JP2020167423A5 - - Google Patents

Claims (2)

1. 第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインは、前記第２のトランジスタのソース又はドレインと電気的に接続される、半導体装置であって、
   前記第１のトランジスタのチャネル形成領域を有する第１の酸化物半導体層と、
   前記第２のトランジスタのチャネル形成領域を有する第２の酸化物半導体層と、
   前記第１の酸化物半導体層の下方に設けられた第１のゲート電極と、
   前記第１の酸化物半導体層の上方に設けられた第２のゲート電極と、
   前記第１の酸化物半導体層の上方に設けられ、前記第１の酸化物半導体層と電気的に接続され、前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極として機能する導電層と、
   前記第１のゲート電極と前記導電層との間に設けられた絶縁層と、を有し、
   前記第１のゲート電極は、前記絶縁層に設けられたコンタクトホールと重なる領域において前記導電層と接する、半導体装置。
2. 第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインは、前記第２のトランジスタのソース又はドレインと電気的に接続される、半導体装置であって、
   前記第１のトランジスタのチャネル形成領域を有する第１の酸化物半導体層と、
   前記第２のトランジスタのチャネル形成領域を有する第２の酸化物半導体層と、
   前記第１の酸化物半導体層の下方に設けられた第１のゲート電極と、
   前記第１の酸化物半導体層の上方に設けられた第２のゲート電極と、
   前記第１の酸化物半導体層の上方に設けられ、前記第１の酸化物半導体層と電気的に接続され、前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極として機能する導電層と、
   前記第１のゲート電極と前記導電層との間に設けられた絶縁層と、を有し、
   前記第１のゲート電極は、前記絶縁層に設けられたコンタクトホールと重なる領域において前記導電層と接し、
   平面視において、前記コンタクトホールは、前記第１の酸化物半導体層の周縁から前記第１のトランジスタのチャネル長方向に延在した領域に設けられる、半導体装置。