JPWO2020008304A5

JPWO2020008304A5 - 半導体装置

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Publication number: JPWO2020008304A5
Application number: JP2020528541A
Authority: JP
Filing date: 2019-06-27
Publication date: 2022-06-29
Anticipated expiration: 2039-06-27

Claims

トランジスタと、前記トランジスタと電気的に接続された容量素子と、を有する半導体装置であって、
前記トランジスタのチャネル形成領域を有する金属酸化物と、
前記金属酸化物の上面と接する領域を有し、且つ前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方として機能する領域を有する第１の導電体と、
前記金属酸化物の上面と接する領域を有し、且つ前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方として機能する領域を有する第２の導電体と、
前記金属酸化物の上方に位置し、且つ前記トランジスタのゲート電極として機能する領域を有する第３の導電体と、
前記第３の導電体の上面と接する領域を有し、且つ第１の開口及び第２の開口を有する第１の絶縁体と、
前記第１の絶縁体と接する領域を有し、且つ前記第１の開口を介して前記第１の導電体と電気的に接続された第４の導電体と、
前記第１の絶縁体の上方に位置し、且つ前記第１の開口と重なる領域において前記第４の導電体の上面と接する領域を有する第２の絶縁体と、
前記第２の絶縁体の上面と接する領域を有し、且つ前記第１の開口において前記第４の導電体との重なりを有する第５の導電体と、
前記第２の絶縁体の上面と接する領域を有し、且つ前記第２の開口を介して前記第２の導電体と電気的に接続された第６の導電体と、を有し、
前記第４の導電体は、前記容量素子の下部電極として機能する領域を有し、
前記第５の導電体は、前記容量素子の上部電極として機能する領域を有し、
前記第６の導電体は、ビット線として機能する領域を有し、
前記第５の導電体と、前記第６の導電体とは、同じ材料を有する、半導体装置。
第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタと電気的に接続された第１の容量素子と、第２のトランジスタと、前記第２のトランジスタと電気的に接続された第２の容量素子と、を有する半導体装置であって、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域と、前記第２のトランジスタのチャネル形成領域とを有する金属酸化物と、
前記金属酸化物の上面と接する領域を有し、且つ前記第１のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方として機能する領域を有する第１の導電体と、
前記金属酸化物の上面と接する領域を有し、且つ前記第１のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方として機能する領域と、前記第２のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方として機能する領域と、を有する第２の導電体と、
前記金属酸化物の上面と接する領域を有し、且つ前記第２のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方として機能する領域を有する第３の導電体と、
前記金属酸化物の上方に位置し、且つ前記第１のトランジスタのゲート電極として機能する領域を有する第４の導電体と、
前記金属酸化物の上方に位置し、且つ前記第２のトランジスタのゲート電極として機能する領域を有する第５の導電体と、
前記第４の導電体の上面と接する領域と前記第５の導電体の上面と接する領域とを有し、且つ第１の開口、第２の開口及び第３の開口を有する第１の絶縁体と、
前記第１の絶縁体と接する領域を有し、且つ前記第１の開口を介して前記第１の導電体と電気的に接続された第６の導電体と、
前記第１の絶縁体と接する領域を有し、且つ前記第２の開口を介して前記第３の導電体と電気的に接続された第７の導電体と、
前記第１の絶縁体の上方に位置し、且つ前記第１の開口と重なる領域において前記第６の導電体の上面と接する領域と、前記第２の開口と重なる領域において前記第７の導電体の上面と接する領域を有する第２の絶縁体と、
前記第２の絶縁体の上面と接する領域を有し、且つ前記第１の開口において前記第６の導電体との重なりを有する第８の導電体と、
前記第２の絶縁体の上面と接する領域を有し、且つ前記第２の開口において前記第７の導電体との重なりを有する第９の導電体と、
前記第２の絶縁体の上面と接する領域を有し、且つ前記第３の開口を介して前記第２の導電体と電気的に接続された第１０の導電体と、を有し、
前記第６の導電体は、前記第１の容量素子の下部電極として機能する領域を有し、
前記第８の導電体は、前記第１の容量素子の上部電極として機能する領域を有し、
前記第７の導電体は、前記第２の容量素子の下部電極として機能する領域を有し、
前記第９の導電体は、前記第２の容量素子の上部電極として機能する領域を有し、
前記第１０の導電体は、ビット線として機能する領域を有し、
前記第８の導電体と、前記第９の導電体と、前記第１０の導電体とは、同じ材料を有する、半導体装置。