JP2018133550A5 - - Google Patents
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Claims (7)
- 第1のバリア層と、第2のバリア層と、第3のバリア層と、酸化物を有するトランジスタと、絶縁体と、導電体と、を有し、
前記絶縁体は過剰酸素領域を有し、
前記絶縁体、および前記酸化物は、前記第1のバリア層と、前記第2のバリア層との間に配置される領域を有し、
前記導電体は、前記第1のバリア層、前記第2のバリア層、および前記絶縁体が有する開口に、前記第3のバリア層を介して、配置されていることを特徴とする半導体装置。 - 第1のバリア層と、第2のバリア層と、第3のバリア層と、酸化物を有するトランジスタと、絶縁体と、前記トランジスタと電気的に接続する導電体と、を有し、
前記絶縁体は過剰酸素領域を有し、
前記絶縁体、および前記酸化物は、前記第1のバリア層と、前記第2のバリア層との間に配置される領域を有し、
前記導電体は、前記第1のバリア層、および前記絶縁体が有する開口に、前記第3のバリア層を介して、配置されていることを特徴とする半導体装置。 - 第1のバリア層と、第2のバリア層と、第3のバリア層と、酸化物を有するトランジスタと、絶縁体と、第1の導電体と、第2の導電体と、を有し、
前記絶縁体は過剰酸素領域を有し、
前記第2の導電体は、前記トランジスタと電気的に接続し、
前記絶縁体、および前記酸化物は、前記第1のバリア層と、前記第2のバリア層との間に配置される領域を有し、
前記第1の導電体は、前記第1のバリア層、前記第2のバリア層、および前記絶縁体が有する開口に、前記第3のバリア層を介して、配置され、
前記第2の導電体は、前記第1のバリア層、および前記絶縁体が有する開口に、前記第3のバリア層を介して、配置されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
前記トランジスタ、および前記絶縁体は、前記第1のバリア層が有する開口の側面、および前記第2のバリア層が有する開口の側面と、前記第3のバリア層とが接することにより、前記トランジスタ、および前記絶縁体は、前記第1のバリア層、前記第2のバリア層、及び前記第3のバリア層とに、封止されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
前記第1のバリア層、前記第2のバリア層、および前記第3のバリア層は、TDS測定により、400℃以下において、下層からの水素の放出が5.0×1014個/cm2以下であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一において、
開口を有する第2の絶縁体、および開口を有する第3の絶縁体を有し、
前記第2の絶縁体は、前記第2のバリア層の上に設けられ、
前記第3の絶縁体は、前記第1のバリア層の下に設けられ、
前記第2の絶縁体、および前記第3の絶縁体が有する開口の側面は、前記第3のバリア層に覆われている領域を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一において、
前記第1のバリア層は、前記トランジスタのゲート絶縁膜として機能を有することを特徴とする半導体装置。
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