JP2017199901A5 - 半導体装置 - Google Patents
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Claims (3)
- 第１のバリア絶縁膜と、
前記第１のバリア絶縁膜の上に配置された第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極の上に配置された第１のゲート絶縁膜と、
前記第１のゲート絶縁膜の上に配置された酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜の上に、離して配置されたソース電極及びドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の上に配置された第２のゲート絶縁膜と、
前記第２のゲート絶縁膜の上に、少なくとも一部が前記ソース電極と前記ドレイン電極の間の領域と重なるように配置された第２のゲート電極と、
前記酸化物半導体膜、前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記第２のゲート電極、及び前記第２のゲート絶縁膜を覆って、前記酸化物半導体膜の側面、前記ソース電極の側面、前記ドレイン電極の側面及び前記第１のゲート絶縁膜の上面に接して配置された第２のバリア絶縁膜と、
前記第２のバリア絶縁膜の上に配置された第３のバリア絶縁膜と、を有し、
前記第１のバリア絶縁膜、前記第２のバリア絶縁膜及び前記第３のバリア絶縁膜は、前記第１のゲート絶縁膜及び前記第２のゲート絶縁膜より、水素、水及び酸素の透過性が低く、
前記第３のバリア絶縁膜は、前記第２のバリア絶縁膜より膜厚が薄く、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は積層構造であり、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の前記酸化物半導体膜と接する層は、導電性酸化物膜を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記導電性酸化物膜より水素濃度が低い半導体装置。 - 第１の絶縁体と、
前記第１の絶縁体の上に配置された第２の絶縁体と、
前記第２の絶縁体の上に配置された第１の導電体と、
前記第１の導電体の上に配置された第３の絶縁体と、
前記第３の絶縁体の上に配置された第１の酸化物と、
前記第１の酸化物の上に配置された第２の酸化物と、
前記第２の酸化物の上に、離して配置された第１の導電性酸化物及び第２の導電性酸化物と、
前記第１の導電性酸化物の上に配置された第２の導電体と、
前記第２の導電性酸化物の上に配置された第３の導電体と、
前記第２の酸化物、前記第１の導電性酸化物、前記第２の導電性酸化物、前記第２の導電体及び前記第３の導電体の上に配置され、前記第２の酸化物の上面と、前記第２の酸化物の側面と、前記第１の酸化物の側面と、前記第３の絶縁体の上面と接する第３の酸化物と、
前記第３の酸化物の上に配置された第４の絶縁体と、
前記第４の絶縁体の上に、少なくとも一部が前記第２の導電体と前記第３の導電体の間の領域と重なるように配置された第４の導電体と、
前記第１乃至第３の酸化物、前記第１の導電性酸化物、前記第２の導電性酸化物、前記第２乃至第４の導電体、及び前記第４の絶縁体を覆って、前記第１の導電性酸化物の側面、前記第２の導電性酸化物の側面、前記第２の酸化物の側面及び前記第３の絶縁体の上面に接して配置された第５の絶縁体と、
前記第５の絶縁体の上に配置された第６の絶縁体と、を有し、
前記第１の絶縁体、前記第２の絶縁体、前記第５の絶縁体及び前記第６の絶縁体は、前記第３の絶縁体及び前記第４の絶縁体より、水素、水及び酸素の透過性が低く、
前記第１の絶縁体は、前記第２の絶縁体より膜厚が薄く、
前記第６の絶縁体は、前記第５の絶縁体より膜厚が薄く、
前記第２の酸化物は、前記第１の導電性酸化物及び前記第２の導電性酸化物より水素濃度が低い半導体装置。 - 第１のバリア絶縁膜と、
前記第１のバリア絶縁膜の上に配置された第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極の上に配置された第１のゲート絶縁膜と、
前記第１のゲート絶縁膜の上に配置された酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜の上に、離して配置されたソース電極及びドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の上に配置された第２のゲート絶縁膜と、
前記第２のゲート絶縁膜の上に、少なくとも一部が前記ソース電極と前記ドレイン電極の間の領域と重なるように配置された第２のゲート電極と、
前記酸化物半導体膜、前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記第２のゲート電極、及び前記第２のゲート絶縁膜を覆って、前記酸化物半導体膜の側面、前記ソース電極の側面、前記ドレイン電極の側面及び前記第１のゲート絶縁膜の上面に接して配置された第２のバリア絶縁膜と、を有し、
前記第１のバリア絶縁膜、前記第２のバリア絶縁膜は酸素とアルミニウムを有し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は積層構造であり、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の前記酸化物半導体膜と接する層は、導電性酸化物膜を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記導電性酸化物膜より水素濃度が低い半導体装置。
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