JP2011124560A5 - - Google Patents

Claims (1)

1. 第１のトランジスタ乃至第９のトランジスタと、容量素子と、第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、を有し、
   前記第１のトランジスタ乃至前記第９のトランジスタにおいて、チャネルが形成される半導体層は酸化物半導体を含み、
   前記酸化物半導体は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを含み、
   前記第１の配線には、第１の電位が供給され、
   前記第２の配線には、第２の電位が供給され、
   前記第３の配線には、第３の電位が供給され、
   前記第１の電位、及び前記第２の電位は、前記第３の電位よりも高い電位であり、
   前記第１のトランジスタのゲートは、入力端子に電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第３の配線に電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのゲートは、前記第７のトランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのゲートは、前記第８のトランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第４のトランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第６のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのゲートは、前記第１の配線に電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第２の配線に電気的に接続され、
   前記第４のトランジスタのゲートは、前記第５のトランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
   前記第４のトランジスタのゲートは、前記第６のトランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
   前記第４のトランジスタのゲートは、前記容量素子の第１電極に電気的に接続され、
   前記第４のトランジスタのゲートは、前記第８のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
   前記第４のトランジスタのゲートは、前記第９のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
   前記第４のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第３の配線に電気的に接続され、
   前記第５のトランジスタのゲートは、前記第１の配線に電気的に接続され、
   前記第５のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第２の配線に電気的に接続され、
   前記第６のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第３の配線に電気的に接続され、
   前記第７のトランジスタのゲートは、前記第１の配線に電気的に接続され、
   前記第７のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第２の配線に電気的に接続され、
   前記第８のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第３の配線に電気的に接続され、
   前記第９のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、出力端子に電気的に接続され、
   前記第９のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第３の配線に電気的に接続され、
   前記容量素子は、第２電極が前記第３の配線に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。