム、酸化窒化シリコン又は酸化窒
化アルミニウムを積層することで、保護膜としてより機能を高めることができる。また、
第1の層間絶縁膜204、第2の層間絶縁膜212、及び第3の層間絶縁膜は同じ材料で
形成してもよく、又は、異なる材料で形成してもよい。なお、第1の層間絶縁膜204、
第2の層間絶縁膜212、及び第3の層間絶縁膜は、上記材料の積層であってもよい。
タン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル
、またはタングステン等の金属、またはこれを主成分とする合金を単層構造または積層構
造として用いる。また、配線213a、配線213b、配線215a、及び配線215b
は同じ材料で形成してもよく、又は、異なる材料で形成してもよい。
1に電圧を印加して、第2の酸化物半導体層208を介して導電層209と第1のゲート
電極207を導通させ、導電層205a及び導電層205bに等電圧を印加し、導電層2
09に当該等電圧より低い電圧を印加することで、第1のゲート電極207にキャリアを
チャージさせることにより行う。
は、第2のトランジスタ120のオフ電流を十分に(例えば、1zA以下に)低下させる
電圧とし、導電層209と第1のゲート電極207を非導通状態にする。そして、導電層
209に電圧を印加すると第1のゲート電極207と導電層209は、第2の酸化物半導
体層208を介して容量結合しているので、第1のトランジスタ110の第1のゲート電
極207及びチャネルに電圧を印加させることができる。つまり、導電層209はコント
ロールゲートとして機能し、第2の酸化物半導体層208は誘電体として機能する。
よって、見かけ上の第1のトランジスタ110(第1の酸化物半導体層203)の閾値が
変化するため、この閾値変化による第1のトランジスタ110(第1の酸化物半導体層2
03)のソースとドレイン間の電圧あるいは電流値の違いを検出することで、第1のゲー
ト電極207のチャージ量(すなわち、書き込まれたデータ)を判別できる。
流は極めて低いため、第2のトランジスタ120を介して、フローティングゲートとして
機能する第1のゲート電極207にチャージされた電荷のリークも小さく、データを保持
することができる。このようにして、本実施形態の半導体装置を記憶装置とすることがで
きる。
ゲート絶縁膜などで容量結合するが、当該記憶装置では、第2の酸化物半導体層208で
容量結合する。例えば第2の酸化物半導体層208にIGZO(Indium Gall
ium Zinc Oxide)を用いた場合、比誘電率が約15と主にゲート絶縁膜に
用いられることがある酸化珪素の約4より高いため、第2の酸化物半導体層208の膜厚
に依るが容量素子の比誘電率が高いため容量素子面積を縮小することができる。
において、本発明の一態様について述べる。ただし、本発明の一態様は、これらに限定さ
れない。つまり、本実施の形態および他の実施の形態では、様々な発明の態様が記載され
ているため、本発明の一態様は、特定の態様に限定されない。例えば、本発明の一態様と
して、トランジスタのチャネル形成領域、ソースドレイン領域などが、酸化物半導体を有
する場合の例を示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。場合によっては、ま
たは、状況に応じて、本発明の一態様における様々なトランジスタ、トランジスタのチャ
ネル形成領域、または、トランジスタのソースドレイン領域などは、様々な半導体を有し
ていてもよい。場合によっては、または、状況に応じて、本発明の一態様における様々な
トランジスタ、トランジスタのチャネル形成領域、または、トランジスタのソースドレイ
ン領域などは、例えば、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、炭化シリコン
、ガリウムヒ素、アルミニウムガリウムヒ素、インジウムリン、窒化ガリウム、または、
有機半導体などの少なくとも一つを有していてもよい。または例えば、場合によっては、
または、状況に応じて、本発明の一態様における様々なトランジスタ、トランジスタのチ
ャネル形成領域、または、トランジスタのソースドレイン領域などは、酸化物半導体を有
していなくてもよい。
。
本実施の形態では、実施の形態1で説明した半導体装置の作製方法について図3乃至図8
を用いて説明する。
ことができる。また、シリコンや炭化シリコンからなる単結晶半導体基板、多結晶半導体
基板、シリコンゲルマニウムからなる化合物半導体の基板、SOI(Silicon O
n Insulator)基板などを用いることも可能であり、これらの基板上に半導体
素子が設けられたものを用いてもよい。
ッタ法等により、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化シリコン、酸化窒化シリコ
ン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ラン
タン、酸化ネオジム、酸化ハフニウム及び酸化タンタルなどの酸化物絶縁膜、窒化シリコ
ン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウムなどの窒化物絶縁膜、
または上記材料を混合した膜を用いて形成することができる。また、上記材料の積層であ
ってもよく、少なくとも第1の酸化物半導体層203と接する上層は第1の酸化物半導体
層203への酸素の供給源となりえる過剰な酸素を含む材料で形成することが好ましい。
インプランテーション法などを用いて酸素を添加してもよい。酸素を添加することによっ
て、絶縁膜202から第1の酸化物半導体層203への酸素の供給をさらに容易にするこ
とができる。
純物拡散の影響が無い場合は、絶縁膜202を設けない構成とすることができる。
ッタリング法、CVD法、MBE法、ALD法またはPLD法を用いて成膜する。
ジウム(In)もしくは亜鉛(Zn)を含むことが好ましい。または、InとZnの双方
を含むことが好ましい。また、該酸化物半導体を用いたトランジスタの電気特性のばらつ
きを減らすため、それらと共に、スタビライザーを含むことが好ましい。
ミニウム(Al)、またはジルコニウム(Zr)等がある。また、他のスタビライザーと
しては、ランタノイドである、ランタン(La)、セリウム(Ce)、プラセオジム(P
r)、ネオジム(Nd)、サマリウム(Sm)、ユウロピウム(Eu)、ガドリニウム(
Gd)、テルビウム(Tb)、ジスプロシウム(Dy)、ホルミウム(Ho)、エルビウ
ム(Er)、ツリウム(Tm)、イッテルビウム(Yb)、ルテチウム(Lu)等がある
。
、Sn−Zn酸化物、Al−Zn酸化物、Zn−Mg酸化物、Sn−Mg酸化物、In−
Mg酸化物、In−Ga酸化物、In−Ga−Zn酸化物、In−Al−Zn酸化物、I
n−Sn−Zn酸化物、Sn−Ga−Zn酸化物、Al−Ga−Zn酸化物、Sn−Al
−Zn酸化物、In−Hf−Zn酸化物、In−La−Zn酸化物、In−Ce−Zn酸
化物、In−Pr−Zn酸化物、In−Nd−Zn酸化物、In−Sm−Zn酸化物、I
n−Eu−Zn酸化物、In−Gd−Zn酸化物、In−Tb−Zn酸化物、In−Dy
−Zn酸化物、In−Ho−Zn酸化物、In−Er−Zn酸化物、In−Tm−Zn酸
化物、In−Yb−Zn酸化物、In−Lu−Zn酸化物、In−Sn−Ga−Zn酸化
物、In−Hf−Ga−Zn酸化物、In−Al−Ga−Zn酸化物、In−Sn−Al
−Zn酸化物、In−Sn−Hf−Zn酸化物、In−Hf−Al−Zn酸化物を用いる
ことができる。
有する酸化物という意味である。また、InとGaとZn以外の金属元素が入っていても
よい。また、本明細書においては、In−Ga−Zn酸化物で構成した膜をIGZO膜と
も呼ぶ。
いてもよい。なお、Mは、Ga、Y、Zr、La、Ce、またはNdから選ばれた一つの
金属元素または複数の金属元素を示す。また、In2SnO5(ZnO)n(n>0、且
つ、nは整数)で表記される材料を用いてもよい。
ては、RFスパッタ法、DCスパッタ法、ACスパッタ法等を用いることができる。
Znの原子数比としては、例えば、In:Ga:Zn=1:1:1、In:Ga:Zn=
2:2:1、In:Ga:Zn=2:2:3、In:Ga:Zn=3:1:2、In:G
a:Zn=5:5:6、In:Ga:Zn=1:3:2、In:Ga:Zn=1:3:3
、In:Ga:Zn=1:3:4、In:Ga:Zn=1:3:6、In:Ga:Zn=
1:4:3、In:Ga:Zn=1:5:4、In:Ga:Zn=1:6:6、In:G
a:Zn=2:1:3、In:Ga:Zn=1:6:4、In:Ga:Zn=1:9:6
、In:Ga:Zn=1:1:4、In:Ga:Zn=1:1:2のいずれかの材料を用
いることができる。
c=1)である酸化物の組成が、原子数比がIn:Ga:Zn=A:B:C(A+B+C
=1)の酸化物の組成の近傍であるとは、a、b、cが、(a−A)2+(b−B)2+
(c−C)2≦r2を満たすことをいう。rとしては、例えば、0.05とすればよい。
他の酸化物でも同様である。
配置されている状態をいう。したがって、−5°以上5°以下の場合も含まれる。また、
「垂直」とは、二つの直線が80°以上100°以下の角度で配置されている状態をいう
。したがって、85°以上95°以下の場合も含まれる。
。
単結晶酸化物半導体膜とは、CAAC−OS(C Axis Aligned Crys
talline Oxide Semiconductor)膜、多結晶酸化物半導体膜
、微結晶酸化物半導体膜、非晶質酸化物半導体膜などをいう。
晶部は、一辺が100nm未満の立方体内に収まる大きさである。したがって、CAAC
−OS膜に含まれる結晶部は、一辺が10nm未満、5nm未満または3nm未満の立方
体内に収まる大きさの場合も含まれる。
ron Microscope)によって観察すると、明確な結晶部同士の境界、即ち結
晶粒界(グレインバウンダリーともいう)を確認することができない。そのため、CAA
C−OS膜は、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。
)すると、結晶部において、金属原子が層状に配列していることを確認できる。金属原子
の各層は、CAAC−OS膜の膜を形成する面(被形成面ともいう)または上面の凹凸を
反映した形状であり、CAAC−OS膜の被形成面または上面と平行に配列する。
M観察)すると、結晶部において、金属原子が三角形状または六角形状に配列しているこ
とを確認できる。しかしながら、異なる結晶部間で、金属原子の配列に規則性は見られな
い。
ることがわかる。
置を用いて構造解析を行うと、例えばInGaZnO4の結晶を有するCAAC−OS膜
のout−of−plane法による解析では、回折角(2θ)が31°近傍にピークが
現れる場合がある。このピークは、InGaZnO4の結晶の(009)面に帰属される
ことから、CAAC−OS膜の結晶がc軸配向性を有し、c軸が被形成面または上面に概
略垂直な方向を向いていることが確認できる。
ane法による解析では、2θが56°近傍にピークが現れる場合がある。このピークは
、InGaZnO4の結晶の(110)面に帰属される。InGaZnO4の単結晶酸化
物半導体膜であれば、2θを56°近傍に固定し、試料面の法線ベクトルを軸(φ軸)と
して試料を回転させながら分析(φスキャン)を行うと、(110)面と等価な結晶面に
帰属されるピークが6本観察される。これに対し、CAAC−OS膜の場合は、2θを5
6°近傍に固定してφスキャンした場合でも、明瞭なピークが現れない。
則であるが、c軸配向性を有し、かつc軸が被形成面または上面の法線ベクトルに平行な
方向を向いていることがわかる。したがって、前述の断面TEM観察で確認された層状に
配列した金属原子の各層は、結晶のab面に平行な面である。
った際に形成される。上述したように、結晶のc軸は、CAAC−OS膜の被形成面また
は上面の法線ベクトルに平行な方向に配向する。したがって、例えば、CAAC−OS膜
の形状をエッチングなどによって変化させた場合、結晶のc軸がCAAC−OS膜の被形
成面または上面の法線ベクトルと平行にならないこともある。
の結晶部が、CAAC−OS膜の上面近傍からの結晶成長によって形成される場合、上面
近傍の領域は、被形成面近傍の領域よりも結晶化度が高くなることがある。また、CAA
C−OS膜に不純物を添加する場合、不純物が添加された領域の結晶化度が変化し、部分
的に結晶化度の異なる領域が形成されることもある。
による解析では、2θが31°近傍のピークの他に、2θが36°近傍にもピークが現れ
る場合がある。2θが36°近傍のピークは、CAAC−OS膜中の一部に、c軸配向性
を有さない結晶が含まれることを示している。CAAC−OS膜は、2θが31°近傍に
ピークを示し、2θが36°近傍にピークを示さないことが好ましい。
シリコン、遷移金属元素などの酸化物半導体膜の主成分以外の元素である。特に、シリコ
ンなどの、酸化物半導体膜を構成する金属元素よりも酸素との結合力の強い元素は、酸化
物半導体膜から酸素を奪うことで酸化物半導体膜の原子配列を乱し、結晶性を低下させる
要因となる。また、鉄やニッケルなどの重金属、アルゴン、二酸化炭素などは、原子半径
(または分子半径)が大きいため、酸化物半導体膜内部に含まれると、酸化物半導体膜の
原子配列を乱し、結晶性を低下させる要因となる。なお、酸化物半導体膜に含まれる不純
物は、キャリアトラップやキャリア発生源となる場合がある。
半導体膜中の酸素欠損は、キャリアトラップとなることや、水素を捕獲することによって
キャリア発生源となることがある。
実質的に高純度真性と呼ぶ。高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体膜
は、キャリア発生源が少ないため、キャリア密度を低くすることができる。したがって、
当該酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、しきい値電圧がマイナスとなる電気特性(
ノーマリーオンともいう)になることが少ない。また、高純度真性または実質的に高純度
真性である酸化物半導体膜は、キャリアトラップが少ない。そのため、当該酸化物半導体
膜を用いたトランジスタは、電気特性の変動が小さく、信頼性の高いトランジスタとなる
。なお、酸化物半導体膜のキャリアトラップに捕獲された電荷は、放出するまでに要する
時間が長く、あたかも固定電荷のように振る舞うことがある。そのため、不純物濃度が高
く、欠陥準位密度が高い酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、電気特性が不安定とな
る場合がある。
の変動が小さい。
ない場合がある。微結晶酸化物半導体膜に含まれる結晶部は、1nm以上100nm以下
、または1nm以上10nm以下の大きさであることが多い。特に、1nm以上10nm
以下、または1nm以上3nm以下の微結晶であるナノ結晶(nc:nanocryst
al)を有する酸化物半導体膜を、nc−OS(nanocrystalline Ox
ide Semiconductor)膜と呼ぶ。また、nc−OS膜は、例えば、TE
Mによる観察像では、結晶粒界を明確に確認できない場合がある。
3nm以下の領域)において原子配列に周期性を有する。また、nc−OS膜は、異なる
結晶部間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。し
たがって、nc−OS膜は、分析方法によっては、非晶質酸化物半導体膜と区別が付かな
い場合がある。例えば、nc−OS膜に対し、結晶部よりも大きい径のX線を用いるXR
D装置を用いて構造解析を行うと、out−of−plane法による解析では、結晶面
を示すピークが検出されない。また、nc−OS膜に対し、結晶部よりも大きいプローブ
径(例えば50nm以上)の電子線を用いる電子線回折(制限視野電子線回折ともいう)
を行うと、ハローパターンのような回折パターンが観測される。一方、nc−OS膜に対
し、結晶部の大きさと近いか結晶部より小さいプローブ径(例えば1nm以上30nm以
下)の電子線を用いる電子線回折(ナノビーム電子線回折ともいう)を行うと、スポット
が観測される。また、nc−OS膜に対しナノビーム電子線回折を行うと、円を描くよう
に(リング状に)輝度の高い領域が観測される場合がある。また、nc−OS膜に対しナ
ノビーム電子線回折を行うと、リング状の領域内に複数のスポットが観測される場合があ
る。
ため、nc−OS膜は、非晶質酸化物半導体膜よりも欠陥準位密度が低くなる。ただし、
nc−OS膜は、異なる結晶部間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、nc−O
S膜は、CAAC−OS膜と比べて欠陥準位密度が高くなる。
AC−OS膜のうち、二種以上を有する積層膜であってもよい。
スパッタ法によって成膜することができる。当該スパッタ用ターゲットにイオンが衝突す
ると、スパッタ用ターゲットに含まれる結晶領域がa−b面から劈開し、a−b面に平行
な面を有する平板状またはペレット状のスパッタ粒子として剥離することがある。この場
合、当該平板状又はペレット状のスパッタ粒子は帯電しているためプラズマ中で凝集せず
、結晶状態を維持したまま基板に到達し、CAAC−OS膜を成膜することができる。
250℃以上650℃以下、好ましくは300℃以上500℃以下の温度で、不活性ガス
雰囲気、酸化性ガスを10ppm以上含む雰囲気、または減圧状態で行えばよい。また、
第1の加熱処理の雰囲気は、不活性ガス雰囲気で加熱処理した後に、脱離した酸素を補う
ために酸化性ガスを10ppm以上含む雰囲気で行ってもよい。第1の加熱処理によって
、酸化物半導体膜303の結晶性を高め、さらに絶縁膜202から水素や水などの不純物
を除去することができる。
を形成する(図3(A)参照)。導電膜304には、導電層205a及び導電層205b
の記載で説明した材料を用いることができる。例えば、スパッタ法などにより100nm
のチタン膜を形成する。または、CVD法によりタングステン膜を形成してもよい。
酸化物半導体層203及び導電層305を形成する(図3(B)参照)。
層間絶縁膜204には、実施の形態1の第1の層間絶縁膜204の記載で説明した材料を
用いることができる。
ことで、導電層305を第1の酸化物半導体層203上で分断するようにエッチングし、
導電層205a及び導電層205bを形成する(図4(A)参照)。このとき、過度のエ
ッチングによって、第1の酸化物半導体層203の一部がエッチングされた形状となって
もよい。
7となる、絶縁膜406及び導電膜407を形成する(図4(B)参照)。絶縁膜406
には、実施の形態1の第1のゲート絶縁膜206の記載で説明した材料を用いることがで
きる。絶縁膜406は、スパッタ法、CVD法、MBE法、ALD法またはPLD法など
を用いて形成することができる。導電膜407には、実施の形態1の第1のゲート電極2
07の記載で説明した材料を用いることができる。
l Polishing)法等により第1の層間絶縁膜204の表面が露呈するまでエッ
チングし、第1のゲート絶縁膜206及び第1のゲート電極207を形成する(図4(C
)参照)。
する(図5(A)参照)。なお、図5(A)で示す状態のチャネル幅方向の断面を図7(
A)で示す。第2の酸化物半導体層208には、実施の形態1の第2の酸化物半導体層2
08で記載した説明と同様の材料を用いることができる。導電層209には、Al、Cr
、Cu、Ta、Ti、Mo、W、またはこれらを主成分とする合金材料を用いることがで
きる。また、導電層209は、上記材料の積層であってもよい。
5(B)参照)。なお、図5(B)で示す状態のチャネル幅方向の断面を図7(B)で示
す。第2のゲート絶縁膜210には、実施の形態1の第2のゲート絶縁膜210で記載し
た説明と同様の材料を用いることができる。導電膜501には、実施の形態1の導電層2
09で記載した説明と同様の材料を用いることができる。
程により作製するため、両者の端部が揃っており、第2のゲート絶縁膜210の被覆性が
良く、第2の酸化物半導体層208及び導電層209の積層が厚膜でも形成不良が少なく
なり、作製工程中の歩留まりが向上する。
ート絶縁膜210を介して第2の酸化物半導体層208の側面を覆う第2のゲート電極2
11に形成する(図6(A)参照)。なお、図6(A)で示す状態のチャネル幅方向の断
面を図8(A)で示す。
層間絶縁膜204、第2のゲート絶縁膜210、第2の層間絶縁膜212に開口部を形成
し、第2の層間絶縁膜上及び当該開口部に配線213a及び配線213bを形成すること
で、導電層205a及び導電層205bとそれぞれ接続させる。その後、配線213a及
び配線213b上に第3の層間絶縁膜214を形成し、第3の層間絶縁膜214上にチャ
ネル長方向の断面の図6(B)には図示しないが、チャネル幅方向の断面の図2(C)に
示すように配線215a及び配線215bを形成する(図6(B)参照)。なお、図6(
B)で示す状態のチャネル幅方向の断面を図8(B)で示す。第2の層間絶縁膜212及
び第3の層間絶縁膜214には、実施の形態1の第2の層間絶縁膜212及び第3の層間
絶縁膜214で記載した説明と同様の材料を用いることができる。配線213a及び配線
213bには、実施の形態1の配線213a及び配線213bで記載した説明と同様の材
料を用いることができる。配線215a及び配線215bには、実施の形態1の配線21
5a及び配線215bで記載した説明と同様の材料を用いることができる。
。
本実施の形態では、実施の形態1とは異なる構造の半導体装置について、図9(A)及び
図9(B)を用いて説明する。図9(A)はチャネル長方向の断面図であり、図9(B)
はチャネル幅方向の断面図である。
縁膜210を介して第2の酸化物半導体層208の上層の側面、及び導電層209の側面
及び上面を覆っている。
いることができる。
。
本実施の形態では、実施の形態1とは異なる構造の半導体装置について、図10(A)及
び図10(B)を用いて説明する。図10(A)はチャネル長方向の断面図であり、図1
0(B)はチャネル幅方向の断面図である。
の層間絶縁膜204の間に第1の保護膜801を形成する。第1の層間絶縁膜204と第
2のゲート絶縁膜210の間に第2の保護膜802を形成する。第2のゲート絶縁膜21
0及び第2のゲート電極211上で第2の層間絶縁膜212の下に第3の保護膜803を
形成する。上記保護膜には、それぞれ窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミ
ニウム膜、窒化アルミニウム膜などを用いることができる。
。
本実施の形態では、実施の形態1とは異なる構造の半導体装置について、図11(A)及
び図11(B)を用いて説明する。図11(A)はチャネル長方向の断面図であり、図1
1(B)はチャネル幅方向の断面図である。
ゲート電極902、第2の酸化物半導体層903、及び導電層904を順次積層する。こ
のような構造の半導体装置は、第1のゲート電極902、第2の酸化物半導体層903、
及び導電層904を同じマスクを用いた一回のエッチング工程により作製することができ
る。よって、図11に示すように、第1のゲート電極902、第2の酸化物半導体層90
3、及び導電層904の端部が概略一致した構造となる。これにより、工程が簡略化され
生産性を向上することができる。
形成する。
電層904、第2のゲート絶縁膜905、及び第2のゲート電極906には、それぞれ第
1のゲート絶縁膜206、第1のゲート電極207、第1の酸化物半導体層203、導電
層209、第2のゲート絶縁膜210、第2のゲート電極211で記載した説明と同様の
材料を用いることができる。
。
本実施の形態では、実施の形態1とは異なる構造の半導体装置について、図12(A)及
び図12(B)を用いて説明する。図12(A)はチャネル長方向の断面図であり、図1
2(B)はチャネル幅方向の断面図である。
001、第1の金属酸化物層1001上に第2の金属酸化物層1002、第2の金属酸化
物層1002上に第3の金属酸化物層1003、を有する。第3の金属酸化物層1003
は第1の層間絶縁膜204の開口部に形成され、第2の金属酸化物層1002と第1のゲ
ート絶縁膜206の間に設けられる。
第1の金属酸化物層や第3の金属酸化物層は、第2の金属酸化物層より絶縁体的である。
003は、実施の形態2の第1の酸化物半導体層203で記載した説明と同様の材料を用
いることができる。第1の金属酸化物層1001と第3の金属酸化物層1003は、第2
の金属酸化物層1002を構成する金属元素のうち、1種類以上の同じ金属元素を含むこ
とが好ましい。
本実施の形態では、実施の形態1で説明した記憶装置を含むCPUについて説明する。
ロック図である。
ic logic unit、演算回路)、ALUコントローラ1192、インストラク
ションデコーダ1193、インタラプトコントローラ1194、タイミングコントローラ
1195、レジスタ1196、レジスタコントローラ1197、バスインターフェース1
198(Bus I/F)、書き換え可能なROM1199、及びROMインターフェー
ス1189(ROM I/F)を有している。基板1190は、半導体基板、SOI基板
、ガラス基板などを用いる。ROM1199及びROMインターフェース1189は、別
チップに設けてもよい。もちろん、図13に示すCPUは、その構成を簡略化して示した
一例にすぎず、実際のCPUはその用途によって多種多様な構成を有している。例えば、
図13に示すCPUまたは演算回路を含む構成を一つのコアとし、当該コアを複数含み、
それぞれのコアが並列で動作するような構成としてもよい。また、CPUが内部演算回路
やデータバスで扱えるビット数は、例えば8ビット、16ビット、32ビット、64ビッ
トなどとすることができる。
デコーダ1193に入力され、デコードされた後、ALUコントローラ1192、インタ
ラプトコントローラ1194、レジスタコントローラ1197、タイミングコントローラ
1195に入力される。
ラ1197、タイミングコントローラ1195は、デコードされた命令に基づき、各種制
御を行なう。具体的にALUコントローラ1192は、ALU1191の動作を制御する
ための信号を生成する。また、インタラプトコントローラ1194は、CPUのプログラ
ム実行中に、外部の入出力装置や、周辺回路からの割り込み要求を、その優先度やマスク
状態から判断し、処理する。レジスタコントローラ1197は、レジスタ1196のアド
レスを生成し、CPUの状態に応じてレジスタ1196の読み出しや書き込みを行なう。
2、インストラクションデコーダ1193、インタラプトコントローラ1194、及びレ
ジスタコントローラ1197の動作のタイミングを制御する信号を生成する。例えばタイ
ミングコントローラ1195は、基準クロック信号を元に、内部クロック信号を生成する
内部クロック生成部を備えており、内部クロック信号を上記各種回路に供給する。
1196のメモリセルとして、先の実施の形態に示したトランジスタを用いることができ
る。
指示に従い、レジスタ1196における保持動作の選択を行う。すなわち、レジスタ11
96が有するメモリセルにおいて、フリップフロップによるデータの保持を行うか、容量
素子によるデータの保持を行うかを、選択する。フリップフロップによるデータの保持が
選択されている場合、レジスタ1196内のメモリセルへの、電源電圧の供給が行われる
。容量素子におけるデータの保持が選択されている場合、容量素子へのデータの書き換え
が行われ、レジスタ1196内のメモリセルへの電源電圧の供給を停止することができる
。
。
本実施の形態では、上述の実施の形態で説明した記憶装置を電子部品に適用する例につい
て、図14を用いて説明する。
説明する。なお電子部品は、半導体パッケージ、又はIC用パッケージともいう。この電
子部品は、端子取り出し方向や、端子の形状に応じて、複数の規格や名称が存在する。そ
こで、本実施の形態では、その一例について説明することにする。
は、組み立て工程(後工程)を経て、プリント基板に脱着可能な部品が複数合わさること
で完成する。
体的には、前工程で得られる素子基板が完成(ステップS1)した後、基板の裏面を研削
する(ステップS2)。この段階で基板を薄膜化することで、前工程での基板の反り等を
低減し、部品としての小型化を図るためである。
分離したチップを個々にピックアップしてリードフレーム上に搭載し接合する、ダイボン
ディング工程を行う(ステップS3)。このダイボンディング工程におけるチップとリー
ドフレームとの接着は、樹脂による接着や、テープによる接着等、適宜製品に応じて適し
た方法を選択する。なお、ダイボンディング工程は、インターポーザ上に搭載し接合して
もよい。
に接続する、ワイヤーボンディングを行う(ステップS4)。金属の細線には、銀線や金
線を用いることができる。また、ワイヤーボンディングは、ボールボンディングや、ウェ
ッジボンディングを用いることができる。
される(ステップS5)。モールド工程を行うことで電子部品の内部が樹脂で充填され、
機械的な外力による内蔵される回路部やワイヤーに対するダメージを低減することができ
、また水分や埃による特性の劣化を低減することができる。
(ステップS6)。このめっき処理によりリードの錆を防止し、後にプリント基板に実装
する際のはんだ付けをより確実に行うことができる。
的な検査工程(ステップS8)を経て電子部品が完成する(ステップS9)。
できる。そのため、高速動作、及び小型化が図られた電子部品を実現することができる。
品の一例として、QFP(Quad Flat Package)の斜視模式図を示して
いる。図14(B)に示す電子部品700は、リード701及び回路部703を示してい
る。図14(B)に示す電子部品700は、例えばプリント基板702に実装される。こ
のような電子部品700が複数組み合わされて、それぞれがプリント基板702上で電気
的に接続されることで電子機器の内部に搭載することができる。完成した回路基板704
は、電子機器等の内部に設けられる。
。
本実施の形態では、他の実施の形態で説明した記憶装置、トランジスタ、またはCPU等
(DSP、カスタムLSI、PLD、RF−IDを含む)を用いることのできる電子機器
の例について説明する。
遊技機も含む)に適用することができる。電子機器としては、テレビ、モニタ等の表示装
置、照明装置、パーソナルコンピュータ、ワードプロセッサ、画像再生装置、ポータブル
オーディオプレーヤ、ラジオ、テープレコーダ、ステレオ、電話、コードレス電話、携帯
電話、自動車電話、トランシーバ、無線機、ゲーム機、電卓、携帯情報端末、電子手帳、
電子書籍、電子翻訳機、音声入力機器、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、電気シェ
ーバ、ICチップ、電子レンジ等の高周波加熱装置、電気炊飯器、電気洗濯機、電気掃除
機、エアコンディショナーなどの空調設備、食器洗い機、食器乾燥機、衣類乾燥機、布団
乾燥機、電気冷蔵庫、電気冷凍庫、電気冷凍冷蔵庫、DNA保存用冷凍庫、放射線測定器
、透析装置、X線診断装置等の医療機器、などが挙げられる。また、煙感知器、熱感知器
、ガス警報装置、防犯警報装置などの警報装置も挙げられる。さらに、誘導灯、信号機、
ベルトコンベア、エレベータ、エスカレータ、産業用ロボット、電力貯蔵システム等の産
業機器も挙げられる。また、非水系二次電池からの電力を用いた電動機や、燃料を用いた
エンジンにより推進する移動体なども、電子機器の範疇に含まれるものとする。上記移動
体として、例えば、電気自動車(EV)、内燃機関と電動機を併せ持ったハイブリッド車
(HEV)、プラグインハイブリッド車(PHEV)、これらのタイヤ車輪を無限軌道に
変えた装軌車両、電動アシスト自転車を含む原動機付自転車、自動二輪車、電動車椅子、
ゴルフ用カート、小型または大型船舶、潜水艦、ヘリコプター、航空機、ロケット、人工
衛星、宇宙探査機や惑星探査機、宇宙船が挙げられる。これらの電子機器の一部の具体例
を図15に示す。
込まれており、表示部8002により映像を表示し、スピーカ部8003から音声を出力
することが可能である。本発明の一態様のトランジスタ110、120を有する記憶装置
は、表示部8002を動作するための駆動回路に用いることが可能である。
備えていてもよい。CPU8004やメモリに、本発明の一態様のトランジスタ110、
120を有するCPU、記憶装置を用いることができる。
8102と、マイクロコンピュータ8101を有している。マイクロコンピュータ810
1は、先の実施の形態に示したトランジスタ、記憶装置、またはCPUを含む電子機器の
一例である。
ナーは、先の実施の形態に示したトランジスタ、記憶装置、またはCPU等を含む電子機
器の一例である。具体的に、室内機8200は、筐体8201、送風口8202、CPU
8203等を有する。図15(A)においては、CPU8203が、室内機8200に設
けられている場合を例示しているが、CPU8203は室外機8204に設けられていて
もよい。または、室内機8200と室外機8204の両方に、CPU8203が設けられ
ていてもよい。先の実施の形態に示したトランジスタ110、120をエアコンディショ
ナーのCPUに用いることによって省電力化を図ることができる。
スタ、記憶装置、またはCPU等を含む電子機器の一例である。具体的に、電気冷凍冷蔵
庫8300は、筐体8301、冷蔵室用扉8302、冷凍室用扉8303、CPU830
4等を有する。図15(A)では、CPU8304が、筐体8301の内部に設けられて
いる。先の実施の形態に示したトランジスタ110、120を電気冷凍冷蔵庫8300の
CPU8304に用いることによって省電力化が図れる。
700には、二次電池9701が搭載されている。二次電池9701の電力は、回路97
02により出力が調整されて、駆動装置9703に供給される。回路9702は、図示し
ないROM、RAM、CPU等を有する処理装置9704によって制御される。先の実施
の形態に示したトランジスタ110、120を電気自動車9700のCPUに用いること
によって省電力化が図れる。
を組み合わせて構成される。処理装置9704は、電気自動車9700の運転者の操作情
報(加速、減速、停止など)や走行時の情報(上り坂や下り坂等の情報、駆動輪にかかる
負荷情報など)の入力情報に基づき、回路9702に制御信号を出力する。回路9702
は、処理装置9704の制御信号により、二次電池9701から供給される電気エネルギ
ーを調整して駆動装置9703の出力を制御する。交流電動機を搭載している場合は、図
示していないが、直流を交流に変換するインバータも内蔵される。
。
101 配線
102 配線
103 配線
104 配線
110 第1のトランジスタ
120 第2のトランジスタ
130 ドライバ
140 ドライバ
150 ドライバ
160 ドライバ
201 基板
202 絶縁膜
203 第1の酸化物半導体層
204 第1の層間絶縁膜
205a 導電層
205b 導電層
206 第1のゲート絶縁膜
207 第1のゲート電極
208 第2の酸化物半導体層
209 導電層
210 第2のゲート絶縁膜
211 第2のゲート電極
212 第2の層間絶縁膜
213a 配線
213b 配線
214 第3の層間絶縁膜
215a 配線
215b 配線
220 レジストマスク
230 レジストマスク
303 酸化物半導体膜
304 導電膜
305 導電層
406 絶縁膜
407 導電膜
501 導電膜
700 電子部品
701 リード
702 プリント基板
703 回路部
704 回路基板
721 第2のゲート電極
901 第1のゲート絶縁膜
902 第1のゲート電極
903 第2の酸化物半導体層
904 導電層
905 第2のゲート絶縁膜
906 第2のゲート電極
1001 第1の金属酸化物層
1002 第2の金属酸化物層
1003 第3の金属酸化物層
1189 ROMインターフェース
1190 基板
1191 ALU
1192 ALUコントローラ
1193 インストラクションデコーダ
1194 インタラプトコントローラ
1195 タイミングコントローラ
1196 レジスタ
1197 レジスタコントローラ
1198 バスインターフェース
1199 ROM
8000 テレビジョン装置
8001 筐体
8002 表示部
8003 スピーカ部
8004 CPU
8100 警報装置
8101 マイクロコンピュータ
8102 検出部
8200 室内機
8201 筐体
8202 送風口
8203 CPU
8204 室外機
8300 電気冷凍冷蔵庫
8301 筐体
8302 冷蔵室用扉
8303 冷凍室用扉
8304 CPU
9700 電気自動車
9701 二次電池
9702 回路
9703 駆動装置
9704 処理装置
Claims (3)
- 第1の導電層と、
前記第1の導電層の底面及び側面に接する第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁層の下面と接する第1の半導体層と、
前記第1の導電層の上面と接する第2の半導体層と、
前記第2の半導体層の上面と接する第2の導電層と、
前記第2の半導体層の側面に接する領域を有する第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層を介して前記第2の半導体層の側面に対向する第3の導電層と、
前記第2の絶縁層の下面と、前記第1の絶縁層の側面とに接する領域を有する層間膜と、を有する半導体装置。 - 第1のゲート電極と、
前記第1のゲート電極の底面及び側面に接する第1のゲート絶縁膜と、
前記第1のゲート絶縁層の下面と接する第1の半導体層と、
前記第1のゲート電極の上面と接する第2の半導体層と、
前記第2の半導体層の上面と接する導電層と、
前記第2の半導体層の側面に接する領域を有する第2のゲート絶縁層と、
前記第2のゲート絶縁層を介して前記第2の半導体層の側面に対向する第2のゲート電極層と、
前記第2のゲート絶縁層の下面と、前記第1のゲート絶縁層の側面とに接する領域を有する層間膜と、を有する半導体装置。 - 請求項1又は請求項2において、
前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層は酸化物半導体層である半導体装置。
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