JP2017174492A5

JP2017174492A5 -

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Publication number: JP2017174492A5
Application number: JP2017092777A
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Filing date: 2017-05-09
Publication date: 2017-11-09
Anticipated expiration: 2027-05-23

Claims

第１乃至第１０のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、第３の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第５のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのゲートは、前記第８のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第９のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第９のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第５のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第９のトランジスタのゲートは、前記第６のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第９のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第５のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのゲートは、前記第７のトランジスタのゲートと電気的に接続される半導体装置。
第１乃至第１８のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲートは、第３の配線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのゲートは、前記第３のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第９のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第９のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第７のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第７のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのゲートは、前記第１０のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第１１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第１１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第７のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１１のトランジスタのゲートは、前記第８のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１１のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第１２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第７のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１２のトランジスタのゲートは、前記第９のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第１４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第１５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１３のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１３のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第１６のトランジスタのゲートは、前記第１６のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第１７のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第１７のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１３のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１７のトランジスタのゲートは、前記第１４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１７のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第１８のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１３のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１８のトランジスタのゲートは、前記第１５のトランジスタのゲートと電気的に接続される半導体装置。
第１乃至第１０のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、第３の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第５のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのゲートは、前記第８のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第９のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第９のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第５のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第９のトランジスタのゲートは、前記第６のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第９のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第５のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのゲートは、前記第７のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第１の導電層を介して、第４の配線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第５の配線と電気的に接続され、
前記第４の配線には、クロック信号が入力され、
前記第４の配線は、第１の方向に延在している第１の領域を有し、
前記第５の配線は、前記第１の方向に延在している第２の領域を有し、
前記第５の配線の前記第２の領域は、前記第１乃至第１０のトランジスタの少なくとも一と前記第４の配線の前記第１の領域との間の第３の領域を有し、
前記第５の配線は、前記第１の方向と交差する方向に延在している第４の領域を有し、
前記第４の領域は、前記第５の配線の前記第２の領域と交差している半導体装置。
第１乃至第１２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第３のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第５のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第６のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第１のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲート電極は、第４の配線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第８のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第９のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第２のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第５のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第７のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのゲート電極は、前記第１のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第９のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第９のトランジスタのゲート電極は、第５の配線と電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第１１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第１２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第３のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第６のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第１０のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第１１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第１１のトランジスタのゲート電極は、前記第１のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第１２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第１２のトランジスタのゲート電極は、第６の配線と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌは、前記第７のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌよりも大きく、
前記第１１のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌは、前記第１０のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌよりも大きい半導体装置。
第１乃至第１２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第３のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第５のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第６のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第１のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲート電極は、第４の配線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第８のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第９のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第２のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第５のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第７のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのゲート電極は、前記第１のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第９のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第９のトランジスタのゲート電極は、第５の配線と電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第１１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第１２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第３のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第６のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第１０のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第１１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第１１のトランジスタのゲート電極は、前記第１のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第１２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第１２のトランジスタのゲート電極は、第６の配線と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌは、前記第７のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌよりも大きく、
前記第１１のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌは、前記第１０のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌよりも大きく、
前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、第１の導電層を有し、
前記第１の導電層は、前記第５のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方と、前記第８のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方と、前記第９のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方と、を有する半導体装置。
第１乃至第１２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第３のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第５のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第６のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第１のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲート電極は、第４の配線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第８のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第９のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第２のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第５のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第７のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのゲート電極は、前記第１のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第９のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第９のトランジスタのゲート電極は、第５の配線と電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第１１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第１２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第３のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第６のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第１０のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第１１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第１１のトランジスタのゲート電極は、前記第１のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第１２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第１２のトランジスタのゲート電極は、第６の配線と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌは、前記第７のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌよりも大きく、
前記第１１のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌは、前記第１０のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌよりも大きく、
前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、第１の導電層を有し、
前記第１の導電層は、前記第５のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方と、前記第８のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方と、前記第９のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方と、を有し、
前記第２のトランジスタのゲート電極は、第２の導電層を有し、
前記第２の導電層は、前記第５のトランジスタのゲート電極を有する半導体装置。
第１乃至第１２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と直接に接続され、
前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第３のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と直接に接続され、
前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、第１の配線と直接に接続され、
前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、第２の配線と直接に接続され、
前記第３のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と直接に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第５のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と直接に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第６のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は直接に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第１のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、第３の配線と直接に接続され、
前記第４のトランジスタのゲート電極は、第４の配線と直接に接続され、
前記第５のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と直接に接続され、
前記第６のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と直接に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第８のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と直接に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第９のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と直接に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第２のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第５のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第７のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第８のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と直接に接続され、
前記第８のトランジスタのゲート電極は、前記第１のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第９のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と直接に接続され、
前記第９のトランジスタのゲート電極は、第５の配線と直接に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第１１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と直接に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第１２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と直接に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第３のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第６のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第１０のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第１１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と直接に接続され、
前記第１１のトランジスタのゲート電極は、前記第１のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第１２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と直接に接続され、
前記第１２のトランジスタのゲート電極は、第６の配線と直接に接続され、
前記第８のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌは、前記第７のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌよりも大きく、
前記第１１のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌは、前記第１０のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌよりも大きい半導体装置。
第１乃至第１２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と直接に接続され、
前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第３のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と直接に接続され、
前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、第１の配線と直接に接続され、
前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、第２の配線と直接に接続され、
前記第３のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と直接に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第５のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と直接に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第６のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は直接に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第１のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、第３の配線と直接に接続され、
前記第４のトランジスタのゲート電極は、第４の配線と直接に接続され、
前記第５のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と直接に接続され、
前記第６のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と直接に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第８のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と直接に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第９のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と直接に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第２のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第５のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第７のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第８のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と直接に接続され、
前記第８のトランジスタのゲート電極は、前記第１のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第９のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と直接に接続され、
前記第９のトランジスタのゲート電極は、第５の配線と直接に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第１１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と直接に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第１２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と直接に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第３のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第６のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第１０のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第１１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と直接に接続され、
前記第１１のトランジスタのゲート電極は、前記第１のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第１２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と直接に接続され、
前記第１２のトランジスタのゲート電極は、第６の配線と直接に接続され、
前記第８のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌは、前記第７のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌよりも大きく、
前記第１１のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌは、前記第１０のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌよりも大きく、
前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、第１の導電層を有し、
前記第１の導電層は、前記第５のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方と、前記第８のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方と、前記第９のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方と、を有する半導体装置。
第１乃至第１２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と直接に接続され、
前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第３のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と直接に接続され、
前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、第１の配線と直接に接続され、
前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、第２の配線と直接に接続され、
前記第３のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と直接に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第５のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と直接に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第６のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は直接に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第１のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第４のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、第３の配線と直接に接続され、
前記第４のトランジスタのゲート電極は、第４の配線と直接に接続され、
前記第５のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と直接に接続され、
前記第６のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と直接に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第８のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と直接に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第９のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と直接に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第２のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第５のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第７のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第７のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第８のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と直接に接続され、
前記第８のトランジスタのゲート電極は、前記第１のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第９のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と直接に接続され、
前記第９のトランジスタのゲート電極は、第５の配線と直接に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第１１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と直接に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第１２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と直接に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第３のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第６のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第１０のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第１１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と直接に接続され、
前記第１１のトランジスタのゲート電極は、前記第１のトランジスタのゲート電極と直接に接続され、
前記第１２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の配線と直接に接続され、
前記第１２のトランジスタのゲート電極は、第６の配線と直接に接続され、
前記第８のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌは、前記第７のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌよりも大きく、
前記第１１のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌは、前記第１０のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌよりも大きく、
前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方は、第１の導電層を有し、
前記第１の導電層は、前記第５のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方と、前記第８のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方と、前記第９のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方と、を有し、
前記第２のトランジスタのゲート電極は、第２の導電層を有し、
前記第２の導電層は、前記第５のトランジスタのゲート電極を有する半導体装置。