JP2019179924A5 - トランジスタ - Google Patents

Claims (12)

1. 第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
   前記ゲート電極上の第２の絶縁膜と、
   前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極と、
   前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたドレイン電極と、を有し、
   前記第２の絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜の上面に接する領域と、前記ゲート絶縁膜の側面に接する領域と、を有し、
   前記第１の絶縁膜は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
   前記第１の領域は、前記酸化物半導体膜と重なり、
   前記第２の領域は、前記酸化物半導体膜、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極のいずれとも重ならず、
   前記第２の領域の膜厚は、前記第１の領域の膜厚よりも小さいトランジスタ。
2. 第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
   前記ゲート電極上の第２の絶縁膜と、
   前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極と、
   前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたドレイン電極と、を有し、
   前記第２の絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜の上面に接する領域と、前記ゲート絶縁膜の側面に接する領域と、を有し、
   前記第１の絶縁膜は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
   前記第１の領域は、前記酸化物半導体膜と重なり、
   前記第２の領域は、前記酸化物半導体膜、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極のいずれとも重ならず、
   前記第２の領域の膜厚は、前記第１の領域の膜厚よりも小さく、
   前記酸化物半導体膜は、第３の領域と、第４の領域と、を有し、
   前記第３の領域は、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極と重なり、
   前記第４の領域は、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極のいずれとも重ならず、
   前記第４の領域の膜厚は、前記第３の領域の膜厚よりも小さいトランジスタ。
3. 第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
   前記ゲート電極上の第２の絶縁膜と、
   前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極と、
   前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたドレイン電極と、を有し、
   前記第１の絶縁膜は、窒素を含む絶縁膜及び酸素を含む絶縁膜の積層構造であり、
   前記第２の絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜の上面に接する領域と、前記ゲート絶縁膜の側面に接する領域と、を有し、
   前記第１の絶縁膜は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
   前記第１の領域は、前記酸化物半導体膜と重なり、
   前記第２の領域は、前記酸化物半導体膜、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極のいずれとも重ならず、
   前記第２の領域の膜厚は、前記第１の領域の膜厚よりも小さいトランジスタ。
4. 第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
   前記ゲート電極上の第２の絶縁膜と、
   前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極と、
   前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたドレイン電極と、を有し、
   前記第１の絶縁膜は、窒素を含む絶縁膜及び酸素を含む絶縁膜の積層構造であり、
   前記第２の絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜の上面に接する領域と、前記ゲート絶縁膜の側面に接する領域と、を有し、
   前記第１の絶縁膜は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
   前記第１の領域は、前記酸化物半導体膜と重なり、
   前記第２の領域は、前記酸化物半導体膜、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極のいずれとも重ならず、
   前記第２の領域の膜厚は、前記第１の領域の膜厚よりも小さく、
   前記酸化物半導体膜は、第３の領域と、第４の領域と、を有し、
   前記第３の領域は、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極と重なり、
   前記第４の領域は、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極のいずれとも重ならず、
   前記第４の領域の膜厚は、前記第３の領域の膜厚よりも小さいトランジスタ。
5. 第１のゲート電極と、
   前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上の第２のゲート電極と、
   前記第２のゲート電極上の第２の絶縁膜と、
   前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極と、
   前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたドレイン電極と、を有し、
   前記第２の絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜の上面に接する領域と、前記ゲート絶縁膜の側面に接する領域と、を有し、
   前記第１の絶縁膜は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
   前記第１の領域は、前記酸化物半導体膜と重なり、
   前記第２の領域は、前記酸化物半導体膜、前記ゲート絶縁膜及び前記第２のゲート電極のいずれとも重ならず、
   前記第２の領域の膜厚は、前記第１の領域の膜厚よりも小さいトランジスタ。
6. 第１のゲート電極と、
   前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上の第２のゲート電極と、
   前記第２のゲート電極上の第２の絶縁膜と、
   前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極と、
   前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたドレイン電極と、を有し、
   前記第２の絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜の上面に接する領域と、前記ゲート絶縁膜の側面に接する領域と、を有し、
   前記第１の絶縁膜は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
   前記第１の領域は、前記酸化物半導体膜と重なり、
   前記第２の領域は、前記酸化物半導体膜、前記ゲート絶縁膜及び前記第２のゲート電極のいずれとも重ならず、
   前記第２の領域の膜厚は、前記第１の領域の膜厚よりも小さく、
   前記酸化物半導体膜は、第３の領域と、第４の領域と、を有し、
   前記第３の領域は、前記ゲート絶縁膜及び前記第２のゲート電極と重なり、
   前記第４の領域は、前記ゲート絶縁膜及び前記第２のゲート電極のいずれとも重ならず、
   前記第４の領域の膜厚は、前記第３の領域の膜厚よりも小さいトランジスタ。
7. 第１のゲート電極と、
   前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上の第２のゲート電極と、
   前記第２のゲート電極上の第２の絶縁膜と、
   前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極と、
   前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたドレイン電極と、を有し、
   前記第１の絶縁膜は、窒素を含む絶縁膜及び酸素を含む絶縁膜の積層構造であり、
   前記第２の絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜の上面に接する領域と、前記ゲート絶縁膜の側面に接する領域と、を有し、
   前記第１の絶縁膜は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
   前記第１の領域は、前記酸化物半導体膜と重なり、
   前記第２の領域は、前記酸化物半導体膜、前記ゲート絶縁膜及び前記第２のゲート電極のいずれとも重ならず、
   前記第２の領域の膜厚は、前記第１の領域の膜厚よりも小さいトランジスタ。
8. 第１のゲート電極と、
   前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上の第２のゲート電極と、
   前記第２のゲート電極上の第２の絶縁膜と、
   前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極と、
   前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたドレイン電極と、を有し、
   前記第１の絶縁膜は、窒素を含む絶縁膜及び酸素を含む絶縁膜の積層構造であり、
   前記第２の絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜の上面に接する領域と、前記ゲート絶縁膜の側面に接する領域と、を有し、
   前記第１の絶縁膜は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
   前記第１の領域は、前記酸化物半導体膜と重なり、
   前記第２の領域は、前記酸化物半導体膜、前記ゲート絶縁膜及び前記第２のゲート電極のいずれとも重ならず、
   前記第２の領域の膜厚は、前記第１の領域の膜厚よりも小さく、
   前記酸化物半導体膜は、第３の領域と、第４の領域と、を有し、
   前記第３の領域は、前記ゲート絶縁膜及び前記第２のゲート電極と重なり、
   前記第４の領域は、前記ゲート絶縁膜及び前記第２のゲート電極のいずれとも重ならず、
   前記第４の領域の膜厚は、前記第３の領域の膜厚よりも小さいトランジスタ。
9. 第１のゲート電極と、
   前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上の第２のゲート電極と、
   前記第２のゲート電極上の第２の絶縁膜と、
   前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極と、
   前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたドレイン電極と、を有し、
   前記第１のゲート電極は、銅を含む導電膜の積層構造であり、
   前記第２の絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜の上面に接する領域と、前記ゲート絶縁膜の側面に接する領域と、を有し、
   前記第１の絶縁膜は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
   前記第１の領域は、前記酸化物半導体膜と重なり、
   前記第２の領域は、前記酸化物半導体膜、前記ゲート絶縁膜及び前記第２のゲート電極のいずれとも重ならず、
   前記第２の領域の膜厚は、前記第１の領域の膜厚よりも小さいトランジスタ。
10. 第１のゲート電極と、
    前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、
    前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
    前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
    前記ゲート絶縁膜上の第２のゲート電極と、
    前記第２のゲート電極上の第２の絶縁膜と、
    前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極と、
    前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたドレイン電極と、を有し、
    前記第１のゲート電極は、銅を含む導電膜の積層構造であり、
    前記第２の絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜の上面に接する領域と、前記ゲート絶縁膜の側面に接する領域と、を有し、
    前記第１の絶縁膜は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
    前記第１の領域は、前記酸化物半導体膜と重なり、
    前記第２の領域は、前記酸化物半導体膜、前記ゲート絶縁膜及び前記第２のゲート電極のいずれとも重ならず、
    前記第２の領域の膜厚は、前記第１の領域の膜厚よりも小さく、
    前記酸化物半導体膜は、第３の領域と、第４の領域と、を有し、
    前記第３の領域は、前記ゲート絶縁膜及び前記第２のゲート電極と重なり、
    前記第４の領域は、前記ゲート絶縁膜及び前記第２のゲート電極のいずれとも重ならず、
    前記第４の領域の膜厚は、前記第３の領域の膜厚よりも小さいトランジスタ。
11. 第１のゲート電極と、
    前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、
    前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
    前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
    前記ゲート絶縁膜上の第２のゲート電極と、
    前記第２のゲート電極上の第２の絶縁膜と、
    前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極と、
    前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたドレイン電極と、を有し、
    前記第１のゲート電極は、銅を含む導電膜の積層構造であり、
    前記第１の絶縁膜は、窒素を含む絶縁膜及び酸素を含む絶縁膜の積層構造であり、
    前記第２の絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜の上面に接する領域と、前記ゲート絶縁膜の側面に接する領域と、を有し、
    前記第１の絶縁膜は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
    前記第１の領域は、前記酸化物半導体膜と重なり、
    前記第２の領域は、前記酸化物半導体膜、前記ゲート絶縁膜及び前記第２のゲート電極のいずれとも重ならず、
    前記第２の領域の膜厚は、前記第１の領域の膜厚よりも小さいトランジスタ。
12. 第１のゲート電極と、
    前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、
    前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
    前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
    前記ゲート絶縁膜上の第２のゲート電極と、
    前記第２のゲート電極上の第２の絶縁膜と、
    前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極と、
    前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたドレイン電極と、を有し、
    前記第１のゲート電極は、銅を含む導電膜の積層構造であり、
    前記第１の絶縁膜は、窒素を含む絶縁膜及び酸素を含む絶縁膜の積層構造であり、
    前記第２の絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜の上面に接する領域と、前記ゲート絶縁膜の側面に接する領域と、を有し、
    前記第１の絶縁膜は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
    前記第１の領域は、前記酸化物半導体膜と重なり、
    前記第２の領域は、前記酸化物半導体膜、前記ゲート絶縁膜及び前記第２のゲート電極のいずれとも重ならず、
    前記第２の領域の膜厚は、前記第１の領域の膜厚よりも小さく、
    前記酸化物半導体膜は、第３の領域と、第４の領域と、を有し、
    前記第３の領域は、前記ゲート絶縁膜及び前記第２のゲート電極と重なり、
    前記第４の領域は、前記ゲート絶縁膜及び前記第２のゲート電極のいずれとも重ならず、
    前記第４の領域の膜厚は、前記第３の領域の膜厚よりも小さいトランジスタ。