JP2020194966A5 - - Google Patents
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- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
Claims (6)
- 複数の回路を有し、
前記回路は、第1のチャネル形成領域を有する第1のトランジスタと、第2のチャネル形成領域を有する第2のトランジスタと、を有し、
前記第1のチャネル形成領域は、シリコンを有し、
前記第2のチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記第1のトランジスタは、前記第1のチャネル形成領域の上方に第1のゲート電極を有し、
前記第2のトランジスタは、前記第2のチャネル形成領域の下方に第2のゲート電極を有し、
前記第2のトランジスタのソース及びドレインの上方に絶縁層を有し、
前記絶縁層の上方に、第1の導電層と、第2の導電層と、を有する半導体装置であって、
前記第1のゲート電極は、前記第1の導電層を介して、前記第2のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第2の導電層と電気的に接続され、
平面視において、前記絶縁層は、前記第1のゲート電極と重なる第1の開口部と、前記第2のトランジスタのソースまたはドレインと重なる第2の開口部と、を有し、
平面視において、前記第1の導電層は、前記第1の開口部と重なる領域と、前記第2の開口部と重なる領域と、を有し、
平面視において、前記第1の開口部と前記第2の開口部は、第1の方向に沿うように並んで配置され、
平面視において、前記第2の導電層は、前記第1の方向に延在して配置され、
前記第1の方向は、前記第1のトランジスタのチャネル幅方向である、半導体装置。 - 複数の回路を有し、
前記回路は、第1のチャネル形成領域を有する第1のトランジスタと、第2のチャネル形成領域を有する第2のトランジスタと、を有し、
前記第1のチャネル形成領域は、シリコンを有し、
前記第2のチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記第1のトランジスタは、前記第1のチャネル形成領域の上方に第1のゲート電極を有し、
前記第2のトランジスタは、前記第2のチャネル形成領域の下方に第2のゲート電極を有し、
前記第2のトランジスタのソース及びドレインの上方に絶縁層を有し、
前記絶縁層の上方に、第1の導電層と、第2の導電層と、を有する半導体装置であって、
前記第1のゲート電極は、前記第1の導電層を介して、前記第2のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第2の導電層と電気的に接続され、
平面視において、前記絶縁層は、前記第1のゲート電極と重なる第1の開口部と、前記第2のトランジスタのソースまたはドレインと重なる第2の開口部と、を有し、
平面視において、前記第1の開口部は、前記第1のチャネル形成領域と重なりを有さず、
平面視において、前記第1の導電層は、前記第1の開口部と重なる領域と、前記第2の開口部と重なる領域と、を有し、
平面視において、前記第1の開口部と前記第2の開口部は、第1の方向に沿うように並んで配置され、
平面視において、前記第2の導電層は、前記第1の方向に延在して配置され、
前記第1の方向は、前記第1のトランジスタのチャネル幅方向である、半導体装置。 - 複数の回路を有し、
前記回路は、第1のチャネル形成領域を有する第1のトランジスタと、第2のチャネル形成領域を有する第2のトランジスタと、を有し、
前記第1のチャネル形成領域は、シリコンを有し、
前記第2のチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記第1のトランジスタは、前記第1のチャネル形成領域の上方に第1のゲート電極を有し、
前記第2のトランジスタは、前記第2のチャネル形成領域の下方に第2のゲート電極を有し、
前記第2のトランジスタのソース及びドレインの上方に絶縁層を有し、
前記絶縁層の上方に、第1の導電層と、第2の導電層と、を有する半導体装置であって、
前記第1のゲート電極は、前記第1の導電層を介して、前記第2のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第2の導電層と電気的に接続され、
平面視において、前記絶縁層は、前記第1のゲート電極と重なる第1の開口部と、前記第2のトランジスタのソースまたはドレインと重なる第2の開口部と、を有し、
平面視において、前記第1のゲート電極は、前記第2のゲート電極と重なりを有さず、
平面視において、前記第1の導電層は、前記第1の開口部と重なる領域と、前記第2の開口部と重なる領域と、を有し、
平面視において、前記第1の開口部と前記第2の開口部は、第1の方向に沿うように並んで配置され、
平面視において、前記第2の導電層は、前記第1の方向に延在して配置され、
前記第1の方向は、前記第1のトランジスタのチャネル幅方向である、半導体装置。 - 複数の回路を有し、
前記回路は、第1のチャネル形成領域を有する第1のトランジスタと、第2のチャネル形成領域を有する第2のトランジスタと、を有し、
前記第1のチャネル形成領域は、シリコンを有し、
前記第2のチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記第1のトランジスタは、前記第1のチャネル形成領域の上方に第1のゲート電極を有し、
前記第2のトランジスタは、前記第2のチャネル形成領域の下方に第2のゲート電極を有し、
前記第2のトランジスタのソース及びドレインの上方に絶縁層を有し、
前記絶縁層の上方に、第1の導電層と、第2の導電層と、を有する半導体装置であって、
前記第1のゲート電極は、前記第1の導電層を介して、前記第2のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第2の導電層と電気的に接続され、
平面視において、前記絶縁層は、前記第1のゲート電極と重なる第1の開口部と、前記第2のトランジスタのソースまたはドレインと重なる第2の開口部と、を有し、
平面視において、前記第1の開口部は、前記第1のチャネル形成領域と重なりを有さず、
平面視において、前記第1のゲート電極は、前記第2のゲート電極と重なりを有さず、
平面視において、前記第1の導電層は、前記第1の開口部と重なる領域と、前記第2の開口部と重なる領域と、を有し、
平面視において、前記第1の開口部と前記第2の開口部は、第1の方向に沿うように並んで配置され、
平面視において、前記第2の導電層は、前記第1の方向に延在して配置され、
前記第1の方向は、前記第1のトランジスタのチャネル幅方向である、半導体装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
前記第1のチャネル形成領域は、半導体層に形成される、半導体装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
前記第1のチャネル形成領域は、単結晶半導体基板に形成される、半導体装置。
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