JP2018133550A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 第１のバリア層と、第２のバリア層と、第３のバリア層と、酸化物を有するトランジスタと、絶縁体と、導電体と、を有し、
   前記絶縁体は過剰酸素領域を有し、
   前記絶縁体、および前記酸化物は、前記第１のバリア層と、前記第２のバリア層との間に配置される領域を有し、
   前記導電体は、前記第１のバリア層、前記第２のバリア層、および前記絶縁体が有する開口に、前記第３のバリア層を介して、配置されていることを特徴とする半導体装置。
2. 第１のバリア層と、第２のバリア層と、第３のバリア層と、酸化物を有するトランジスタと、絶縁体と、前記トランジスタと電気的に接続する導電体と、を有し、
   前記絶縁体は過剰酸素領域を有し、
   前記絶縁体、および前記酸化物は、前記第１のバリア層と、前記第２のバリア層との間に配置される領域を有し、
   前記導電体は、前記第１のバリア層、および前記絶縁体が有する開口に、前記第３のバリア層を介して、配置されていることを特徴とする半導体装置。
3. 第１のバリア層と、第２のバリア層と、第３のバリア層と、酸化物を有するトランジスタと、絶縁体と、第１の導電体と、第２の導電体と、を有し、
   前記絶縁体は過剰酸素領域を有し、
   前記第２の導電体は、前記トランジスタと電気的に接続し、
   前記絶縁体、および前記酸化物は、前記第１のバリア層と、前記第２のバリア層との間に配置される領域を有し、
   前記第１の導電体は、前記第１のバリア層、前記第２のバリア層、および前記絶縁体が有する開口に、前記第３のバリア層を介して、配置され、
   前記第２の導電体は、前記第１のバリア層、および前記絶縁体が有する開口に、前記第３のバリア層を介して、配置されていることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記トランジスタ、および前記絶縁体は、前記第１のバリア層が有する開口の側面、および前記第２のバリア層が有する開口の側面と、前記第３のバリア層とが接することにより、前記トランジスタ、および前記絶縁体は、前記第１のバリア層、前記第２のバリア層、及び前記第３のバリア層とに、封止されていることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記第１のバリア層、前記第２のバリア層、および前記第３のバリア層は、ＴＤＳ測定により、４００℃以下において、下層からの水素の放出が５．０×１０^１４個／ｃｍ^２以下であることを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
   開口を有する第２の絶縁体、および開口を有する第３の絶縁体を有し、
   前記第２の絶縁体は、前記第２のバリア層の上に設けられ、
   前記第３の絶縁体は、前記第１のバリア層の下に設けられ、
   前記第２の絶縁体、および前記第３の絶縁体が有する開口の側面は、前記第３のバリア層に覆われている領域を有することを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
   前記第１のバリア層は、前記トランジスタのゲート絶縁膜として機能を有することを特徴とする半導体装置。